（12）发明专利申请
（21）申请号 CN202010253350.4 （22）申请日 2020.04.02 （71）申请人 庞昊
地址 201204 上海市浦东新区御桥路1679弄10号1003室
（10）申请公布号 CN111560647A
（43）申请公布日 2020.08.21
（72）发明人 庞昊;谢雨凌
（74）专利代理机构 上海智威知识产权代理有限公司
代理人 范洁琼
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
一种单晶生长炉及单晶生长方法
（57）摘要
本发明公开了一种单晶生长炉，在炉壁上
设置有：一组观察装置介入孔，用于接纳观察晶体生长情况的观察装置；一组激光加热装置介入孔，用于接纳加热消除多晶晶界的激光加热装置；以及一组保护件，所述保护件设置在所述激光加热装置介入孔位于炉壁内侧的一端，用于接纳及保护激光加热装置。还公开了一种单晶生长方法包括：当观察装置发现晶界时，使用激光加热装置对晶界进行加热熔化。通过实时监控及时
发现晶界，通过激光加热熔化晶界区域，纠正生长过程，或者多晶控制在最终产品的最外层，大大提高成品率和产品质量，节约大量生产成本。
法律状态
法律状态公告日
2020-08-21
公开
法律状态信息
公开
法律状态
权利要求说明书
一种单晶生长炉及单晶生长方法的权利要求说明书内容是....请下载后查看
说明书
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