专利名称：GaN基膜的制造方法及为此使用的复合衬底专利类型：发明专利
发明人：佐藤一成,关裕纪,上松康二,山本喜之,松原秀树,藤原
伸介,吉村雅司
申请号：CN201180028976.4申请日：20111221公开号：CN103180494A公开日：20130626
摘要：本发明涉及一种GaN基膜的制造方法，所述方法包括：准备复合衬底(10)的步骤，所述复合衬底(10)包含：在氢氟酸中可溶的支持衬底(11)以及布置在所述支持衬底(11)的主表面(11m)侧的单晶膜(13)，所述支持衬底(11)的主表面(11m)内的热膨胀系数大于GaN晶体的热膨胀系数的0.8倍且小于其1.2倍；在布置在所述支持衬底(11)的主表面(11m)侧的所述单晶膜(13)的主表面(13m)上形成GaN基膜(20)；以及通过将支持衬底(11)溶解在氢氟酸中来除去所述支持衬底(11)。因此，本发明提供能够有效地获得主表面面积大、翘曲较小且结晶性良好的GaN基膜的GaN基膜的制造方法以及为此使用的复合衬底。
申请人：住友电气工业株式会社
地址：日本大阪府大阪市
国籍：JP
代理机构：中原信达知识产权代理有限责任公司
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