专利名称：多层结构及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：奥利维尔·泰松,弗朗索斯·利考内克申请号：CN200880123169.9申请日：20081020公开号：CN101986794A公开日：20110316
摘要：提供一种多层结构，尤其是槽式电容器的多层结构，所述结构包括含有沟槽的图形化层结构和第一电极，其中图形化层结构包括FASS曲线(FASS-curve)结构，并且第一电极至少部分形成于该FASS曲线结构上。
申请人：IPDIA公司
地址：法国卡昂
国籍：FR
代理机构：上海天协和诚知识产权代理事务所
代理人：张恒康
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