专利名称：形成抗蚀剂下层膜的组合物和采用该形成抗蚀剂下
层膜的组合物形成抗蚀剂图案的方法
专利类型：发明专利
发明人：坂本力丸,广井佳臣,石田智久,远藤贵文申请号：CN200880111027.0申请日：20081016公开号：CN101821677A公开日：20100901
摘要：本发明的目的在于提供用于形成干蚀刻速度的选择比大、且在诸如ArF准分子激光的短波长下的k值和折射率n显示期望值的抗蚀剂下层膜的组合物。该形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物包含线状聚合物和溶剂，所述线状聚合物的主链具有介由酯键和醚键引入了2，4-二羟基苯甲酸的单元结构。
申请人：日产化学工业株式会社
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：北京市中咨律师事务所
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