专利名称：一种门极可关断晶闸管及其制造方法专利类型：发明专利发明人：李思敏
申请号：CN201810756090.5申请日：20180711公开号：CN108899358A公开日：20181127
摘要：本发明提供了一种门极可关断晶闸管，在N型的硅衬底片的上表面有由复数个高掺杂浓度的上管N型发射区重复排列组成的多条条带，每条条带的四周环绕有上管P型浓基区汇流条，上管N型发射区的上面设有一阴极金属层，该上管N型发射区的下面有上管P型基区，该上管P型基区侧面连接上管P型浓基区或上管P型浓基区汇流条，该上管P型基区、上管P型浓基区和上管P型浓基区汇流条的下面有上管N型集电区，上管N型集电区的下面为下管P型发射区，下管P型发射区的下表面与阳极金属层相连，该硅衬底片的上方设有门极金属层。本发明的可关断晶闸管抗dI/dt和抗dV/dt的能力显著增强，击穿电压和电流容量具有宽广的适应范围。
申请人：北京优捷敏半导体技术有限公司
地址：100012 北京市朝阳区汤立路216号6层3单元707
国籍：CN
代理机构：北京北新智诚知识产权代理有限公司
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