专利名称：MEMS传感器及其形成方法专利类型：发明专利发明人：王红海
申请号：CN202010266612.0申请日：20200407公开号：CN111439721A公开日：20200724
摘要：本发明涉及一种MEMS传感器及其形成方法。所述形成方法中，在金属键合之前，在第一晶圆上形成了图案化的牺牲材料层以及连续覆盖在牺牲材料层和第一晶圆表面的功能层，此外还在功能层上表面的第一键合区域形成了挡墙主体部分，并在形成第一键合金属的过程中，在挡墙主体部分表面形成了金属层，可以在去除牺牲材料层的工艺中保护挡墙主体部分避免被腐蚀，从而在金属键合时没有产生明显的形貌变化，可以起到阻挡熔融流体流到中间区域的作用，还可以用来控制键合反应程度，有利于提高键合良率。所述MEMS传感器可以采用上述方法形成，所述挡墙在金属层的保护下键合之前不容易被损伤，有助于提升键合结构的质量以及传感器的性能。
申请人：中芯集成电路制造(绍兴)有限公司
地址：312000 浙江省绍兴市皋埠镇临江路518号
国籍：CN
代理机构：上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：曹廷廷
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