专利名称：半导体芯片及包括该半导体芯片的半导体集成电路专利类型：发明专利
发明人：边相镇,高在范,辛尚勋申请号：CN201410525755.3申请日：20141008公开号：CN104517636A公开日：20150415
摘要：本发明涉及一种半导体芯片，其包括适于产生具有预定电平的内电压的内电压产生电路，适于采用所述内电压执行预定操作的目标内部电路，以及控制电路，所述控制电路适于基于由所述目标内部电路产生的操作结果信号检测所述目标内部电路的操作速度，并基于检测到的操作速度产生控制信号，其中用于目标内部电路的内电压的电压电平基于所述控制信号进行控制。
申请人：爱思开海力士有限公司
地址：韩国京畿道
国籍：KR
代理机构：北京路浩知识产权代理有限公司
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容