专利名称：一种钕铁硼磁体及其制备方法专利类型：发明专利发明人：赵媛媛
申请号：CN201410326924.0申请日：20140710公开号：CN104064301A公开日：20140924
摘要：本发明提供了一种钕铁硼磁体，按质量百分比组成包括：Pr-Nd：29％～33％，B：0.97％～1.5％，Dy：0.4％～0.6％，Al：0.2％～0.8％，Co：0.6％～0.8％，Cu：0.01％～0.5％，Zr：0.01％～0.2％，余量为Fe。本发明还公开了一种钕铁硼磁体的制备方法，首先在真空条件下，将Pr-Nd合金、Zr-Fe合金、B-Fe合金、Dy-Fe合金、铝、钴、铜以及铁熔融制备得到钕铁硼铸锭，然后将得到的钕铁硼铸锭经制粉后，得到钕铁硼粉末，最后将上述钕铁硼粉末烧结后，得到钕铁硼磁体。采用本发明提供的方法制备的钕铁硼磁体，具有更加细化的磁体晶粒尺寸和更高的磁体稳定性。
申请人：北京京磁电工科技有限公司
地址：101204 北京市平谷区马坊工业园区西区286号
国籍：CN
代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司
代理人：赵青朵
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