飞兆MicroFET系列产品在低电压中延长电池寿命

■　详廑　需的功率。　接口电路：按照目前的发展趋势，　无论传输什么数据，带宽似乎永远无　法满足需求（尤其是传送高清晰的视　频信号），而且传输线路也在不断加　长。接口电路在这方面有它的特定功　用，那就是确保传输的信号不会再传　输过程中出现错误。因此，接口电路要　负责为信号消除噪声，以及提供卓越　泛的一种线性集成电路，种类繁多，可　大器是功放之前的预放大和控制部分，　分为”通用”、”高速“、及”高精度”等　用于增强信号的电压幅度，提供输入　三类，主要作用在于调节模拟信号，防　信号选择，音调调整和音量控制等功　止信号逐渐减弱或在传输过程中的衰　能。前置放大器的作用是将激光唱机、　减，同时也可进一步加强信号．让信号　电唱盘、磁带卡座、调谐器等送来的信　的定时功能。　数据转换器：数据转换器将真实　世界的模拟信号转成“０／１”的数字信　号　以便微处理器或者数字信号处理　器能够进行处理。这些需要处理的数　据流来自真实的世界，包括音频、视　频、热能、光线、振动或者其他喜好。　恢复甚至超过原先的强度。放大器是　号进行各种处理与放大，以便为功率　前置放大器和功率放大器的统称。功　放大器准备适宜的电信号，同时它可　率放大器，简称功放，用于增强信号功　具有音量调节、音调调节等功能。功率　率。不带信号源选择、音量控制等附属　放大器的作用是将前置放大器送来的　功能的功率放大器称为后级。前置放　信号，放大到足够推动相应扬声器所　而经过处理的数字信号，还需要经过　数／模转换器还原成我们所能感知的模　拟信号。（本文图片由ＴＩ公司提供）髓　飞兆ＭｉｃｒｏＦＥＴ系列产品在低电压中延长电池寿命　飞兆半导体公司（Ｆａｉｒｃｈｉｌｄ　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）推出１　１　种新型ＭｉｃｒｏＦＥＴ　ＭＯＳＦＥＴ产品，提供业界最广泛的的　散热增强型超紧凑、低高度（２　ｘ　２　ｘ　Ｏ．８ｍｍ）器件，面向３０Ｖ和２ｏＶ以下的　５５％，同时具有更高的性能。例如，较之于典型的双Ｐ沟　道ＳＳＯＴ－６（９ｒａｍ２）器件，ＭｉｃｒｏＦＥＴ（４ｒａｍ２）的ＲＤＳ（ＯＮ）　降低了１７％（９５ｍ对比于１１５ｍ）、热　阻降低１６％［１５１。Ｃ／Ｗ对比于１８０。ＣＡＶ（　低功耗应用，包括移动电话、数码相　最小铜焊盘数值）】。此外，与较大的　３ｘ１．９ｍｍ　ＭＬＰ器件甚至是类似的小型封　机、游戏机、远程ＰＯＳ终端，以及其　它大批量的便携式产品。ＭｉｃｍＦＥＴ采　装ＳＣ－７０相比，ＭｉｃｒｏＦＥＴ器件提供的散　用ＭＬＰ封装，即是在充电器、升压转　换器、ＤＣ／Ｉ）Ｃ转换器及负载开关应用　热性能和效率明显高出很多。举例说，与　双Ｐ沟道ＳＣ一７Ｏ器件相比，飞兆半导体　Ｍｉｃｒ０ＦＥＴ的ＲＤＳ（ＯＮ）低８Ｏ％、热阻低　６５％　中广泛采用的ＳＳＯＴ一６或ｓＣ－７Ｏ器件封　装之外。采用２ｘ２ｍｍ　ＭＬＰ封装的　ＭｉｃｒｏＦＥＴ较３ｘ３ｍｍ　ＳＳＯＴ－６封装的ＭＯＳＦＥＴ体积减小　■ｉ－＿ｌ童　塑！　童型：　！：　ｗｗ￣．ｅｅｐｗ．ｃｏｍ．ｃｎ