专利名称：一种气体中高浓度氚测量装置专利类型：实用新型专利
发明人：陈志林,彭述明,孟丹,常瑞敏,吴冠银,穆龙,贺月虹,王
和义
申请号：CN201320271749.0申请日：20130520公开号：CN203241541U公开日：20131016
摘要：本实用新型提供了一种气体中高浓度氚测量装置。本实用新型的测量装置由两个结构和材料完全相同、尺寸不同的圆柱形电离室组成。本实用新型的测量装置可完全消除在测量气体中高浓度氚时由于电离室室壁对氚的吸附而产生的记忆效应对测量结果的影响，实现高浓度情况下气体中氚的长期、准确测量。本实用新型完全满足各种场所中高浓度氚实时连续测量的要求。
申请人：中国工程物理研究院核物理与化学研究所
地址：621900 四川省绵阳市919信箱215分箱
国籍：CN
代理机构：中国工程物理研究院专利中心
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容