专利名称：晶片的清洗方法专利类型：发明专利发明人：徐宽,李鹤鸣,王奇峰申请号：CN200610119140.6申请日：20061205公开号：CN101197248A公开日：20080611
摘要：公开了一种晶片的清洗方法，包括步骤：对去离子水进行弱酸化处理，形成弱酸性的液体；利用所述弱酸性的液体对表面已形成焊盘的晶片进行清洗。本发明的清洗方法应用于半导体制造领域中，通过阻止金属铝和铜在水中发生原电池反应，改善了在清洗晶片时，出现的铝焊盘表面质量严重恶化的情况，提高了铝焊盘的表面质量和焊接质量。
申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江路18号
国籍：CN
代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司
代理人：逯长明
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