专利名称：晶体生长炉专利类型：实用新型专利
发明人：贾建国,胡高华,梁志安,李红星,陈怡新,王愿愿申请号：CN201220021327.3申请日：20120118公开号：CN202482484U公开日：20121010
摘要：本实用新型公开了一种晶体生长炉，包括有固定于底座上的炉体，炉体的内部设有晶体生长模具，炉体的外壁上设有多级台阶，其中一级台阶的台阶面上设有开孔并安装有透明视窗，透明视窗位于晶体生长模具的上方，炉体的上端设有开口并安装有保温罩。本实用新型结构合理，观察窗的位置由炉体的正面改为炉体外壁的台阶面上，在不影响观察效果的前提下，观察窗的位置远离炉内核心高温区，并配合保温罩使用，有效减少了炉内热量的散失，保证了炉内温场的均匀性和稳定性。
申请人：鸿福晶体科技(安徽)有限公司
地址：237321 安徽省六安市金寨县经济开发区
国籍：CN
代理机构：安徽合肥华信知识产权代理有限公司
代理人：方峥
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