专利名称：晶体生长炉专利类型：实用新型专利发明人：江晓平,张革,车帮全,陈辉申请号：CN00253332.4申请日：20001205公开号：CN2475743Y公开日：20020206
摘要：本实用新型属于一种直拉法生产各种氧化物人工晶体的专用设备。其特征在于：炉体为圆筒形立式双层夹套结构，中间有冷却水；籽晶杆通过柔性带、减速轮组与电机联接；手动机构通过传动杆、同步带与滚珠丝杠联接。本实用新型的目的在于提供一种晶体生长炉，其目的在于解决以往的晶体生长炉在无法准确方便地调整籽晶杆在炉内的位置、晶转电机经常在低转速状态下运行，电流较大，炉体加工制造复杂等方面存在的问题。
申请人：沈阳科晶设备制造有限公司
地址：110167 辽宁省沈阳高新技术产业开发区浑南产业区硅谷街15号
国籍：CN
代理机构：辽宁科技专利事务所
代理人：宋铁军
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