沉积参数对射频磁控溅射制备的碲锌镉薄膜的影响(英文)

第３２卷第２期　红外与毫米波学报　Ｖｏ１．３２，Ｎｏ．２　２０１３年４月　Ｊ．Ｉｎｆｒａｒｅａｌ　Ｍｉｌｌｉｍ．Ｗａｖｅｓ　Ａｐｒｉｌ，２０１３　文章编号：１００１—９０１４（２０１３）０２—００９７—０５　ＤＯＩ：１０．３７２４／ＳＰ．Ｊ．１０１０．２０１３．０００９７　Ｅｆｆｅｃｔｓ　ｏｆ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ　ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ　ｏｎ　Ｃｄ１．　Ｚｎ　Ｔｅ　ｉｆｌｍｓ　ｐｒｅｐａｒｅｄ　ｂｙ　ＲＦ　ｍａｇｎｅｔｒｏｎ　ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ　ＣＡＯ　Ｈｏｎｇ　，ＣＨＵ　Ｊｕｎ．Ｈａｏ　，ＷＡＮＧ　Ｓｈａｎ　Ｌｉ　，ＷＵ　Ｙｕｎ—Ｈｕａ　，ＺＨＡＮＧ　Ｃｈｕａｎ．Ｊｕｎ　，。　（１．Ｎａｔｉｏｎａｌ　Ｌａｂｏｒａｔｏｒｙ　ｆｏｒ　ｉｎｆｒａｒｅｄ　ｐｈｙｓｉｃｓ，Ｓｈａｎｇｈａｉ　Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ　ｏｆ　Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ　Ｐｈｙｓｉｃｓ，　Ｃｈｉｎｅｓｅ　Ａｃａｄｅｍｙ　ｏｆ　Ｓｃｉｅｎｃｅｓ，Ｓｈａｎｇｈａｉ　２０００８３，Ｃｈｉｎａ；　２．ＳｈａｎｇＨａｉ　Ｃｅｎｔｅｒ　ｆｏｒ　Ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃｓ，ＳｈａｎｇＨａｉ　２０１２０１，Ｃｈｉｎａ）　Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｃｄ１　Ｚｎ　Ｔｅ　ｆｉｌｍｓ　ｗｅｒｅ　ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ　ｂｙ　ＲＦ　ｍａｇｎｅｔｒｏｎ　ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ　ｆｒｏｍ　Ｃｄｏ　９６　Ｚｎ０Ｔｅ　ｃｒｙｓｔａｌｓ　ｔａｒｇｅｔ　ａｔ　ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ　ｓｕｂ—　．０４ｓｔｒａｔｅ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｓ，ＲＦ　ｐｏｗｅｒｓ　ａｎｄ　ｗｏｒｋｉｎｇ　ｐｒｅｓｓｕｒｅｓ．Ａｆｔｅｒ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ，ｔｈｅ　ｓａｍｐｌｅｓ　ｗｅｒｅ　ａｎｎｅａｌｅｄ　ｉｎ　ｈｉｇｈ　ｐｕｒｉｔｙ　ａｉｒ　ａｔ　４７３　Ｋ．Ｔｈｅ　ｆｉｌｍｓ　ｗｅｒｅ　ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚｅｄ　ｕｓｉｎｇ　ｓｔｅｐ　ｐｒｏｆｉｌｏｍｅｔｅｒ，ＵＶ・ＶＩＳ—ＮＩＲ　ｓｐｅｅｔｒｏｐｈｏｔｏｍｅｔｅｒ，ＸＲＤ　ａｎｄ　ＳＥＭ．Ｄｅｐｅｎｄｉｎｇ　ｏｎ　ｔｈｅ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ　ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ　ａｎｄ　ａｎｎｅａｌｉｎｇ，ｔｈｅ　ｖａｌｕｅｓ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｂａｎｄ　ｇａｐ　ｏｆ　ｔｈｅ　ＣＺＴ　ｆｉｌｍｓ　ｖａｒｉｅｄ　ｂｅｔｗｅｅｎ　１．４５　ａｎｄ　２．０２　ｅＶ．　Ｋｅｙ　ｗｏｒｄｓ：Ｃｄｌ　Ｚｎ　Ｔｅ；ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍｓ；ＲＦ　ｍａｇｎｅｔｒｏｎ　ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ；ｂａｎｄ　ｇａｐ　ＰＡＣＳ：７８．６７．Ｐｔ，８１．１５．Ｃｄ．７８．５５．ｍ　・　沉积参数对射频磁控溅射制备的碲锌镉薄膜的影响　曹　鸿　，　褚君浩　，　王善力　，　邬云骅　，　张传军　（１．中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室，上海２０００８３；　２．上海太阳能电池研究与发展中心，上海２０１２０１）　摘要：采用ｃｄ。　ｚｎ。　Ｔｅ靶，利用射频磁控溅射制备碲锌镉薄膜，通过改变基片温度、溅射功率和工作气压，制得　不同的碲锌镉薄膜．将制备的碲锌镉薄膜放置在高纯空气气氛中，在４７３　Ｋ温度下退火．利用台阶仪、分光光度计、　ＸＲＤ和ＳＥＭ测试设备表征，结果表明，通过退火和改变沉积参数，可以制备出禁带宽度在１．４５—２．０２　ｅＶ之间调　节的碲锌镉薄膜．　关键词：碲锌镉；薄膜；射频磁控溅射；带隙　中图分类号：０４８４．１　文献标识码：Ａ　Ｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎ　ａｌｌｏｙ　ｆｉｌｍｓ　ｇｒｏｗｎ　ｂｙ　ＲＦ　ｍａｇｎｅｔｒｏｎ　ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ　ｉｎ　ｔｈｉｎ—　ｉｆｌｍ　ｓｏｌａｒ　ｃｅｌｌｓ　ｈａｖｅ　ａｔｔｒａｃｔｅｄ　ｍｏｒｅ　ａｎｄ　ｍｏｒｅ　ａｔｔｅｎｔｉｏｎ　Ｔｈｅ　Ｃｄ１一　Ｚｎ　Ｔｅ（ＣＺＴ）ｉｓ　ｋｎｏｗｎ　ａｓ　ａ　ｄｉｒｅｃｔ　ｆｒｏｍ　ｓｏｍｅ　ｒｅｓｅａｒｃｈｅｒｓ．ＲＦ　ｍａｇｎｅｔｒｏｎ　ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ　ｉｓ　ｏｎｅ　ｗｉｄｅ—ｂａｎｄ　ｇａｐ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ．Ｉｔｓ　ｂａｎｄ　ｇａｐ　ｃａｎ　ｂｅ　ｔａｉ－　ｏｆ　ｔｈｅ　ｂｅｓｔ　ｏｐｔｉｏｎｓ　ｆｏｒ　ｃｏｍｍｅｒｃｉａｌｉｚａｔｉｏｎ，ｈａｖｉｎｇ　ｔｈｅ　ｌｏｒｅｄ　ｂｅｔｗｅｅｎ　１．４５　ｅＶ（ＣｄＴｅ）ａｎｄ　２．２６　ｅＶ（ＺｎＴｅ）　ａｄｖａｎｔａｇｅｓ　ｏｆ　ｓｉｍｐｌｅ　ａｎｄ　ｌｏｗ　ｃｏｓｔ　ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔａｔｉｏｎ，　ｂｙ　ａｄｊｕｓｔｉｎｇ　ｔｈｅ　ｆｉｌｍ　ｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎ．ＣＺＴ　ｉｓ　ｏｎｅ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｇｏｏｄ　ｒｅｐｒｏｄｕｃｉｂｉｌｉｔｙ，ｈｉｇｈ　ｅｆｉｆｃｉｅｎｃｙ　ｏｆ　ｍａｔｅｒｉａｌ　ｕｔｉｌｉｚａ—　ｉｍｐｏｒｔａｎｔ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　ｍａｔｅｒｉａｌｓ　ｕｓｅｄ　ｉｎ　ｔｈｅ　ｔｏｐ　ｃｅｌｌ　ｔｉｏｎ　ａｎｄ　ｈｉ　ｇｈ　ｇｒｏｗｔｈ　ｒａｔｅ．　ｏｆ　ｔａｎｄｅｍ　ｓｏｌａｒ　ｃｅｌｌｓ，ｅｌｅｃｔｒｏ—ｏｐｔｉｃａｌ　ｍｏｄｕｌａｔｏｒｓ，ｐｈｏ—　Ｉｎ　ｏｒｄｅｒ　ｔｏ　ｇｅｔ　ＣＺＴ　ｆｉｌｍｓ　ｗｉｔｈ　ｄｅｓｉｒａｂｌｅ　ｐｒｏｐｅｒ—　ｔｏｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ，ｌｉｇｈｔ　ｅｍｉｔｔｉｎｇ　ｄｉｏｄｅｓ，Ｘ—ｒａｙ　ａｎｄ　ｇａｍｍａ　ｔｉｅｓ，ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ　ＲＦ　ｍａｇｎｅｔｒｏｎ　ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ　ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ　ｒａｙ　ｄｅｔｅｅｔｏｒｓ．ｅｔｅ．［　４。．　ｈａｖｅ　ｂｅｅｎ　ａｐｐｌｉｅｄ．ＣＺＴ　ｆｉｌｍｓ　ｗｅｒｅ　ｐｒｅｐａｒｅｄ　ｕｓｉｎｇ　ｉｎ—　Ｉｎ　ｒｅｃｅｎｔ　ｙｅａｒｓ，ｒｅｓｅａｒｃｈ　ａｎｄ　ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ　ｏｆ　ＣＺＴ　ｔｅｒｄｉｆｆｕｓｉｏｎ　ｏｆ　ｓｐｕｔｔｅｒｅｄ　ｌａｙｅｒｓ　ｏｆ　ＣｄＴｅ　ａｎｄ　ＺｎＴｅ　Ｅ　．　Ｒｅｃｅｉｖｅｄ　ｄａｔｅ：２０１２－０８－１３，ｒｅｖｉｓｅｄ　ｄａｔｅ：２０１２—１２・１０　收稿日期：２０１２－０８・１３，修回日期：２０１２－１２－１０　Ｆｏｕｎｄａｔｉｏｎ　ｉｔｅｍｓ：Ｓｕｐｐｏｓｅｄ　ｂｙ　ｔｈｅ　Ｋｎｏｗｌｅｄｇｅ　Ｉｎｎｏｖａｔｉｏｎ　Ｐｒｏｇｒａｍ　ｏｆ　Ｃｈｉｎｅｓｅ　Ａｃａｄｅｍｙ　ｏｆ　Ｓｃｉｅｎｃｅｓ（ＫＧＣＸ２　ＹＷ－３４７）　Ｂｉｏｇｒａｐｈｙ：ＣＡＯ　Ｈｏｎｇ（１９７７・），ｆｅｍａｌｅ，Ｐｈ．Ｄ．Ｒｅｓｅａｒｃｈ　ｆｉｅｌｄ　ｆｏｃｕｓ　ｏｎ　ｐｈｏｔｏｖｏｈａｉｃ　ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ　ａｎｄ　ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ．Ｅ－ｍａｉｌ：ｈｏｎｇｅａｏ０６０６＠ｙａｈｏｏ．ＣＯＢ．ｃｎ　９８　红外与毫米波学报　３２卷　ＣＺＴ　ｆｉｌｍｓ　ｗｅｒｅ　ａｌｓｏ　ｔｒｉｅｄ　ｂｙ　ＣＯ．ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ　ｆｒｏｍ　ａ　ＺｎＴｅ．　Ｃｄ　ｔａｒｇｅｔ＿ｏ　．Ｍｕｈｉｌａｙｅｒｅｄ　ＣｄＴｅ／Ｚｎ　ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ　ｗｅｒｅ　ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ　ｂｙ　ａ　ｍｕｈｉｌａｙｅｒ　ｍｅｔｈｏｄ　．Ｉｎ　ｔｈｉｓ　ｗｏｒｋ．　ＣＺＴ　ｆｉｌｍｓ　ｗｅｒｅ　ｇｒｏｗｎ　ｂｙ　ＲＦ　ｍａｇｎｅｔｒｏｎ　ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ　ｏｎ　ｇｌａｓｓ　ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ，ｕｓｉｎｇ　Ｃｄｏ　９６　Ｚｎｏ　０４　Ｔｅ　ｃｒｙｓｔａｌ　ｔａｒｇｅｔ　ｗｉｔｈ　５０　ｍｍ　ｄｉａｍｅｔｅｒ．Ｔｈｅ　ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ　ｏｆ　ｔｈｅ　ａｓ．　ｇｒｏｗｎ　ｆｉｌｍｓ　ｈａｖｅ　ｂｅｅｎ　ｉｎｖｅｓｔｉｇａｔｅｄ　ｂｙ　ｓｔｅｐ　ｐｒｏｆｉｌｏｍｅ．　ｔｅｒ，ＵＶ—ＶＩＳ—ＮＩＲ　ｓｐｅｃｔｒｏｐｈｏｔｏｍｅｔｅｒ．ＸＲＤ　ａｎｄ　ＳＥＭ．　１　Ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔａｌ　ＣＺＴ　ｆｉｌｍｓ　ｗｅｒｅ　ｆａｂｒｉｃａｔｅｄ　ｂｙ　ＲＦ　ｍａｇｎｅｔｒｏｎ　ｓｐｕｒ．　ｔｅｒｉｎｇ　ｏｎ　ｇｌａｓｓ　ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ．Ｔｈｅ　ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ　ｔａｒｇｅｔ　ｗａｓ　ｃｕｔ　ｆｒｏｍ　Ｃｄｏ　９６Ｚ“０　０４Ｔｅ　ｉｎｇｏｔ　ｗｉｔｈ　ｄｉａｍｅｔｅｒ　ｏｆ　５０　ｍｍ．Ｔｈｅ　ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ　ｃｈａｍｂｅｒ　ｗａｓ　ｅｖａｃｕａｔｅｄ　ｔｏ　８　ｐｒｅｓｓｕｒｅ　ｌｅｓｓ　ｔｈａｎ　３．０　Ｘ　１０。Ｐａ．Ａｒｇｏｎ（９９．９９９％）ｗａｓ　ａｄｍｉｔｔｅｄ　ｕｎｄｅｒ　ｃｏｎｔｒｏｌ（ｇａｓ　ｆｌｏｗ　２８．７　ｓｃｃｍ）ｔｈｒｏｕｇｈ　ａ　ｎｅｅｄｌｅ　ｖａｌｖｅ．Ｔｈｅ　ＲＦ　ｐｏｗｅｒｓ　ｕｓｅｄ　ｉｎ　ｔｈｅ　ｇｒｏｗｔｈ　ｐｒｏｃｅｓｓ　ｗｅｒｅ　２０　Ｗ，３６　Ｗ　ａｎｄ　５０　Ｗ　ａｔ　ｔｈｅ　ｗｏｒｋｉｎｇ　ｐｒｅｓｓｕｒｅ　２．４　Ｐａ．Ｔｈｅ　ｗｏｒｋｉｎｇ　ｐｒｅｓｓｕｒｅｓ　ｕｓｅｄ　ｉｎ　ｔｈｅ　ｇｒｏｗｔｈ　ｐｒｏｃｅｓｓ　ｗｅｒｅ　２．０　Ｐａ，２．４　Ｐａ　ａｎｄ　３．８　Ｐａ　ａｔ　ｔｈｅ　ＲＦ　ｐｏｗｅｒ　ｏｆ　３６　Ｗ．Ａ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ　ｔｉｍｅ　ｏｆ　３０　ｍｉｎ　ｗａｓ　ｕｓｅｄ．　ＣＺＴ　ｆｉｌｍｓ　ｗｅｒｅ　ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ　ａｔ　ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ　ｓｕｂｓｔｒａｔｅ　ｔｅｍｐｅｒ．　ａｔｕｒｅｓ：４７３　Ｋ，５７３　Ｋ　ａｎｄ　６７３　Ｋ　ａｔ　ｗｏｒｋｉｎｇ　ｐｒｅｓｓｕｒｅ　０ｆ　２．４　Ｐａ　ａｎｄ　ＲＦ　ｐｏｗｅｒ　ｏｆ３６　Ｗ．Ａ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ　ｔｉｍｅ　０ｆ　６０ｒａｉｎ　ｗａｓ　ｕｓｅｄ　ｉｎ　ｔｈｅ　ｇｒｏｗｔｈ　ｐｒｏｃｅｓｓ．Ａ　ｓｅｒｉｅｓ　ｏｆ　ＣＺＴ　ｉｆｌｍｓ　ｗｅｒｅ　ｐｒｅｐａｒｅｄ　ｂｙ　ｃｈａｎｇｉｎｇ　ｔｈｅ　ｐｒｏｃｅｓｓ　ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ　（ｓｅｅ　Ｔａｂｌｅ　１）．ＣＺＴ　ｆｌｍｓ　ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ　ａｔ　ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ　ｓｕｂ。　ｓｔｒａｔｅ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｓ　ｗｅｒｅ　ａｎｎｅａｌｅｄ　ｉｎ　ｈｉｇｈ　ｐｕｒｉｔｙ　ａｉｒ　ｆｏｒ　４０　ｍｉｎ　ａｔ　４７３　Ｋ．　Ｔａｂｌｅｌ　Ｔｈｅ　ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ　ｃｏｎｄｉｔｉｏｎｓ　ｏｆ　ＣＺＴ　ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍｓ　表Ｉ　ＣＺＴ薄膜的制备条件　２　Ｒｅｓｕｌｔｓ　ａｎｄ　ｄｉｓｃｕｓｓｉｏｎ　Ｆｉｇｕｒｅｓ　１—。３　ｓｈｏｗ　ｔｈｅ　ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ　ｓｐｅｃｔｒａ　ｆｏｒ　ＣＺＴ　ｆｉｌｍｓ　ｇｒｏｗｎ　ａｔ　ｖａｒｉｏｕｓ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ　ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ．Ｆｉｇ—　ｕｒｅ　４　ｓｈｏｗｓ　ｔｈｅ　ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ　ｓｐｅｃｔｒａ　ｏｆ　ｈｅａｔ—ｔｒｅａｔｅｄ　ＣＺＴ　ｓａｍｐｌｅｓ　ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ　ａｔ　ｖａｒｉｏｕｓ　ｓｕｂｓｔｒａｔｅ　ｔｅｍｐｅｒａ・　ｔｕｒｅｓ．Ｔｈｅ　ｓｐｅｃｔｒａ　ｈａｖｅ　ｃｏｎｓｉｓｔｅｎｔ　ｆｅａｔｕｒｅｓ，ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ　ｃｏｈｅｒｅｎｔ　ｄｉｓｔｒｉｃｔ，ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ　ｅｄｇｅ　ａｎｄ　ｆｕｌｌ　ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ　ａｒｅａ。Ｔｈｅ　ｄｉｆｆｅｒｅｎｃｅ　ｏｆ　ａｌｌ　ｓａｍｐｌｅｓ　ｌｉｅｓ　ｉｎ　ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ　ｅｄｇｅ　ｐｏｓｉｔｉｏｎ．Ａｃｃｏｒｄｉｎｇ　ｔｏ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　ｔｈｅｏｒｙ，ａｂ—　ｓｏｒｐｔｉｏｎ　ｅｄｇｅ　ｐｏｓｉｔｉｏｎ　ｃｏｒｒｅｓｐｏｎｄｓ　ｔｏ　ｂａｎｄ　ｇａｐ．　Ｆｉｇ．１　Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ　ｓｐｅｃｔｒａ　ｏｆ　ＣＺＴ　ｆｉｌｍｓ　ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ　ｕｎｄｅｒ　ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ　ｗｏｒｋｉｎｇ　ｐｒｅｓｓｕｒｅｓ　图１　不同工作气压条件下制备的ＣＺＴ薄膜的透射谱　ｉＦｇ．２　Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ　ｓｐｅｃｔｒａ　ｏｆ　ＣＺＴ　ｆｉｌｍｓ　ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ　ｗｉｔｈ　ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ　ＲＦ　ｐｏｗｅｒｓ　图２不同溅射功率条件下制备的ＣＺＴ薄膜的透射谱　Ｆｉｇ．３　Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ　ｓｐｅｃｔｒａ　ｏｆ　ＣＺＴ　ｆｉｌｍｓ　ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ　ａｔ　ｄｉｆ－　ｔｅｒｌｅｎｔ　ｓｕｂｓｔｒａｔｅ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｓ　图３　不同基片温度条件下制备的ＣＺＴ薄膜的透射谱　Ｔｈｅ　ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ　ｄａｔａ　ａｒｅ　ｕｓｅｄ　ｔｏ　ｃａｌｃｕｌａｔｅ　ａｂ　ｓｏｒｐｔｉｏｎ　ｃｏｅｆｉｆｃｉｅｎｔ　ｏｆ　ｔｈｅ　ＣＺＴ　ｆｉｌｍｓ　ａｔ　ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ　ｗａｖｅ—　２期　ＣＡＯ　Ｈｏｎｇ　ｅｔ　ａｌ：Ｅｆｆｅｃｔｓ　ｏｆ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ　ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ　ｏｎ　Ｃｄ１　Ｚｎ　Ｔｅ　ｆｉｌｍｓ　ｐｒｅｐａｒｅｄ　ｂｙ　ＲＦ　ｍａｇｎｅｔｒｏｎ　ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ　Ｆｉｇ．４　Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ　ｓｐｅｃｔｒａ　ｏｆ　ｈｅａｔ—ｔｒｅａｔｅｄ　ＣＺＴ　ｆｉｌｍｓ　ｄｅ—　ｐｏｓｉｔｅｄ　ａｔ　ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ　ｓｕｂｓｔｒａｔｅ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｓ　图４不同基片温度下制备的ＣＺＴ薄膜退火后的透射谱　ｌｅｎｇｔｈｓ．Ｔｈｅ　ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ　ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ　Ｏｔ　ｉｓ　ｇｉｖｅｎ　ｂｙ　ｔｈｅ　ｒｅ—　ｌａｔｉｏｎ［　：　，：Ｉｏｅｘｐ（一　ｄ）　，　（１）　ｗｈｅｒｅ　Ｉ　ｉｓ　ｔｈｅ　ｉｎｔｅｎｓｉｔ【Ⅲｕ＼　Ｊｙ　ｏｆ　ｔｒａｎｓｍｉｔｔｅｄ　ｌｉ／　＿【　【＾《　ｇｈｔ，Ｉ　ｉｓ　ｔｈｅ　ｉｎ—　ｔｅｎｓｉｔｙ　ｏｆ　ｉｎｃｉｄｅｎｔ　ｌｉｇｈｔ　ａｎｄ　ｄ　ｉｓ　ｔｈｅ　ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ　ｏｆ　ＣＺＴ　ｉｆｌｍｓ．　Ａｓ　ｔｈｅ　ｔｒａｎｓｍｉｔｔａｎｃｅ　ｉｓ　ｄｅｆｉｎｅｄ　ａｓ　Ｉ／ｌｏ，ｗｅ　ｏｂｔａｉｎ　ｒｆｏｍ　Ｅｑ．（１）．Ｉｎ　ｔｈｅ　ｈｉｇｈ　ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ　ｒｅｇｉｏｎ（Ｏｔ≥１０　ｃｍ　），ｔｈｅ　ｐｈｏｔｏｎ　ｅｎｅｒｇｙ　ｄｅｐｅｎｄｅｎｃｅ　ｏｆ　ｔｈｅ　ａｂｓｏｒｐ・　ｔｉｏｎ　ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ　ｃａｎ　ｂｅ　ｄｅｓｃｒｉｂｅｄ　ｂｙ　ｔｈｅ　ｑｕａｄｒａｔｉｃ　ｒｅｌａ—　ｔｉｏｎ［９ｌ：　（ａｈｖ）　＝Ａ（ｈｖ—Ｅ　）　，　（２）　ｗｈｅｒｅ　ｉｓ　ｔｈｅ　ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｉｎｃｉｄｅｎｔ　ｂｅａｍ，Ａ　ｉｓ　ａ　ｃｏｎｓｔａｎｔ　ａｎｄ　Ｅｇ　ｉｓ　ｔｈｅ　ｏｐｔｉｃａｌ　ｇａｐ．Ｓｏ　ｉｆ　ｗｅ　ｐｌｏｔ　（ａｈｖ）　ＶＳ砌ｔｈｅｎ　ｔｈｅ　ｉｎｔｅｒｃｅｐｔ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｓｔｒａｉｇｈｔ　ｌｉｎｅ　ｏｎ　ｔｈｅ砌ａｘｉｓ　ｇｉｖｅｓ　ＵＳ　ｔｈｅ　ｖａｌｕｅ　ｏｆ　ｂａｎｄ　ｇａｐ　Ｅ　．Ｐｌｏｔｓ　ｏｆ　（ａｈｖ）　ＶＳ　ｈｖ　ｆｏｒ　ＣＺＴ　ｆｉｌｍｓ　ａｒｅ　ｓｈｏｗｎ　ｉｎ　Ｆｉｇｓ．５～８．　ｒｅｓｐｅｃｔｉｖｅｌｙ．Ｉｎ　ｏｒｄｅｒ　ｔｏ　ｄｅｔｅｒｍｉｎｅ　ｔｈｅ　ｂａｎｄ　ｇａｐｓ　ｏｆ　ａｌｌ　ｓａｍｐｌｅｓ，ｐｌｏｔｓ　ｉｎ　Ｆｉｇｓ．５～８　ｗｅｒｅ　ｆｉｔｔｅｄ．Ｔａｂｌｅ　２　ｉｓ　ｔｈｅ　ｉｆｔｔｉｎｇ　ｒｅｓｕｌｔｓ　ｏｆ　ＣＺＴ　ｔｈｉｎ　ｉｆｌｍｓ．　Ｔｈｅ　ｄｉｒｅｃｔ　ｂａｎｄ　ｇａｐｏｆ　ｔｈｅ　ＣＺＴ　ｆｉｌｍ　ｉｎｃｒｅａｓｅｓ　．ｗｉｔｈ　ｔｈｅ　ｉｎｃｒｅａｓｅ　ｏｆ　ＲＦ　ｐｏｗｅｒ　ａｎｄ　ｄｅｃｒｅａｓｅｓ　ｗｉｔｈ　ｔｈｅ　ｉｎｃｒｅａｓｅ　ｏｆ　ｗｏｒｋｉｎｇ　ｐｒｅｓｓｕｒｅ．　Ｄｕｅ　ｔｏ　ｔｈｅ　ｄｉｆｆｅｒｅｎｃｅ　ｏｆ　Ａｒ　ｐｌａｓｍａ　ｏｎ　ｔｈｅ　ｅｎｅｒｇｙ　ｔｒａｎｓｆｅｒ　ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ　ｏｆ　Ｃｄ，Ｚｎ　ａｎｄ　Ｔｅ　ａｔｏｍｓ，ｉｎ　ｔｈｅ　ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ　ｐｒｏｃｅｓｓ，ｔｈｅ　ｑｕａｎｔｉｔａｔｉｖｅ　ｒｅｌａｔｉｏｎｓｈｉｐ　ｉｓ［１ｏ］：　４ＭｌＭ２　，　（３）　ｗｈｅｒｅ　Ｍ１　ｉｓ　ｔｈｅ　ｑｕａｌｉｔｙ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｉｎｃｉｄｅｎｔ　ｉｏｎ（Ａｒ　），Ｍ２　ｉｓ　ｔｈｅ　ｑｕａｌｉｔｙ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｔａｒｇｅｔ　ａｔｏｍ．Ｅｎｅｒｇｙ　ｔｒａｎｓｆｅｒ　ｃｏｅｆｆｉ．　ｃｉｅｎｔ　ｏｆ　Ａｒ　ｏｎ　ｅａｃｈ　ａｔｏｍ　ｃａｎ　ｂｅ　ｃｏｍｐｕｔｅｄ　ａｃｃｏｒｄｉｎｇ．　ｈｖ／ｅＶ　Ｆｉｇ．５（ａｈｖ）。ＶＳ　ｈｖ　ｐｌｏｔｓ　ｏｆＣＺＴ　ｔｈｉｎ　ｉｆｌｍｓ　ｄｅｐｏｓ—　ｉｔｅｄ　ｕｎｄｅｒ　ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ　ｗｏｒｋｉｎｇ　ｐｒｅｓｓｕｒｅｓ　图５不同工作气压条件下制备的ＣＺＴ薄膜带隙　的拟合结果　＿【ｇ。／．￣３Ｊ～邕＿【　《３　＾ｇ。／＞０　０＿ｈｖ／ｅＶ　Ｆｉｇ．６（ａｈｖ）　ＶＳ　ｈｖ　ｐｌｏｔｓ　ｏｆ　ＣＺＴｔｈｉｎ　ｉｆｌｍｓ　ｄｅｐｏｓｉ．　ｔｅｄ　ｗｉｔｈ　ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ　ＲＦ　ｐｏｗｅｒｓ　图６不同溅射功率条件下制备的ＣＺＴ薄膜带隙　的拟合结果　ｈｖ／ｅＶ　Ｆｉｇ．７（ｏｔｈｖ）　ＶＳ　ｈｖ　ｐｌｏｔｓ　ｏｆ　ＣＺＴ　ｔｈｉｎ　ｉｆｌｍｓ　ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ　ａｔ　ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ　ｓｕｂｓｔｒａｔｅ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｓ　图７不同基片温度条件下制备的ＣＺＴ薄膜带隙的　拟合结果　ｌｙ：　ｚ　＝０．９４，ＹＡＴ＝—ｃｄ＝０．７８，　Ａｒ一　０．７３．Ｓｏ　Ｚｎ　ａｔｏｍ　ｓｈｏｗｓ　ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ　ａｄｖａｎｔａｇｅ　ｉｎ　ｔｈｅ　ｓｐｕｔｔｅｒｅｄ　ｆｉｌｍｓ．　Ａｓ　ＲＦ　ｐｏｗｅｒ　ｉｎｃｒｅａｓｅｓ．ｔｈｅ　ａｖｅｒａｇｅ　ｅｎｅｒｇｙ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｓｐｕｔｔｅｒｅｄ　ｐａｒｔｉｃｌｅｓ　ｉｓ　ａｌｓｏ　ｅｎｈａｎｃｅｄ．Ｗｈｅｎ　ｔｈｅ　ｗｏｒｋｉｎｇ　【．ｚ　２期　ＣＡＯ　Ｈｏｎｇ　ｅｔ　ａｌ：Ｅｆｆｅｃｔｓ　ｏｆ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ　ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ　ｏｎ　Ｃｄ１一Ｚｎ　Ｔｅ　ｆｉｌｍｓ　ｐｒｅｐａｒｅｄ　ｂｙ　ＲＦ　ｍａｇｎｅｔｒｏｎ　ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ　１０１　ｐｏｓｉｔｅｄ　ｆｉｌｍｓ　ａｒｅ　ｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ　ｗｉｔｈ　ｐｒｅｆｅｒｅｎｔｉａｌ　ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ　ｏｎ　ｇｌａｓｓ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ　ｆｒｏｍ　ｔｈｅ　Ｃｄｏ　９６　Ｚｎ０　ｏ４　Ｔｅ　ｃｒｙｓｔａｌｓ　ｔａｒｇｅｔ　ａｔ　ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ　ｐｒｏｃｅｓｓ　ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ．Ｔｈｅ　ｄｅ—　ｐｏｓｉｔｅｄ　ｆｉｌｍｓ　ａｒｅ　ｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ　ｗｉｔｈ　ｐｒｅｆｅｒｅｎｔｉａｌ　（１　１　１）ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ，ｉｔ　ｉｎｄｉｃａｔｅｓ　ｔｈａｔ　ｔｈｅ　ｇｒｏｗｔｈ　ｏｆ　ＣＺＴ　ｉｌｆｍ　ａｔ　ｌｏｗ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　ｉｓ　ｋｉｎｅｔｉｃａｌｌｙ　ｌｉｍｉｔｅｄ．Ｉｎ　ｔｈｅ　ｃａｓｅ　ｏｆ　ｋｉｎｅｔｉｃａｌｌｙ　ｌｉｍｉｔｅｄ　ｇｒｏｗｔｈ，ｉｔ　ｍａｙ　ｂｅ　ｅｘｐｅｃｔｅｄ　ｔｈａｔ　ｇｒａｉｎｓ　ｗｉｔｈ　ａ　ｆａｓｔｅｒ　ｇｒｏｗｉｎｇ　ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ　ｍａｙ　ｇｒｏｗ　ａｔ　ｔｈｅ　ｅｘｐｅｎｓｅ　ｏｆ　ｏｔｈｅｒｓ［。　．（１　１　１）ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ．Ｔｈｅ　ｂａｎｄ　ｇａｐ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ　ｉｆｌｍｓ　ｉｎｃｒｅａｓｅｓ　ａｓ　ＲＦ　ｐｏｗｅｒ　ｉｎｃｒｅａｓｅｓ．Ｔｈｅ　ｂａｎｄ　ｇａｐ　ｏｆ　ｔｈｅ　Ｔｈｉｓ　ｗｉｌｌ　ｒｅｓｕｌｔ　ｉｎ　ａ　ｇｒａｄｕａｌ　ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ　ｉｌｆｍｓ　ｄｅｃｒｅａｓｅｓ　ｗｉｔｈ　ｉｎｃｒｅａｓｉｎｇ　ｗｏｒｋｉｎｇ　ｐｒｅｓ—　ｓｕｒｅ　ｏｒ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ．Ｈｅａｔ　ｔｒｅａｔｍｅｎｔ　ｈａｓ　ａｎ　ｉｎｃｒｅａｓｅ　ｉｎ　ｇｒａｉｎ　ｓｉｚｅ．Ａｎ　ａｄｄｉｔｉｏｎａｌ　ｆａｃｔｏｒ　ｉｓ　ｔｈａｔ　ｒｅ—　ｃｒｙｓｔａｌｌｉｓａｔｉｏｎ　ａｎｄ　ｇｒａｉｎ　ｇｒｏｗｔｈ　ｍａｙ　ｔａｋｅ　ｐｌａｃｅ　ｄｙｎａｍｉ—　ｃａｌｌｙ　ｄｕｒｉｎｇ　ｇｒｏｗｔｈ，ｅｓｐｅｃｉａｌｌｙ　ａｔ　ｈｉｇｈ　ｇｒｏｗｔｈ　ｔｅｍｐｅｒａ－　ｔｕｒｅ．　ｉｍｐｏｒｔａｎｔ　ｉｎｆｌｕｅｎｃｅ　ｏｎ　ＣＺＴ　ｆｉｌｍｓ　ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ　ａｔ　ｓｕｂｓｔｒａｔｅ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　ｂｅｌｏｗ　ｔｈｅ　ａｎｎｅａｌｉｎｇ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ．Ｂｙ　ａｄ—　ｊｕｓｔｉｎｇ　ｔｈｅ　ｈｅａｔ　ｔｒｅａｔｍｅｎｔ　ａｎｄ　ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ　ｃｏｎｄｉｔｉｏｎｓ，　ｔｈｅ　ｂａｎｄ　ｇａｐ　ｏｆ　ｒｅｓｐｅｃｔｉｖｅ　ＣＺＴ　ｆｉｌｍｓ　ｃａｎ　ｂｅ　ｔｕｎｅｄ　ｒｏｍ　ｆ１．４５　ｔ０　２．０２　ｅＶ．　Ｂｅｃａｕｓｅ　ｔｈｅ　ｓｔｉｃｋｉｎｇ　ｃｏｅｆｉｃｉｅｎｔ　ｏｆ　Ｚｎ　ａｔｏｍ　ｉｓ　ｌｅｓｓ　ｆｔｈａｎ　Ｃｄ　ａｎｄ　Ｔｅ　ａｔｏｍｓ，ｗｈｅｎ　ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ　ｐｏｗｅｒ　ａｎｄ　ｗｏｒｋｉｎｇ　ｐｒｅｓｓｕｒｅ　ａｒｅ　ｃｏｎｓｔａｎｔ，ｗｉｔｈ　ｔｈｅ　ｉｎｃｒｅａｓｉｎｇ　ｏｆ　ＲＥＦＥＲＥＮＣＥＳ　ｓｕｂｓｔｒａｔｅ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ，ａｄｈｅｓｉｏｎ　ｏｆ　Ｚｎ　ａｔｏｍ　ｏｎ　ｔｈｅ　ｓｕｂ－　ｓｔｒａｔｅ　ｂｅｃｏｍｅｓ　ｐｏｏｒ．Ｓｏ　ｔｈｅ　ｂａｎｄ　ｇａｐ　ｏｆ　ｔｈｅ　ＣＺＴ　ｆｉｌｍ　ｄｅｃｒｅａｓｅｓ　ｗｉｔｈ　ｔｈｅ　ｉｎｃｒｅａｓｅ　ｏｆ　ｓｕｂｓｔｒａｔｅ　ｔｅｍｐｅｒａ—　ｔｕｒｅ【ｌ２］．　［１］Ｚｅｎｇ　Ｄ　Ｍ，Ｊｉｅ　Ｗ　Ｑ，Ｚｈｏｕ　Ｈ，ｅｔ　ａ１．Ｅｆｆｅｃｔｓ　ｏｆ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｓ　ｏｎ　ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ　ａｎｄ　ｐｈｙｓｉｃａｌ　ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　ｏｆ　Ｃｄ１Ｚｎ　Ｔｅ　ｆｉｌｍｓ　ｐｒｅｐａｒｅｄ　ｂｙ　ＲＦ　ｍａｇｎｅｔｒｏｎ　ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ［Ｊ］．Ⅳｕ—　ｃｌｅａｒ　Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ　ａｎｄ　Ｍｅｔｈｏｄｓ　ｉｎ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　Ｒｅｓｅａｒｃｈ　Ｓｅｃｔｉｏｎ　Ｉｔ　ｍａｙ　ｂｅ　ｏｂｓｅｒｖｅｄ　ｔｈａｔ　ｔｈｅ　ｅｆｆｅｃｔ　ｏｆ　ｈｅａｔ　ｔｒｅａｔ—　ｍｅｎｔ　ｏｎ　ｔｈｅ　ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ　ｓｐｅｃｔｒｕｍ　ｏｆ　ｒｅｓｐｅｃｔｉｖｅ　ｓａｍｐｌｅ　ｉｓ　ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ．Ｔｈｅ　ｈｅａｔ　ｔｒｅａｔｍｅｎｔ　ｄｅｔｅｒｍｉｎｅｓ　ｔｈｅ　ｆｉｌｍ　Ａ。２０１０，６１４（１）：６８—７１．　［２］Ｐａｎｉｎ　Ｇ　Ｎ，Ｄｉａｚ．Ｇｕｅｒｒａ　Ｃ，Ｐｉｑｕｅｒａｓ　Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　ｂｅａｍ　ｉｎ．　ｄｕｃｅｄ　ｃｕｒｒｅｎｔ　ａｎｄ　ｓｃａｎｎｉｎｇ　ｔｕｎｎｅｌｌｉｎｇ　ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ　ｃｏｒｒｅｌａ—　ｔｉｖｅ　ｓｔｕｄｙ　ｏｆ　Ｃｄ　ＨｇＩ．ｘ　Ｔｅ　ａｎｄ　ＣｄＴｅ　ｃｒｙｓｔａｌｓ［Ｊ］．Ｓｅｍｉｃｏｎ—　ｄｕｃｔｏｒ　Ｓｃｉｅｎｃｅ　ａｎｄ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，１９９８，１３（６）：５７６—５８２．　［３］Ｓｉｎｇｈ　Ｍ，Ａ１．Ｄａｙｅｈ　Ｌ，Ｐａｔｅｌ　Ｐ　ｅｔ　ａ１．Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ　ｏｆ　ｈｅａｄ　ｍｏｖｅｍｅｎｔｓ　ｉｎ　ｍｕｌｔｉ－・ｓｌｉｃｅ　ＥＰＩ　ａｎｄ　ｓｉｎｇｌｅ－－ｓｌｉｃｅ　ｇｒａｄｉｅｎｔ－－ｅｃｈｏ　ｔｒａｎｓｍｉｔｔａｎｃｅ，ｆｉｒｓｔ　ｉｎｃｒｅａｓｅｓ（ｕｐ　ｔｏ　ａｎ　ｓｕｂｓｔｒａｔｅ　ｔｅｍ—　ｐｅｒａｔｕｒｅ　ｏｆ　ａｂｏｕｔ　５７３　Ｋ）ｔｈｅｎ　ｄｅｃｒｅａｓｅｓ（Ｆｉｇ．４）．Ｔｈｅ　ｉｍｐｒｏｖｅｍｅｎｔ　ｏｆ　ｆｉｌｍ　ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｉｔｙ　ｄｕｒｉｎｇ　ｈｅａｔ　ｔｒｅａｔｍｅｎｔ　ａｎｄ　ｔｈｅ　ｆｏｒｍａｔｉｏｎ　ｏｆ　ｔｈｅ　ＺｎＯ　ｃｏｍｐｏｕｎｄ，ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ　ｉｎ　ｔｈｅ　ｖｉｓｉｂｌｅ　ｒｅｇｉｏｎ，ｄｅｔｅｒｍｉｎｅ　ｔｈｅ　ｉｎｃｒｅａｓｉｎｇ　ｏｆ　ｔｒａｎｓｍｉｔ－　ｆｕｎｃｔｉｏｎａｌ　ＭＲＩ［Ｊ］．ＩＥＥＥ　Ｔｒａｎｓ．Ｎｕｃ１．Ｓｃｉ，１９９８，４５　（４）：２１６２—２１６７．　［４］ｖａｎ　Ｐａｍｅｌｅｎ　Ｍ　Ｊ　Ａ，Ｂｕｄｔｚ—Ｊｏｒｇｅｎｓｅｎ　Ｃ．Ｎｏｖｅｌ　ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ　ｇｅ—　ｏｍｅｔｙ　ｔｒｏ　ｉｍｐｒｏｖｅ　ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ　ｏｆ　ＣｄＺｎＴｅ　ｄｅｔｅｃｔｏｒｓ『Ｊ　１．　Ｎｕｃｌｅａｒ　Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ　ａｎｄ　Ｍｅｔｈｏｄｓ　ｉｎ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　Ｒｅｓｅａｒｃｈ　Ｓｅｃｔｉｏｎ　ｔａｎｃｅ　ｆｏｒ　ｔｈｅｓｅ　ｓａｍｐｌｅｓ．Ｉｎ　ｔｈｅ　ｃａｓｅ　ｏｆ　ｓａｍｐｌｅ　８＃．ｄｕｒ－　ｉｎｇ　ｈｅａｔ　ｔｒｅａｔｍｅｎｔ，ｔｈｅ　ｐｒｅｃｉｐｉｔａｔｉｏｎ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｒｅｍａｉｎｉｎｇ　Ａ，１９９８，４０３（２＿３）：３９０—３９８．　［５］Ｂａｎｅｕｅｅ　Ｐ　Ｓ，Ｇａｎｇｕｌｙ　Ｒ，Ｇｈｏｓｈ　Ｂ．Ｏｐｔｉｃａｌ　ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　ｏｆ　Ｃｄ１　Ｚｎ　Ｔｅ　ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍｓ　ｆａｂｒｉｃａｔｅｄ　ｔｈｒｏｕｇｈ　ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ　ｏｆ　ｃｏｎ—　ｔｅｌｌｕｒｉｕｍ　ｅｘｃｅｓｓ　ｉｎｄｕｃｅｓ　ａ　ｒｅｄｕｃｔｉｏｎ　ｏｆ　ｆｉｌｍ　ｔｒａｎｓｍｉｔ．　ｔａｎｃｅ，ｄｕｅ　ｔｏ　ｔｈｅ　ｓｔｒｏｎｇ　ｏｐｔｉｃａｌ　ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ　ｏｆ　ｔｅｌｌｕｒｉｕｍ　ｉｎ　ｔｈｉｓ　ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ　ｒａｎｇｅ．　ｐｏｕｎｄ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ［Ｊ］．Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｓｕ咖ｃｅ　Ｓｃｉｅｎｃｅ，２００９，　２５６（１）：２１３—２１６．　Ｔｈｅ　ｏｂｔａｉｎｅｄ　ｖａｌｕｅｓ　ｏｆ　ｂａｎｄ　ｇａｐｓ　ｏｆ　ＣＺＴ　ｓａｍｐｌｅｓ　ａｎｎｅａｌｅｄ　ａｒｅ　ｌｉｓｔｅｄ　ｉｎ　Ｔａｂｌｅ　２．Ｔｈｅ　ｈｅａｔ　ｔｒｅａｔｍｅｎｔ　ａｆ－　ｆｅｃｔｓ　ｔｈｅ　ｂａｎｄ　ｇａｐｓ　ｏｆ　ＣＺＴ　ｉｌｆｍｓ　ｉｎ　ａ　ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ　ｍａｎｎｅｒ，　ｄｅｐｅｎｄｉｎｇ　ｏｎ　ｔｈｅ　ｓｕｂｓｔｒａｔｅ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｓ．Ｆｏｒ　ＣＺＴ　ｆｉｌｍ　ｄｅｐｏｓｉｔｅｄａｔ　４７３　Ｋ，ｔｈｅ　ｖａｌｕｅ　ｏｆ　ｂａｎｄ　ｇａｐ　ｄｅｃｒｅａｓｅｓ　．［６］Ｂｅｃｅｒｒｉｌ　Ｍ，Ｐｉｃｏｓ—Ｖｅｇａ　Ａ，Ｚｅｌａｙａ—Ａｎｇｅｌ　Ｏ．Ｓｔｕｄｉｅｓ　ｏｎ　Ｉｎ　ｄｏｐｅｄ　ＣｄＴｅ　ｃｏ—ｓｐｕｔｔｅｒｅｄ　ｆｉｌｍｓ［Ｊ］．Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　ａｎｄ　Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ　ｆＳｏｌｏｉｄｓ，１９９９，６０（２）：２５７—２６５．　［７］Ｒｕｓｕ　Ｇ　Ｇ．，Ｒｕｓｕ　Ｍ，Ｇｉ￣ａｎ　Ｍ．Ｏｐｔｉｃａｌ　ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎ　ｏｆ　ｖａｃｕｕｍ　ｅｖａｐｏｒａｔｅｄ　ＣｄＺｎＴｅ　ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍｓ　ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ　ｂｙ　ａ　ｍｕｌｔｉ—　ｌａｙｅｒ　ｍｅｔｈｏｄ［Ｊ］．Ｖａｃｕｕｍ，２００７，８１（１１—１２）：１４７６—　１４７９．　ｆｒｏｍ　ａｂｏｕｔ　１．８５　ｅＶ　ｔｏ　１．５５　ｅＶ　ａｆｔｅｒ　ｈｅａｔ　ｔｒｅａｔｍｅｎｔ．Ｉｎ　［８］Ｓｗａｎｅｐｏｅｌ　Ｒ．Ｄｅｔｅｒｍｉｎａｔｉｏｎ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ　ａｎｄ　ｏｐｔｉｃａｌ　ｃｏｎｓｔａｎｔｓ　ｏｆ　ａｍｏｒｐｈｏｕｓ　ｓｉｌｉｃｏｎ　　ｌＪ　１．　Ｐ　．Ｅ：Ｓｃｉ．Ｉｎ．　ｓｔｒｕｍ，１９８３，１６（１２）：１２１４—１２２２．　ｔｈｅ　ｃａｓｅ　ｏｆ　ＣＺＴ　ｆｉｌｍｓ　ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ　ａｔ　ｈｉｇｈｅｒ　ｓｕｂｓｔｒａｔｅ　ｔｅｒｎ—　ｐｅｒａｔｕｒｅ，ｔｈｅ　ｖａｒｉａｔｉｏｎ　ｏｆ　ｂａｎｄ　ｇａｐ　ａｓ　ａ　ｃｏｎｓｅｑｕｅｎｃｅ　ｏｆ　１　９　ｌ　Ｄｗｉｖｅｄｉ　Ｄ　Ｋ，Ｄａｙａｓｈａｎｋａｒ，Ｄｕｂｅｙ　Ｍ．Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ，ｃｈａｒａｃ—　ｔｅｒｉｚａｔｉｏｎ　ａｎｄ　ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ　ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　ｏｆ　ＺｎＴｅ　ｎａｎｏｐａｒｔｉｅｌｅｓ　ｔｈｅ　ｈｅａｔ　ｔｒｅａｔｍｅｎｔ　ｉｓ　ｍｕｃｈ　ｌｏｗｅｒ．Ａｎｎｅａｌｉｎｇ　ｈａｓ　ｇｒｅａ—　ｔｅｒ　ｉｍｐａｃｔ　ｏｎ　ＣＺＴ　ｆｉｌｍｓ　ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ　ａｔ　ｓｕｂｓｔｒａｔｅ　ｔｅｍｐｅｒａ—　［Ｊ］．Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆＯｖｏｎｉｃ　Ｒｅｓｅａｒｃｈ，２００９，５（１）：３５—４１．　［１０］Ｗｉｎｔｅｒｓ　Ｈ　Ｆ，Ｓｉｇｍｕｎｄ　Ｐ．Ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ　ｏｆ　ｃｈｅｍｉｓｏｒｂｅｄ　ｇａｓ　（ｎｉｔｒｏｇｅｎ　ｏｎ　ｔｕｎｇｓｔｅｎ）ｂｙ　ｌｏｗ—ｅｎｅｒｇｙ　ｉｏｎｓ［Ｊ］．ＪＡｐｐｌ　Ｐ　，１９７４，４５（１１）：４７６０—４７６７．　ｔｕｒｅ　ｂｅｌｏｗ　ｔｈｅ　ａｎｎｅａｌｉｎｇ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ．　３　Ｃｏｎｃｌｕｓｉｏｎｓ　ＣＺＴ　ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍｓ　ｗｅｒｅ　ｏｂｔａｉｎｅｄ　ｂｙ　ＲＦ　ｍａｇｎｅｔｒｏｎ　［１１］Ｃｏｕｓｉｎｓ　Ｍ　Ａ，Ｄｕｒｏｓｅ　Ｋ．Ｇｒａｉｎ　ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ　ｏｆ　ＣｄＴｅ　ｉｎ　ＣＳＳ．　ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ　ｃｄＴｅ／ｃｄｓ　ｓｏｌａｒ　ｃｅｌｌｓ［Ｊ］．ｚ　ｎ　ｓ０ｚ　ｄ　Ｆｉｌｍｓ，　２０００。３６１—３６２：２５３—２５７．　［１２］Ｓａｍａｎｔａ　Ｂ．Ｃｌａｓｓｉｃ　ｄａｔａ　ｓｔｒｃｔｕｕｒｅｓ［Ｍ］．Ｐｒｅｎｔｉｃｅ－ＨａＵ　ｏｆ　Ｉｎｄｉａ　Ｐｖｔ．Ｌｔｄ，１９９５：３３９—３４３．