专利名称：在晶片上制造对准标记的方法以及对准标记的结构专利类型：发明专利发明人：李洪涛
申请号：CN201710830577.9申请日：20170915公开号：CN109509738A公开日：20190322
摘要：本发明公开一种在晶片上制造对准标记的方法以及对准标记的结构，在晶片上制造对准标记的方法包括在晶片上图案化出网状的划线，其中所述划线定义出多个元件区域。对所述晶片进行第一注入制作工艺，以在所述划线内形成多个注入标记于所述晶片中。对所述晶片进行第二注入制作工艺，其中所述第二注入制作工艺的位置是依据所述多个注入标记的位置为参考。本发明也提出对准标记的结构。
申请人：联华电子股份有限公司
地址：中国台湾新竹市
国籍：TW
代理机构：北京市柳沈律师事务所
代理人：陈小雯
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