专利名称：功率晶体管及使用它的半导体集成电路专利类型：发明专利发明人：前田晃幸
申请号：CN200310122558.9申请日：20031211公开号：CN1507070A公开日：20040623
摘要：提供一种功率晶体管，还有使用该功率晶体管的半导体集成电路，在该晶体管中可防止寄生PNP晶体管的不正常起动和由于周边电路闭塞引起的电路故障。在由配置在P型硅基底上的多个垂直式PNP晶体管组成的功率晶体管中，在功率晶体管的有源区中制作了为把P型硅基底与多个垂直式PNP晶体管的集电极彼此隔离开来而形成的N型隐埋层的单个或多个电极部分。
申请人：夏普株式会社
地址：日本大阪府
国籍：JP
代理机构：上海专利商标事务所
代理人：李家麟
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