专利名称：一种硅单晶生长用勾形电磁场装置专利类型：实用新型专利发明人：张鸣剑,李润源,付宗义申请号：CN200920107968.9申请日：20090511公开号：CN201400727Y公开日：20100210
摘要：一种硅单晶生长用勾形电磁场装置，在单晶炉的外围设有上下分离的两组导电线圈，所述两组导电线圈结构相同，分别接通大小相等，方向相反的电流。两组导电线圈通电后可以产生两组磁场，单晶炉处于两组磁场之中，两组磁场可以有效地抑制单晶炉中单晶硅生长时的热对流作用，使单晶硅杂质含量均匀分布，显著改善晶体质量，实现单晶硅的等效微重力生长。
申请人：北京京仪世纪自动化设备有限公司
地址：100079 北京市丰台区永外宋家庄苇子坑2号
国籍：CN
代理机构：北京凯特来知识产权代理有限公司
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