专利名称：一种铟管靶及其制备方法专利类型：发明专利发明人：曹兴民
申请号：CN202010876915.4申请日：20200827公开号：CN112030119A公开日：20201204
摘要：本发明公开了一种铟管靶及其制备方法，该铟管靶包括圆柱形或圆管形的衬管和设置在所述衬管外的铟料层，其晶粒尺寸小于等于500微米；所述铟管靶的氧含量不大于50ppm；铟管靶的金属杂质含量不大于100ppm。其制备方法包括以下步骤：1）固定衬管；2）浇注，形成铟料层；3）自然冷却；4）塑形加工；5）对所述铟料层进行车削加工；6）抛光处理，以使得所述铟管靶的粗糙度小于等于Ra1.6μm；7）用盐酸腐蚀所述铟管靶的表面，显现晶粒晶界，以检验晶粒平均大小。本发明的晶粒尺寸小于等于500微米、大小均匀，而且内部无缺陷；此铟管靶在溅射过程中，镀膜沉积厚度均匀，并减少打弧放电的次数，可广泛适用于手机外壳溅镀的非导电金属膜和CIGS薄膜太阳能电池。
申请人：苏州思菲科新材料科技有限公司
地址：215000 江苏省苏州市相城区黄埭镇春丰路406号康阳大厦13层1309室
国籍：CN
代理机构：上海得民颂知识产权代理有限公司
代理人：孙刚
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