二极管封装大全

2024-10-18 来源：威能网

军用电子器件目录

JUN YONG DIAN ZI QI JIAN MU LU

（2005年版）

济南半一电子有限公司

半导体器件选用注意事项·············································1 第一部分：二极管···················································8

一. 开关二极管································································8

1. 锗金键开关二极管2AK1～20系列·········································8 2. 锗金键检波二极管2AP1～31B系列········································9 3. 肖特基检波二极管SP1～31B系列（替代2AP1～31B）·······················10 4. 肖特基开关二极管SK1～20系列（替代2AK1～20）·························11 5. 肖特基开关检波二极管2DKOlO、020、O3O型（替代2AK1～20、2AP1～31B）··12 6. 硅开关二极管2CK70～86、2CK49～56系列································13 7. 硅开关二极管1N、1S、1SS、BAV系列····································16 8. 玻璃钝化封装大电流开关二极管RG0.5～5系列····························17 二. 整流二极管·······························································18

1. 玻封快速硅整流二极管2CZ50～57系列···································18 2. 玻璃钝化整流管1N、RL、6A系列········································19 3. 玻璃钝化高速整流管SF11G～66G系列····································20 4. 贴片玻璃钝化整流管S1～5系列·········································21 5. 贴片高速整流管ES1～5系列············································22 6. 肖特基二极管SR0620～510、1N5817～5822系列···························23 7. 肖特基二极管SR735～4060系列·········································24 8. 贴片肖特基二极管SS1～36、SS110系列··································25 三. 电压调整（稳压）二极管···················································26

1. 硅稳压二极管2CW50～78系列···········································26

2. 硅稳压二极管2CW100～121系列·········································27 3. 硅稳压二极管ZW50～78系列············································28 4. 硅稳压二极管ZW100～121系列··········································29 5. 硅稳压二极管2CW5221～5255（1N5221～5255）系列·······················30 6. 硅稳压二极管2CW4728A～4754A（1N4728A～4754A）系列···················31 7. 硅稳压二极管1N746A～759A、1N957A～974A系列··························32 8. 硅稳压二极管1N4352B～4358B系列······································33 9. 硅稳压二极管HZ2～36系列·············································34 10. 硅稳压二极管BZX55/C系列············································35 11. 硅稳压二极管BZX85/C系列············································36 四. 电压基准二极管···························································37

1. 硅基准稳压二极管2DW14～18系列·······································37 2. 硅平面温度补偿二极管2DW230～236系列·································38 五. 电流调整（稳流）二极管···················································39

1. 稳流管2DH1～36系列···················································39 六. 瞬变电压抑制二极管·······················································40

1. 单双向瞬变电压抑制二极管TVS500～534系列·····························40 2. 单双向瞬变电压抑制二极管TVS1000～1034系列···························41 3. 单双向瞬变电压抑制二极管TVS1500～1534系列···························42 4. 单双向瞬变电压抑制二极管TVS5000～5034系列···························43

第二部分：晶体管··················································44

一. 双极型晶体管·····························································44

1. 硅NPN型平面高频小功率三极管3DG110、3DG111、3DG130系列·············44 2. 硅NPN型外延平面高反压三极管3DG182系列······························45 3. 硅NPN型平面三极管3DK101、3DK106、3DK21系列·························46

4. 硅PNP型外延平面高频小功率三极管3CG111、3CG120、3CG130系列·········47 5. 硅PNP型外延平面高频小功率三极管3CK2、3CK120、3CK130系列···········48 6. 硅PNP型外延平面高频高反压小功率三极管3CG182、3CG184、2N2907系列···49 7. 硅NPN低频大功率晶体管3DD1～8系列···································50 8. 硅NPN达林顿功率晶体管FH6～8系列····································53 二. 场效应晶体管·····························································54

1. N沟道MOS型场效应晶体管IRF120～823系列·····························54 2. P沟道MOS型场效应晶体管IRF9130～9643系列···························56 3. N沟道结型场效应晶体管3DJ2、3DJ6/66、3DJ7/67/304、3DJ8/68系列······57 三. 部分替代俄型号晶体管·····················································59

第三部分：半导体分立器件组件·····································60

一. 说明···································································60 二. 产品型号·································································61

1. 200mA～2A玻璃钝化芯片整流桥DF、1W、RB、W系列························61 2. 1～4A玻璃钝化芯片整流桥2W、GBP、GBL系列·····························62 3. 4～15A玻璃钝化芯片整流桥GBU、GBP系列································63 4. 15～35A玻璃钝化芯片整流桥GBPC系列···································64 5. 定制式三相整流桥······················································65 6. 2Д906A型硅二极管矩阵·················································65 7. 双向限幅器SXF0.25～5.8系列··········································65

第四部分：电路及模块··············································66

一. 集成稳压器·······························································66

1. 固定输出三端正稳压器CW7800系列······································66 2. 固定输出三端负稳压器CW7900系列······································66 3. 可调输出三端正稳压器CW117系列·······································67

4. 可调输出三端负稳压器CW137系列·······································67 5. 定制式5V以下电压基准DCW系列········································68

第五部分：外形图··················································69

半导体器件选用注意事项

半导体器件（以下简称器件）的质量问题，不仅有器件本身所固有的质量和可靠性问题，也有由于用户选择或使用不当造成的器件失效问题。从统计分析的结果来看，两者几乎各占50%。因此，为了保证器件的质量、提高器件的可靠性，除供方的工作以外，使用方应在器件的选择，测试，装配和焊接，贮存、包装和运输等各方面综合考虑，做到正确选择、合理使用。

一. 器件的选择

1. 器件选择前应了解以下知识： ⑴ 封装形式

器件的封装形式多种多样。从封装结构来分，有气密封装和实体封装；从封装材料来分，有金属封装、陶瓷封装、玻璃钝化封装、玻璃封装、玻璃内钝化塑料封装、塑料封装等。气密封装的封装腔体内的芯片周围有一定气氛的空间并与外界隔离；实体封装的芯片周围与封装腔体形成整个实体，这种封装形式不存在气密封装可能出现的漏气和封装多余物问题，但对封装材料要求较高，必须致密、抗潮、与芯片材料粘附和热匹配良好，并且在高温、低压条件下不应产生有害气体。小型化是器件发展的趋势。表面贴装器件的封装材料一般采用改性环氧树脂，具有较高的可靠性水平；器件体积比常规器件要小20%～80%，在电子线路中整体采用这种器件可大幅度缩小整机体积。我厂大部分产品除常规封装形式外也采用这种封装形式，小电流的器件一般采用SOT-23、SOD-123等封装形式，部分产品采用MELF（DO-213AB）、Mini-MELF等玻璃封装表面贴装封装形式；1～6A的器件一般采用SMA、SMB、SMC等封装形式。

⑵ 产品质量保证等级

分立器件产品执行QZJ840611半导体二、三极管“七专”技术条件、QZJ840611A半导体分立器件“七专”技术条件、GJB33A-97半导体分立器件总规范以及用户技术协议（用户有要求时）等，对应的质量等级分别为“J”、“G”、“G+”、“JP”、“JT”、“JCT”、“JY”等。我厂执行的产品标准为：“J”级（普军品）：执行QZJ840611和用户技术协议；“G”级（“七专”产品）：执行QZJ840611和用户技术协议；“G+”

级（“七专”加严产品）：执行QZJ840611、QZJ840611A、GJB33A-97和用户加严技术协议（如一院LMS203.3硅开关二极管（微玻璃封装）“七专”加严技术条件、五院东方红三号、四号卫星技术条件等）；“JP”、“JT”、“JCT”级（国军标产品）：执行GJB33A-97和用户技术协议。

三端稳压器（集成电路）产品执行QZJ840615模拟集成电路总技术条件、GJB597A-96半导体集成电路总规范以及用户技术协议等，对应的质量等级为“J”、“G”、“B1”、“B”、“S”等。

模块电源产品执行SJ20668-1998 微电路模块总规范和用户技术协议。

⑶ 器件选择的一般原则

根据应用部位对器件的功能和性能（包括电性能及体积、重量等）要求及质量要求、环境适应性要求，选择合适的品种、型号、生产厂，确定器件的质量等级及器件的封装形式（外形）、引线涂覆、辐射强度保证等级等要求；有特殊要求的应对器件的其他要求诸如内热阻、抗静电能力、抗瞬态过载能力进行选择或评价。

2. 器件选择时要注意以下问题： ⑴ 正确选择封装形式

选择封装形式时要根据应用部位对环境适应性的要求，综合考虑各种封装形式的优缺点，确定器件的封装形式，以使其满足使用要求同时兼顾经济性。

⑵ 不能超过器件的最大额定值

器件能够安全使用的工作条件和环境条件的极限值称为器件的最大额定值。无论工作条件和环境条件怎样恶劣，器件在使用时都不允许超过或瞬时超过规定的极限值。只有在此极限值以下使用，才能保证器件可靠地工作，充分发挥器件的功能，否则器件可能出现参数退化、性能降低、寿命大大缩短等现象，甚至损坏失效。因此，电路设计者在选择器件时应充分考虑到器件在整个工作寿命期的电气条件（如电流电压变化、负载变化、信号变化、电路控制调整、元器件设备变化等）和环境条件的变化，使之不超过器件允许的最大额定值。另外，由于器件最大额定值的各参数之间是互相联系的，在设计或使用时必须兼顾考虑。

⑶ 降额使用

温度是影响器件寿命的重要因素。器件的结温越高，失效几率越大。因此应把器件的结温控制在允许的范围内，防止器件过热而导致失效。

降额使用是防止器件过热的有效措施。为提高器件工作的可靠性，应考虑对器件的规定参数进行降额。器件使用时需要降额的参数（降额因子）有：电压、电流、功率、工作结温和环境温度。二、三极管典型的降额使用范围见表1（仅供参考）。

有的器件不允许降额使用，如电压基准二极管的电流（IZ）应采用推荐值，不可降额。这种情况应当引起使用者的注意。

降额因子平均功耗功率(P) 安全工作区电压(V) 反向电压平均电流电流(A) 瞬时电流峰值电流工作结温温度 (Tj、Tamb) 环境温度表1 二、三极管典型降额范围二极管三极管＜0.5×Ptot ＜0.5×Ptot —— 不能超过器件的安全工作区＜0.8(或＜0.5)×反向工作电压＜0.5×反向击穿电压＜0.5×Io或0.25×Io ＜0.5×Ic 小于浪涌电流＜0.8×ic ＜0.8×iF 小于最大允许峰值电流＜110℃ ＜110℃ 0℃～45℃ 0℃～45℃ ⑷ 合理选择质量等级

器件的工作失效率是和其质量等级有关的。质量等级确定的依据是其所属电子

设备的可靠性指标。选择器件的质量等级应以此指标为出发点，考虑应用部位的关键程度，初步确定质量等级，再借助于电子设备可靠性预计检验初步确定质量等级的正确性和合理性。若预计结果说明初步确定的质量等级偏低，则应适当提高；反之则应适当降低，以兼顾经济性。不能只考虑到经济性而降低质量等级。

另外，在选用时对器件的引出端涂覆形式、辐射强度保证等级、内热阻、抗静电能力、抗瞬态过载能力等方面也应加以考虑。

二. 器件的测试

器件测试时，为获得准确的测试数据且不至于损坏器件，应按照国家标准的规定或按照由供方提供使用方认可的测试方法进行测试。测试时应注意以下事项：

1. 电测试条件

除另有规定外，器件应在下述环境条件下进行电测试：环境温度：25±3℃；相对湿度：45%～75%；

环境大气压：86Kpa～106Kpa。 2. 限制、保护措施

除非规定的测试方法中有要求，器件不应承受会产生超过器件最大额定值的工作条件。要采取措施限制最大瞬时电流和所加的电压，通常要求大串联电阻值（恒流源）及小电容量。避免引线反接、误接、短路，防止因仪器设备开启和关断时产生的浪涌电流加到器件上。

3. 小电流测试

测试反向电流或截止电流小的器件（如nA数量级）时，要注意采取措施保证测试夹具与测试仪器连接电路的寄生电流或外部漏电流远远小于被测器件的反向电流或截止电流。

4. 大电流测试

在进行较大电流测试时，为了避免因引线压降和接触压降所引起的测试误差，应尽可能采用具有开尔文连接功能的测试仪器和夹具。

5. 脉冲测试

当施加的测试条件有可能产生较大的功率耗散时，为避免因器件发热引起的测试误差或器件损伤，应采取脉冲方法进行测试以使器件发热减至最小。除另有规定外，脉冲频率为1000Hz±25Hz，脉冲时间（tp）应不大于10ms，占空比最大2%。在此范围内，脉冲必须长至足以适应试验设备的能力和所要求的准确度，短至足以避免发热。

三. 器件的装配和焊接

装配和焊接质量的好坏对器件的可靠性影响很大，因此必须以科学合理的方法，从引线的成型和切断，在印制电路板上的安装、焊接、涂覆、清洗，器件的布置以及散热器的设计安装等各方面加以考虑。

1. 引线的成型和切断

在对器件的引线进行成型和切断时，应尽量避免使器件内部遭到机械损伤和不合理的机械应力，否则可能使器件的内引线折断，外壳和引线之间的玻璃绝缘子出现裂缝甚至将外引线折断，从而使器件的可靠性降低或无法使用。因此，应注意以下几个方面的问题：

⑴ 引线折弯时，必须在离器件本体3mm以外用钳子或其他夹具夹紧，以防止将应力直接加到器件本体和引线之间，切断引线时亦应如此；

⑵ 引线弯曲角度不能大于90ο，而且不要使引线反复弯折； ⑶ 对扁形引线不允许横向弯折和切断；

⑷ 采用引线成型和切断工具时，不能损伤引线表面涂层。

2. 在印制电路板上安装

器件在印制电路板上安装时，要注意以下几个方面：

⑴ 印制电路板上安装孔的间隔要与引线成型的间隔一致，插入时不要将器件硬插入引线孔以免在器件引线上产生附加应力；也不可硬拉引线，以免造成引线和外壳间的过大应力。轴向拉力（沿引线轴方向的引线拉力）与引线直径（异形引线按截面积计算等效直径）有关，安装时不应超过表2的规定值。

⑵ 若须在印制电路板上粘接固定器件本体时，粘接应严格在器件的引线空间进行以避免使引线受力。

引线直径（mm） 0.3＜d≤0.5 0.5＜d≤0.8 0.8＜d≤1.25 1.25＜d 表2 引线直径和轴向拉力对照拉力（N）受力时间（S） 5 ＜10 10 ＜10 20 ＜10 40 ＜10 备注对异形引线，按截面积计算等效直径 ⑶ 在印制电路板和器件之间如果必须采用垫层，应事先留下空隙。

⑷ 有散热器的器件在印制电路板上固定焊接时，为避免在器件上施加不必要的机械应力，须将器件事先固定在散热器上，并将散热器固定在印制电路板上后才可进行。

3. 焊接器件在焊接时温度要尽可能低，时间应尽可能短，不允许在高温条件下滞留较长时间，以免使器件过热损坏。

⑴ 器件焊接时允许的热条件是温度不超过260℃，时间不超过10S。焊接时应在距离器件本体至少2mm以上处进行。焊接温度过高、时间过长，器件的结温会随之升高，可能导致器件性能退化或热破坏。

⑵ 焊接时，应避免使用酸性或碱性强的助焊剂以避免腐蚀引线或造成整机气氛不良，影响可靠性。需要时可采用中性助焊剂，焊接完毕要进行必要的清洗，除

去多余的助焊剂。

⑶ 为了提高器件的焊接性能，在焊接前可对引线预先浸锡。此时应注意浸锡方式和操作方法，避免带来不必要的热应力而导致器件失效。

a. 引线浸锡时，必须距离器件本体2mm以上，不能直接浸到引线根部。 b. 用电烙铁浸锡时，应用镊子夹在器件本体和烙铁之间，以减少热量直接传向器件内部从而造成器件损坏。

c. 绝对不能将器件丢进锡锅内浸锡，否则器件将会失效。 d. 浸锡温度不能超过260℃，时间不能超过10S。

4. 器件的位置

在整机装配时，器件位置排列的合适与否对器件的可靠性影响很大，下面几种情况应引起注意：

⑴ 应使器件尽量远离大的电阻、变压器等发热源，避免热量传到器件或散热器上使其温度升高。

⑵ 器件应放置在不易积聚灰尘的地方以防止绝缘性能下降，可以在器件或印制电路板上涂敷一层防水树脂加以保护。

⑶ 注意避免在高压、高频设备中产生的感应电压使器件击穿。

5. 散热器的设计安装

器件特别是功率器件在使用时，为合理控制外热阻和外部热环境，发挥器件的最佳性能，要进行可靠的热设计。除对器件降额使用外，功率器件应安装散热器。散热器的设计安装要注意以下几个方面：

⑴ 散热器表面积应满足设计要求；散热器上有多个肋片时应选择肋片间距大的散热器；散热器要进行表面处理使其表面粗糙度适当并呈黑色以增强辐射散热。

⑵ 散热器的表面不允许有裂纹、起泡、起皮，局部机械损伤最大深度不超过0.5mm，表面凹凸弯度与螺栓孔之间的间隔应小于0.05cm。

⑶ 应采取以下措施使器件外壳与散热器间的热阻尽可能少： a. 器件与散热器接触时面积要尽可能大；

b. 接触面要保持平直光洁（平整度一般要求小于25μm），接触面和器件之间不能有切削多余物或碎屑；

c. 器件外壳与散热器间要求绝缘时应采用导热系数高的绝缘片，必要时应在接触面上涂导热膏或加导热绝缘硅橡胶片并借助于合适的紧固措施保证紧密接触。

⑷ 对热敏感的器件，安装时应远离耗散功率大的元器件。

⑸ 在有气流的工作条件下，器件应安装在其他功率元器件自然或强迫对流的相反方向，有肋片的散热器应使其肋片沿散热器长度方向垂直安装便于自然对流。

⑹ 工作在真空条件下器件，散热器设计时应以只有辐射和传导散热为基础。 ⑺ 器件在散热器表面安装时要使用合适的紧固力矩，以保证器件与散热器表面之间接触良好，使器件不至于受损并且热阻足够小。注意紧固时不能对外壳施加机械应力。

⑻ 器件在散热器表面安装好以后不允许对外壳和器件的散热片进行机械加工和整形，否则将产生应力或增大热阻。

四. 器件的贮存、包装和运输

1. 贮存

器件应贮存在干燥、通风、无腐蚀性气体影响，温度范围-10℃～40℃，相对湿度小于80%的库房内，若须堆码应严格按照包装箱上堆码标志的要求进行。在库房内贮存36个月以上的器件使用前，应对可焊性及主要电参数进行测试和检验，以确保器件质量可靠。

2. 包装

除非有符合产品要求的包装，使用方应使用供方提供的包装进行贮存和运输。 3. 运输

产品运输时应有牢固的包装箱，箱外应有符合规定的“小心轻放”、“防潮”等标志。装有产品的包装箱应允许用任何运输工具运输。运输过程中应避免雨雪的直接淋袭和机械撞击。

第一部分：二极管

一. 开关二极管

1. 锗金键开关二极管2AK1～20系列参型数号 2AK1 2AK2 2AK3 2AK5 2AK6 2AK11 2AK13 2AK14 2AK18 2AK19 2AK20 测试条件试验类别参型数号 2AK7 2AK9 2AK10 2AK15 2AK16 2AK17 测试条件试验类别外形 VF V 1 1 1 1 1 1 10 10 10 10 IF mA 3 VF= 0.35V JS 3 VF= 0.32V 30 40 50 VRM V VB V trr ns CO pF TjM ℃ PCM mW VF V 1 1 0.9 0.9 0.9 0.7 0.7 0.7 0.65 0.65 0.65 IF=100mA 10 20 VRM V 30 40 50 Ta=25℃ Ta=25℃ Ta=25℃ IR=5μA IR=30μIR=20μTa=55℃A A IR=20μA JS 30 40 50 30 40 50 IOM mA 150 150 200 200 200 250 250 250 250 250 250 脉冲宽度1ms 占空比1:1 VF= VF= 1V 0.8V LX VB V 30 40 50 60 70 50 60 70 50 60 70 IR= 100 μA LX trr ns 200 200 150 150 150 150 150 150 100 100 100 IF=IR= 10μA LX CO pF 3 3 2 2 2 2 2 2 2 2 2 V=0V LX Tjm ℃ 75 75 75 75 75 75 75 75 75 75 75 JS CP VF= IF= 0.4530mA V JS 外形图1：EA-3型 50 150 2 75 50 60 150 2 75 50 70 150 2 75 50 12 40 150 2 75 50 12 40 30～80 2 75 50 12 45 120 2 75 50 Ta=25℃ Ta=25℃ IR=5μA IR= IF=IR= IR=20μV=0V Ta=55℃50μA 10mA A IR=20μA JS CP LX LX CP CP 国外常T4～T9、T9～T17、AA117～AA143、AA143～AA210、用型号 HG5002～HG5079、DR291～DR310、DR310～DR385 8

2. 锗金键检波二极管2AP1～31B系列参型数号 2AP1 2AP2 2AP3 2AP4 2AP5 2AP6 2AP7 2AP8 2AP9 2AP10 2AP11 2AP12 2AP13 2AP14 2AP15 2AP16 2AP17 2AP21 2AP27 2AP27A 2AP30A 2AP30B 2AP30C 2AP30D 2AP30E 2AP31 2AP31A 2AP31B 测试条件 IF mA 2.5 2.5 7.5 5.0 2.5 2.5 5.0 4.0 8.0 8.0 10 90 10 30 60 30 10 50 2～10 10 2 2 2 2 2 2 2 2 VF=1V VR V 10 25 25 50 75 100 100 10(100μA) 10 20 10 10 30 30 30 50 100 7 150 150 10(50μA) 10 10 10(30μA) 10(11μA) 10(30μA) 10 10 IR=200μA IOM mA 16 16 25 16 16 12 12 35 8 8 25 40 20 30 30 20 15 50 8 8 5 5 5 5 5 5 5 5 国外常用型号 VB V 20 30 30 50 75 100 100 10 20 10 10 30 30 30 50 100 10 150 150 15 15 15 15 25 25 20 25 检波效率 η(%) 65 65 65 65 65 65 65 65 Tjm ℃ 75 75 75 75 75 75 75 75 CO pF 1 1 1 1 1 1 1 1 外形外形图1：EA-3型 65 75 1 65 75 1 65 75 1 65 75 1 65 75 1 65 75 1 65 75 1 65 75 1 65 75 1 65 75 1 65 75 1 65 75 1 65 75 1 65 75 1 65 75 1 65 75 1 65 75 1 65 75 1 65 75 1 65 75 1 Vin=1V、RL=5KΩ f=10.7MHz C=2200pF 1N35～1N60、1N455～1N635、1N60～1N270、1N270～1N455、1N455～1N635、1N3559～1N4085、OA5～OA30、OA30～OA90、OA1154～OA1182

3. 肖特基检波二极管SP1～31B系列（替代2AP1～31B）参型数号 SP1 SP2 SP3 SP4 SP8 SP9 SP10 SP11 SP12 SP13 SP14 SP15 SP16 SP21 SP30A SP30B SP30C SP30D SP30E SP31 SP31A SP31B VBR V 40 45 45 75 20 20 30 10 10 30 30 30 50 10 15 15 20 20 35 25 25 35 IR= 10μA VRWM V 10 25 25 50 10 10 20 10 10 30 30 30 50 10 10 10 10 10 10 10 10 10 IR=5μA IO mA 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 VF=1.0V IF mA 30 30 30 30 30 30 30 30 90 30 30 60 30 50 30 30 30 30 30 30 30 30 VF=1.0V IR μA 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0(VR=7V) 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 Ta=25℃VR=10V 国外常用型号 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 (VR=7V) 50 50 50 50 50 50 50 50 Ta=125℃VR=10V CO pF 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 检波效率η(%) 70 70 70 70 70 70 70 70 70 70 70 70 70 70 替代型号 2AP1 2AP2 2AP3 2AP4 2AP8 2AP9 2AP10 2AP11 2AP12 2AP13 2AP14 2AP15 2AP16 2AP21 2AP30A 2AP30B 2AP30C 2AP30D 2AP30E 2AP31 2AP31A 2AP31B 测试条件 70 70 70 70 70 70 70 70 Vin=1V V≈0V RL=5KΩ f=0.5MHZ f=10.7MHVin=10mV z C=2200pF 外形外形图2：DO-35型

4. 肖特基开关二极管SK1～20系列（替代2AK1～20）参型数号 SK1 SK2 SK3 SK5 SK6 SK7 SK9 SK10 SK11 SK13 SK14 SK15 SK16 SK17 SK18 SK19 SK20 测试条件外形 VBR V 30 40 50 60 70 50 60 70 50 60 70 40 40 45 50 60 70 VRWM V 10 20 30 40 50 30 40 50 30 40 50 12 12 12 30 40 50 IO mA 75 75 100 100 100 150 150 150 125(VF=0.8V) 125(VF=0.8V) 125(VF=0.8V) 150 150 1 1 0.9 0.9 0.9 0.7 0.7 0.7 VF V 0.45 0.45 0.45 0.3 2 0.3 5 0.45 1 1 1 1 1 1 1 1 2 2 2 1 1 IR μA 50 50 80 80 50 80 80 50 80 80 50 80 80 trr ns 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 替代型号 2AK1 2AK2 2AK3 2AK5 2AK7 2AK9 2AK10 2AK11 2AK12 2AK13 2AK14 2AK15 2AK16 150 1 80 2 2AK17 125(VF=0.8V) 0.65 2 80 2 2AK18 125(VF=0.8V) 0.65 2 80 2 2AK19 125(VF=0.8V) 0.65 2 50 2 2AK20 IF= Ta=25Ta=125IR= IR=5μIF= IF= IF=IR= VF=1.0V 100m℃℃ 10μA A 10mA 3mA 10mA A VR=10V VR=10V 国外常 BAT19～BAT41、BAT42～BAT86S、SD101A～外形图2：DO-35型用型号 SD103C、1N6263、1N5711～1N5712

5. 肖特基开关检波二极管2DKOlO、020、O3O型（替代2AK1～20、2AP1～31B）

参型 2DK010 数号 VBR V ≥40 IFM mA 10 IFSM mA 120 Tamb ℃ -55～+105 Tstg ℃ -55～+150 VFM1 V ≤O.35（IF=0.5mA） VFM2 V ≤0.62（IF=5mA） IR1 μA ≤1 IR2 μA ≤80 trr ns ≤l η ％ ≥68 CT PF ≤1.2 f MHz 400 外形外形图2：D0-35型 2DK020 ≥45 20 200 -55～+105 -55～+150 ≤O.35（IF=1mA） ≤0.62（IF=20mA） ≤1 ≤100 ≤5 ≥60 ≤5 100 外形图2：D0-35型 2DK030 ≥30（IR=1mA） 30 600 -55～+105 -55～+150 VFM≤O.30（IF=30mA） ≤5 ≤2000 ≤20（IF=10mA）外形图37：D0-7型 2AP11、2AP12、2AP13、2AP14、2AP15、2AP16； 2AK5、2AK6、2AK11、2AK13、2AK14、2AK18、2AK19、2AK20 测试条件 IR=0.1mA tP=10ms VR=l0V，T=25℃ VR=l0V，T=105℃ IF=1mA VR=1V，f=30MHz VR=lOV 替代型号 2AP1、2AP2、2AP3、2AP4、 2AP30、2AP31； 2AP21、1N60、1N60P 2AK7、2AK9、2AK10、2AK15、2AK16、2AK17

6. 硅开关二极管2CK70～86、2CK49～56系列

参型数号 A B 2CK70 C D E A B 2CK71 C D E A B 2CK72 C D E 测试条件 VB V 30 45 60 75 90 30 45 60 75 90 30 45 60 75 90 IR=1μA VR V 20 30 40 50 60 20 30 40 50 60 20 30 40 50 60 IR1=0.1μA(25℃) IR2=50μA(125℃) IF mA VF V CO pF trr ns PM mW 10 0.8 1.5 3 30 20 0.8 1.5 4 30 30 0.8 1.5 4 30 VF=0.8V I=IF V≈0V，f=0.5MHZ Vin=10mV IF=IR=20mA R=50Ω 直流参型数号 A B 2CK73 C D A B 2CK74 C D A B 2CK75 C D VB V 30 45 60 75 30 45 60 75 30 45 60 75 VR V 20 30 40 50 20 30 40 50 20 30 40 50 IF mA VF V CO pF trr ns PM mW 50 1 4 5 50 100 1 4 5 10 100 150 1 4 5 10 150 V≈0V，IF=IR=20IF=IR=100测试条件 IR=5μA I=IF f=0.5MHZ mA mA 直流 Vin=10mV R=50Ω R=50Ω 注： 2CK70～72系列产品F档VB=105V，VR=70V，其余参数不变。2CK73～75系列产品E档VB=90V，VR=60V；F档VB=105V，VR=70V，其余参数不变。

IR1=0.1μA(25℃) VF=1IR2=50μA(125℃) V

6. 硅开关二极管2CK70～86、2CK49～56系列（续）参型数号 A B 2CK76 C D A B 2CK77 C D A B 2CK78 C D 测试条件 VB V 30 45 60 75 30 45 60 75 30 45 60 75 IR=5μA VR V 20 30 40 50 20 30 40 50 20 30 40 50 IF mA IM mA VF V CO pF trr ns PM mW 200 200 1 4 5 10 200 260 300 1 8 10 20 250 270 400 1 8 10 20 250 IR1=0.1μA(25℃) VF=1V IR2=50μA(125℃) VF=1V I=IF V≈0V f=0.5MHZ Vin=10mV IF=IR= IF=IR= 20mA 100mA R=50R=50Ω Ω 直流

参型数号 A B 2CK79 C D A B 2CK80 C D A B 2CK81 C D 测试条件 VB V 30 45 60 75 30 45 60 75 30 45 60 75 VR V 20 30 40 50 20 30 40 50 20 30 40 50 IF mA IM mA VF V CO pF trr ns PM mW 280 500 1 8 10 20 250 300 600 1 8 10 20 250 320 700 1 8 10 20 250 IR1=0.1μA(25℃) IR=5μA VF=1V IR2=50μA(125℃) VF=1V I=IF V≈0V f=0.5MHZ Vin=10mV IF=IR= IF=IR= 20mA 100mA R=50R=50Ω Ω 直流注： 2CK76～81系列产品E档VB=90V，VR=60V；F档VB=105V，VR=70V，其余参数不变。 6. 硅开关二极管2CK70～86、2CK49～56系列（续）

参型数号 A B C 2CK82 D E F A B C 2CK83 D E F A B C 2CK84 D E F A B C 2CK85 D E F 2CK86 2CK49 2CK50 2CK51 2CK52 2CK53 2CK54 2CK55 2CK56 VB V 15 30 45 60 75 90 15 30 45 60 75 90 45 90 135 180 225 240 45 60 75 90 105 130 30 100 100 250 120 40 40 85 85 VR V 10 20 30 40 50 60 10 20 30 40 50 60 30 60 90 120 150 180 30 40 50 60 70 80 20(IR1=0.03μA，50℃) 75 75 200 90 30 30 50 50 IR1=0.1μA(25℃) IR2=50μA(125℃) IF mA VF V CO pF trr ns PM mW 10 1 3 5 100 10 1 5 5 100 50 1 30 150 50 100 1 20 50 150 10 10 10 100 200 300 600 400 500 VF=1V 测试条件 IR=20μA 外形塑封片式：外形图4：SOT-23型，玻封：外形图5：SOD-123型；外形图玻封片式：外形图6：MELF（DO-213AB）2：型， DO-35型外形图7：Mini-MELF型 3 5 50 4 4 100 2 2 100 5 50 250 15 50 250 6 10 500 30 20 600 20 10 600 20 10 600 V≈0，IF=IR=20直I=IF f=0.5MHZ mA 流 Vin=10mV R=50Ω (国内)2CK1～19、2CK30～35；(国其他外) 1N914、1N915、1N916、1N917、常用1N4606、1N4148(2CK4148)～型号 4154、1N4446～4454、1S245、1SS82、1SS83、1SS176 1 1 1 1 1 1 1.1 1.1 1.1 7. 硅开关二极管1N、1S、1SS、BAV系列 15

参 VBR(V) 型数 IR=20μA 号 lN914 ≥100 lN914A ≥100 1N914B ≥100 1N915 ≥75 1N916 ≥100 1N916A ≥100 1N916B ≥100 1N917 ≥40 1N4148 ≥100 1N4149 ≥100 lN4150 ≥50 lN4151 ≥75 1N4152 ≥40 lN4153 ≥75 1N4154 ≥35 IN4446 ≥100 1N4447 ≥lOO lN4448 ≥100 IN4449 ≥100 lN4450 ≥40 lN4454 ≥75 lN4606 ≥85 1S1553 ≥70 1S1554 ≥55 lSl555 ≥35 lSS82 ≥250 lSS83 ≥300 1SS130 ≥100 1SS131 ≥90 1SS132 ≥55 1SS133 ≥40 1SS134 ≥40 BAV17 ≥25 BAV18 ≥60 BAV19 ≥120 BAV20 ≥200 BAV21 ≥250 外形 VRWM(V) I=IR ≥75 ≥75 ≥75 ≥50 ≥75 ≥75 ≥75 ≥30 ≥75 ≥75 ≥40 ≥50 ≥30 ≥50 ≥25 ≥75 ≥75 ≥75 ≥75 ≥30 ≥50 ≥70 ≥60 ≥50 ≥30 ≥200 ≥250 ≥75 ≥80 ≥50 ≥35 ≥35 ≥20 ≥50 ≥100 ≥150 ≥200 IF(mA) V=VF IR(μA) V=VR VF(V) I=IF trr(ns) CO(pF) VR=0V，f=1MHz 玻封：外形图2：DO-35型 ≥lO ≤5.O ≤1.O ≤4 ≤4 ≥20 ≤5.O ≤1.O ≤4 ≤4 ≥100 ≤5.O ≤1.O ≤4 ≤4 ≥50 ≤0.O25 ≤1.O ≤10 ≤4 ≥10 ≤5.O ≤1.O ≤4 ≤2 ≥20 ≤5.O ≤1.O ≤4 ≤2 ≥30 ≤5.O ≤1.O ≤4 ≤2 ≥10 ≤0.O5 ≤1.O ≤3 ≤2.5 ≥lO ≤5.O ≤1.O ≤5 ≤4 ≥lO ≤5.O ≤1.O ≤4 ≤2 ≥200 ≤O.1 ≤1.O ≤6 ≤2.5 ≥50 ≤O.05 ≤1.O ≤4 ≤2 ≥20 ≤O.05 ≤O.88 ≤4 ≤2 ≥20 ≤O.05 ≤O.88 ≤4 ≤2 ≥30 ≤O.1 ≤1.O ≤4 ≤4 ≥20 ≤5.O ≤1.O ≤4 ≤4 ≥20 ≤5.O ≤1.O ≤4 ≤2 ≥1OO ≤5.O ≤1.O ≤4 ≤4 ≥30 ≤5.O ≤1.O ≤4 ≤2 ≥200 ≤O.05 ≤1.O ≤4 ≤4 ≥lO ≤O.1 ≤1.O ≤4 ≤2 ≥250 ≤O.25 ≤I.1 ≤6 ≤2.5 ≥100 ≤O.5 ≤1.4 ≤4 ≤1.3 ≥100 ≤0.5 ≤1.4 ≤3 ≤1.3 ≥100 ≤O.5 ≤1.4 ≤4 ≤1.3 ≥100 ≤O.1 ≤1.O ≤50 ≤3 ≥100 ≤O.1 ≤1.O ≤50 ≤3 ≥100 ≤1 ≤0.5 ≤4 ≤4 ≥100 ≤1.2 ≤0.5 ≤4 ≤2 ≥100 ≤1.2 ≤0.5 ≤4 ≤2 ≥100 ≤1.2 ≤0.5 ≤4 ≤3 ≥5 ≤0.9 ≤0.5 ≤3 ≤3 ≥100 ≤0.1 ≤1 ≤50 ≤1.5 ≥100 ≤0.1 ≤1 ≤50 ≤1.5 ≥100 ≤0.1 ≤1 ≤50 ≤1.5 ≥100 ≤0.1 ≤1 ≤50 ≤1.5 ≥100 ≤0.1 ≤1 ≤50 ≤1.5 塑封片式：外形图4：SOT-23型，外形图5：SOD-123型；玻封片式：外形图6：MELF（DO-213AB）型，外形图7：Mini-MELF型 8. 玻璃钝化封装大电流开关二极管RG0.5～5系列 16

产品型号 RG0.5A～M RG1A～M RG2A～M RG3A～M RG4A～M RG5A～M 外形正向特性 IFM(A) VF(V)@IFM IF SM (A) 0.5 1.2 15 1 1.2 30 2 1.2 50 3 1.2 60 4 1.2 80 5 1.2 100 外形图8：DO-204AP型（RG0.5～2）外形图9：G4型（RG3）外形图10：G3型（RG4～5）反向特性（VR分档情况见本页附表） VR(V) IR(μA)@ VR trr(ns) 25～1000 1 200 25～1000 1 250 25～1000 1 300 25～1000 2 350 25～1000 2 400 25～1000 3 500 其他常用型号 2CK26～29

附表：最高反向工作电压VR分档标志

VR （V）分档标志 VR （V）分档标志 ≥25 A ≥1000 M ≥50 B ≥1200 N ≥100 C ≥1400 P ≥200 D ≥1600 Q ≥300 E ≥1800 R ≥400 F ≥2000 S ≥500 G ≥2200 T ≥600 H ≥2400 U ≥700 J ≥2600 V ≥800 K ≥2800 W ≥900 L ≥3000 X

二. 整流二极管

1. 硅整流二极管2CZ50～2CZ57系列产品型号 2CZ50A～M 2CZ51A～M 2CZ52A～M 2CZ53A～M 2CZ54A～M 2CZ55A～M 2CZ56A～M 2CZ57A～M 正向特性 IFM (A) VF(V)@ IFM 0.03 1 0.05 1 0.1 1 0.3 1 0.5 1.1 1 1.2 3 1.4 5 1.6 外形图2：DO-35型(2CZ50～54A～H) 外形图3：DO-41型(2CZ50～54J～M) 外形图3：DO-41型(2CZ55A～M) 外形图9：G4型(2CZ56) 外形图10、14：G3、P600型(2CZ57) IF SM (A) 0.6 1 2 6 10 20 65 105 反向特性（VR分档情况见17页附表） VR (V ) IR(μA)@ VR trr(ns) 25～1000 5 250 25～1000 5 250 25～1000 5 300 25～1000 5 300 25～1000 5 300 25～1000 5 350 25～1000 5 350 25～1000 5 400 外形国外常用型号 BYV27-50～BYV27-200、BYV28-50～BYV28-200、BYV26D～BYV26E、FE1A～FE1D、FE3A～FE3D、 FE5A～FE5D、G1101～G1104、GE2A～FE2D

2. 玻璃钝化整流管1N、RL、6A系列产品型号 IFM (A) 正向特性 VF(V)@ IFM IF SM (A) 18

反向特性 VR (V ) IR(μA)@ VR 外形 1N4001G 1N4002G 1N4003G 1N4004G 1N4005G 1N4006G 1N4007G 1N5391G 1N5392G 1N5393G 1N5395G 1N5396G 1N5398G 1N5399G 1N5400G 1N5401G 1N5402G 1N5404G 1N5406G 1N5407G 1N5408G RL201G RL202G RL203G RL204G RL205G RL206G RL207G 6A05G 6A1G 6A2G 6A4G 6A6G 6A7G 6A8G 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.5 1.5 1.5 1.5 1.5 1.5 1.5 3.0 3.0 3.0 3.0 3.0 3.0 3.0 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0 6.0 6.0 6.0 6.0 6.0 6.0 6.0 1.1 1.1 1.1 1.1 1.1 1.1 1.1 1.1 1.1 1.1 1.1 1.1 1.1 1.1 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.1 1.1 1.1 1.1 1.1 1.1 1.1 1.4 1.4 1.4 1.4 1.4 1.4 1.4 30 30 30 30 30 30 30 50 50 50 50 50 50 50 125 125 125 125 125 125 125 65 65 65 65 65 65 65 250 250 250 250 250 250 250 50 100 200 400 600 800 1000 50 100 200 400 600 800 1000 50 100 200 400 600 800 1000 50 100 200 400 600 800 1000 50 100 200 400 600 800 1000 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 10.0 10.0 10.0 10.0 10.0 10.0 10.0 外形图3：DO-41型外形图12：DO-15型外形图13：DO-201AD型外形图12：DO-15型外形图14：P600型

3. 玻璃钝化高速整流管SF11G～66G系列产品型号正向特性反向特性外形 19

IFM (A) SF11G SF12G SF13G SF14G SF15G SF16G SF21G SF22G SF23G SF24G SF25G SF26G SF31G SF32G SF33G SF34G SF35G SF36G SF61G SF62G SF63G SF64G SF65G SF66G VF(V)@ IFM IF SM (A) VR (V ) 其它常用型号 1.0 1.0 30 50 35 外形图3：DO-411.0 1.0 30 100 35 型 1.0 1.0 30 150 35 外形图11：A-4051.0 1.0 30 200 35 型(SF11L～SF16L1.0 1.25 30 300 35 系列) 1.0 1.25 30 400 35 2.0 1.0 65 50 35 2.0 1.0 65 100 35 2.0 1.0 65 150 35 外形图12： DO-15型 2.0 1.0 65 200 35 2.0 1.25 65 300 35 2.0 1.25 65 400 35 3.0 1.0 125 50 35 3.0 1.0 125 100 35 3.0 1.0 125 150 35 外形图13： DO-201AD型 3.0 1.0 125 200 35 3.0 1.25 125 300 35 3.0 1.25 125 400 35 6.0 1.0 250 50 35 6.0 1.0 250 100 35 6.0 1.0 250 150 35 外形图14： P600型 6.0 1.0 250 200 35 6.0 1.25 250 300 35 6.0 1.25 250 400 35 1．玻璃钝化快速恢复二极管： 1N4933G～1N4937G、FR101G～107G、FR151G～157G、FR201G～207G、FR301G～307G、FR601G～607G系列主要电参数：VF：1.0～1.7V IF：1A～6A VR：50～1000V trr：150～500ns 2．玻璃钝化高效整流管： HER101G～106G、HER154G～158G、HER301G～308G、HER601G～606G系列主要电参数：VF：1.0～1.7V IF：1A～6A VR：50～1000V trr：50～70ns 3．玻璃钝化超快速整流管： UF101G～107G、UF201G～207G、UF301G～307G、UF601G～607G系列主要电参数：VF：1.0～1.7V IF：1A～6A VR：50～1000V trr：50ns IR(μA)@ VR 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 trr(ns)

4. 贴片玻璃钝化整流管S1～5系列产品型号正向特性 IFM (A) VF(V)@ IFM IF SM (A) 20

反向特性 VR(V) IR(μA)@ VR trr(μs) 外形 S1A S1B S1D S1G S1J S1K S2A S2B S2D S2G S2J S2K S3A S3B S3D S3G S3J S3K S5A S5B S5D S5G S5J S5K

1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.5 1.5 1.5 1.5 1.5 1.5 3.0 3.0 3.0 3.0 3.0 3.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 1.1 1.1 1.1 1.1 1.1 1.1 1.15 1.15 1.15 1.15 1.15 1.15 1.20 1.20 1.20 1.20 1.20 1.20 1.25 1.25 1.25 1.25 1.25 1.25 40 40 40 30 30 30 50 50 50 50 50 50 100 100 100 100 100 100 165 165 165 165 165 165 50 100 200 400 600 800 50 100 200 400 600 800 50 100 200 400 600 800 50 100 200 400 600 800 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.8 1.8 1.8 1.8 1.8 1.8 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0 2.5 2.5 2.5 2.5 2.5 2.5 3 3 3 3 3 3 外形图15：SMA（DO-214AC）型外形图16：SMB（DO-214AA）型外形图17：SMC（DO-214AB）型外形图17：SMC（DO-214AB）型

5. 贴片高速整流管ES1～5系列产品型号正向特性 IFM (A) VF(V)@ IFM IF SM (A) 反向特性 VR (V ) IR(μA)@VR trr(ns) 21

外形 ES1A ES1B ES1C ES1D ES1E ES1G ES1J ES2A ES2B ES2C ES2D ES2E ES2G ES2J ES3A ES3B ES3C ES3D ES3E ES3G ES3J ES5A ES5B ES5C ES5D ES5E ES5G ES5J 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0 3.0 3.0 3.0 3.0 3.0 3.0 3.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.35 1.35 1.1 1.1 1.1 1.1 1.1 1.4 1.4 1.1 1.1 1.1 1.1 1.1 1.4 1.4 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.5 1.5 30 30 30 30 30 30 30 50 50 50 50 50 50 50 100 100 100 100 100 100 100 150 150 150 150 150 150 150 50 100 150 200 300 400 600 50 100 150 200 300 400 600 50 100 150 200 300 400 600 50 100 150 200 300 400 600 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 10.0 10.0 10.0 10.0 10.0 10.0 10.0 10.0 10.0 10.0 10.0 10.0 10.0 10.0 35 35 35 35 35 35 35 35 35 35 35 35 35 35 35 35 35 35 35 35 35 35 35 35 35 35 35 35 外形图15：SMA（DO-214AC）型外形图16：SMB（DO-214AA）型外形图17：SMC（DO-214AB）型外形图17：SMC（DO-214AB）型

6. 肖特基二极管SR0620～510、1N5817～5822系列产品型号 IFM (A) 正向特性 VF(V)@ IFM IF SM (A) 22

反向特性 VR (V ) IR(mA)@VR 外形 SR0620 SR0630 SR0640 SR102 SR103 SR104 SR105 SR106 SR107 SR108 SR109 SR110 SR302 SR303 SR304 SR305 SR306 SR307 SR308 SR309 SR310 SR502 SR503 SR504 SR505 SR506 SR507 SR508 SR509 SR510 1N5817 1N5818 1N5819 1N5820 1N5821 1N5822 其他常用型号 0.6 0.6 0.6 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 3.0 3.0 3.0 3.0 3.0 3.0 3.0 3.0 3.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 1.0 1.0 1.0 3.0 3.0 3.0 0.55 0.55 0.55 0.57 0.57 0.57 0.7 0.7 0.85 0.85 0.85 0.85 0.55 0.55 0.55 0.55 0.55 0.85 0.85 0.85 0.85 0.57 0.57 0.57 0.70 0.70 0.85 0.85 0.85 0.85 0.45 0.55 0.60 0.475 0.50 0.525 20 20 20 25 25 25 25 25 25 25 25 25 80 80 80 80 80 80 80 80 80 150 150 150 150 150 150 150 150 150 25 25 25 80 80 80 20 30 40 20 30 40 50 60 70 80 90 110 20 30 40 50 60 70 80 90 100 20 30 40 50 60 70 80 90 100 20 30 40 20 30 40 0.5 0.5 0.5 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 外形图3： DO-41型外形图3： DO-41型外形图13：DO-201AD型外形图13：DO-201AD型外形图3： DO-41型外形图13：DO-201AD型 1N17～1N19、1S20～1S100、SR120～SR190、SR220～SR290、SR320～SR3A0、SR520～SR5A0

7. 肖特基二极管SR735～4060系列产品型号 IFM (A) 正向特性 VF(V)@IFM IF SM (A) 23

反向特性 VR(V ) IR(mA)@ VR 外形 SR735 SR745 SR750 SR760 SR820 SR830 SR840 SR850 SR860 SR880 SR8A0 SR1020 SR1030 SR1040 SR1050 SR1060 SR1535 SR1545 SR1550 SR1560 SR2020 SR2030 SR2040 SR2050 SR2060 SR4030 SR4035 SR4040 SR4045 SR4050 SR4060 其它常用型号 7.5 0.65 150 35 1.0 7.5 0.65 150 45 1.0 7.5 0.75 150 50 1.0 7.5 0.75 150 60 1.0 8.0 0.65 150 20 1.0 8.0 0.65 150 30 1.0 8.0 0.65 150 40 1.0 外形图18：8.0 0.75 150 50 1.0 TO-220AC8.0 0.75 150 60 1.0 型 8.0 0.80 150 80 1.0 8.0 0.85 150 100 1.0 10.0 0.70 150 20 1.0 10.0 0.70 150 30 1.0 10.0 0.70 150 40 1.0 10.0 0.80 150 50 1.0 10.0 0.80 150 60 1.0 15.0 0.65 150 35 1.0 15.0 0.65 150 45 1.0 15.0 0.75 150 50 1.0 15.0 0.75 150 60 1.0 外形图19：20.0 0.70 150 20 1.0 TO-220AB型 20.0 0.70 150 30 1.0 20.0 0.70 150 40 1.0 20.0 0.80 150 50 1.0 20.0 0.80 150 60 1.0 40.0 0.55 400 30 1.0 40.0 0.55 400 35 1.0 40.0 0.55 400 40 1.0 外形图20：TO-3P型 40.0 0.55 400 45 1.0 40.0 0.65 400 50 1.0 40.0 0.65 400 60 1.0 SGF735～765、SRF840～8A0、SRF1020～1060、SRF2020～2060、SR1620～16A0、SR3020～30A0、SR4020～40A0

8. 贴片肖特基二极管SS11～36、SS100系列产品型号正向特性 24

反向特性外形 IFM (A) SS12 SS13 SS14 SS15 SS16 SS18 SS100 SS22 SS23 SS24 SS25 SS26 SS32 SS33 SS34 SS35 SS36 其它常用型号 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0 3.0 3.0 3.0 3.0 3.0 VF(V)@ IFM 0.55 0.55 0.55 0.70 0.70 0.85 0.85 0.55 0.55 0.55 0.85 0.85 0.50 0.50 0.50 0.75 0.75 IF SM (A) 40.0 40.0 40.0 40.0 40.0 40.0 40.0 50.0 50.0 50.0 50.0 50.0 100 100 100 100 100 VR (V ) 20 30 40 50 60 80 100 20 30 40 50 60 20 30 40 50 60 IR(mA)@ VR 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 1.5 1.5 1.5 1.5 1.5 外形图17：SMC（DO-214AB）型外形图16：SMB（DO-214AA）型外形图15：SMA（DO-214AC）型

三. 电压调整（稳压）二极管

1. 硅稳压二极管2CW50～78系列（0.5W）参型数号 2CW50 2CW51 2CW52 2CW53 2CW54 2CW55 2CW56 2CW57 2CW58 2CW59 2CW60 2CW61 2CW62 2CW63 2CW64 2CW65 2CW66 2CW67 2CW68 2CW69 2CW70 2CW71 2CW72 2CW73 2CW74 2CW75 2CW76 2CW77 2CW78 测试条件 IZM mA 83 71 55 41 38 33 27 26 23 20 19 16 14 13 11 10 9 9 8 7 7 6 29 25 23 21 20 18 14 VZ V 1.0～2.8 2.5～3.5 3.2～4.5 4.0～5.8 5.5～6.5 6.2～7.5 7.0～8.8 8.5～9.5 9.2～10.5 10.0～11.8 11.5～12.5 12.2～14 13.5～17 16～19 18～21 20～24 23～26 25～28 27～30 29～33 32～36 35～40 7.0～8.8 8.5～9.5 9.2～10.5 10.0～11.8 11.5～12.5 12.2～14 13.5～17 IZ=IZ2 RZ1 Ω 300 400 550 550 500 400 400 400 400 400 400 400 400 400 400 400 400 400 400 400 400 400 12 18 25 30 35 35 45 IZ1=1mA RZ2 Ω 50 60 70 50 30 15 15 20 25 30 40 50 60 70 75 80 85 90 95 95 100 100 6 10 12 15 18 18 25 IZ=IZ2 I Z2 mA 10 10 10 10 10 10 5 5 5 5 5 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 5 5 5 5 5 5 5 IR μA 10(VR=0.5V) 5(VR=0.5V) 2(VR=0.5V) 1 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 VF V 电压温度系数 CTV -4(10/℃) ≥-9 ≥-9 ≥-8 -6～4 -3～5 ≤6 ≤7 ≤8 ≤8 ≤9 ≤9 ≤9.5 ≤9.5 ≤9.5 ≤10 ≤10 ≤10 ≤10 ≤10 ≤10 ≤10 ≤10 ≤7 ≤8 ≤8 ≤9 ≤9 ≤9.5 ≤9.5 电压漂移 Bvt(%) ±0.1 ±0.1 ±0.1 ±0.1 ±0.1 ±0.1 ±0.1 ±0.1 ±0.1 ±0.1 ±0.1 ±0.1 ±0.1 ±0.1 ±0.1 ±0.1 ±0.1 ±0.1 ±0.1 ±0.1 ±0.1 ±0.1 ±0.1 ±0.1 ±0.1 ±0.1 ±0.1 ±0.1 ±0.1 外形外形图2：DO-35型 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 IF=100m VR=1V A 国外常BZX55/C系列、BZX97/C系列、1N746～1N759、用型号 1N957～1N964、1N5221～1N5258

2. 硅稳压二极管2CW100～121系列（1W）参 IZM VZ RZ1 RZ2 I Z2 26

IR VF 电压温度电压型数号 2CW100 2CW101 2CW102 2CW103 2CW104 2CW105 2CW106 2CW107 2CW108 2CW109 2CW110 2CW111 2CW112 2CW113 2CW114 2CW115 2CW116 2CW117 2CW118 2CW119 2CW120 2CW121 测试条件 mA 330 280 220 165 150 130 110 100 95 83 76 66 58 52 47 41 38 35 33 30 27 25 V 1.0～2.8 2.5～3.5 3.2～4.5 4.0～5.8 5.5～6.5 6.2～7.5 7.0～8.8 8.5～9.5 9.2～10.5 10.0～11.8 11.5～12.5 12.2～14 13.5～17 16～19 18～21 20～24 23～26 25～28 27～30 29～33 32～36 35～40 IZ=IZ2 Ω 300 400 500 550 500 400 400 400 400 400 400 400 400 400 400 400 400 400 400 400 400 400 IZ1=1mA Ω 15 25 30 20 15 7 5 10 12 15 20 20 35 40 45 50 55 60 80 90 110 130 IZ=IZ2 mA 50 50 50 50 30 30 30 20 20 20 20 20 10 10 10 10 10 10 5 5 5 5 μA 10(VR=0.5V) 10(VR=0.5V) 5(VR=0.5V) 1 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 VR=1V 国外常用型号 V ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 IF=200mA 系数 CTV (10/℃) ≥-9 ≥-9 ≥-8 -6～4 -3～5 ≤6 ≤7 ≤8 ≤8 ≤9 ≤9 ≤10 ≤10 ≤11 ≤11 ≤11 ≤11 ≤11 ≤11 ≤12 ≤12 ≤12 -4漂移 Bvt(%) ±0.2 ±0.2 ±0.2 ±0.2 ±0.2 ±0.2 ±0.2 ±0.2 ±0.2 ±0.2 ±0.2 ±0.2 ±0.2 ±0.2 ±0.2 ±0.2 ±0.2 ±0.2 ±0.2 ±0.2 ±0.2 ±0.2 外形外形图3：DO-41型 1N4728～4754、BZV85C系列

3. 硅稳压二极管ZW50～78系列（0.5W）参 IZM VZ RZ1 RZ2 27

I Z2 IR VF 电压温度型数号 ZW50 ZW51 ZW52 ZW53 ZW54 ZW55 ZW56 ZW57 ZW58 ZW59 ZW60 ZW61 ZW62 ZW63 ZW64 ZW65 ZW66 ZW67 ZW68 ZW69 ZW70 ZW71 ZW72 ZW73 ZW74 ZW75 ZW76 ZW77 ZW78 测试条件外形 mA 150 130 120 95 82 76 68 56 52 46 38 34 30 28 24 22 20 18 16 15 14 12 68 56 52 46 38 34 30 V 1.0～2.8 2.5～3.5 3.2～4.5 4.0～5.8 5.5～6.5 6.2～7.5 7.0～8.8 8.5～9.5 9.2～10.5 10.0～11.8 11.5～12.5 12.2～14 13.5～17 16～19 18～21 20～24 23～26 25～28 27～30 29～33 32～36 35～40 7.0～8.8 8.5～9.5 9.2～10.5 10.0～11.8 11.5～12.5 12.2～14 13.5～17 IZ=IZ2 Ω 300 400 550 550 500 400 400 400 400 400 400 400 400 400 400 400 400 400 400 400 400 400 12 18 25 30 35 35 45 IZ1=1mA Ω 50 60 70 50 30 15 15 20 25 30 40 50 60 70 75 80 85 90 95 95 100 100 6 10 12 15 18 18 21 IZ=IZ2 国外常用型号 mA 10 10 10 10 10 10 5 5 5 5 5 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 5 5 5 5 5 5 5 μA 10(VR=0.5V) 5(VR=0.5V) 2(VR=0.5V) 1 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 V 外形图2：DO-35型 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 IF=100m VR=1V A BZX55/C系列、BZX97/C系列、1N746～1N759、 1N957～1N964、1N5221～1N5258 系数 CTV -4(10/℃) ≥-9 ≥-9 ≥-8 -6～4 -3～5 ≤6 ≤7 ≤8 ≤8 ≤9 ≤9 ≤9.5 ≤9.5 ≤9.5 ≤10 ≤10 ≤10 ≤10 ≤10 ≤10 ≤10 ≤10 ≤7 ≤8 ≤8 ≤9 ≤9 ≤9.5 ≤9.5 注：ZW系列产品的每一种型号的稳压值细分为A、B、C三挡，分档情况见29页附表。

4. 硅稳压二极管ZW100～121系列（1W）参 IZM VZ RZ1 RZ2 28

I Z2 IR VF 电压温度型数号 ZW100 ZW101 ZW102 ZW103 ZW104 ZW105 ZW106 ZW107 ZW108 ZW109 ZW110 ZW111 ZW112 ZW113 ZW114 ZW115 ZW116 ZW117 ZW118 ZW119 ZW120 ZW121 mA 330 280 220 165 150 130 110 100 95 83 76 66 58 52 47 41 38 35 33 30 27 25 V 1.0～2.8 2.5～3.5 3.2～4.5 4.0～5.8 5.5～6.5 6.2～7.5 7.0～8.8 8.5～9.5 9.2～10.5 10.0～11.8 11.5～12.5 12.2～14 13.5～17 16～19 18～21 20～24 23～26 25～28 27～30 29～33 32～36 35～40 Ω 300 400 500 550 500 400 400 400 400 400 400 400 400 400 400 400 400 400 400 400 400 400 Ω 15 25 30 20 15 7 5 10 12 15 20 20 35 40 45 50 55 60 80 90 110 130 mA 50 50 50 50 30 30 30 20 20 20 20 20 10 10 10 10 10 10 5 5 5 5 μA 50(VR=0.5V) 10(VR=0.5V) 5(VR=0.5V) 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 V ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 IF=200m测试条件 IZ=IZ2 IZ1=1mA IZ=IZ2 VR=1V A 外形外形图3：DO-41型国外常用型号 1N4728～4764、BZV85C系列注：ZW系列产品的每一种型号的稳压值细分为A、B、C三挡，分档情况见附表。附表：ZW系列产品分档标志系数 CTV -4(10/℃) ≥-9 ≥-9 ≥-8 -6～4 -3～5 ≤6 ≤7 ≤8 ≤8 ≤9 ≤9 ≤10 ≤10 ≤11 ≤11 ≤11 ≤11 ≤11 ≤11 ≤12 ≤12 ≤12

型号及分档 VZ(V) A 1.0～1.8 ZW50 B 1.6～2.4 ZW100 C 2.2～2.8 A 6.2～6.8 ZW55 B 6.6～7.3 ZW105 C 7.1～7.5 ZW60 A 11.5～12.0 ZW76 B 11.8～12.4 ZW110 C 12.2～12.5 A 20.0～21.5 ZW65 B 21.3～22.9 ZW115 C 22.7～24.0 A 32.0～33.5 ZW70 B 33.3～34.9 ZW120 C 34.7～36.0 型号及分档 A ZW51 B ZW101 C ZW56 A ZW72 B ZW106 C ZW61 A ZW77 B ZW111 C A ZW66 B ZW116 C A ZW71 B ZW121 C VZ(V) 2.5～3.1 2.9～3.4 3.2～3.5 7.0～7.8 7.6～8.4 8.2～8.8 12.2～13.0 12.8～13.6 13.4～14.0 23.0～24.2 24.0～25.2 25.0～26.0 35.0～36.8 36.6～38.6 38.4～40.0 型号及分档 A ZW52 B ZW102 C ZW57 A ZW73 B ZW107 C ZW62 A ZW78 B ZW112 C A ZW67 B ZW117 C VZ(V) 3.2～3.9 3.7～4.2 4.0～4.5 8.5～9.0 8.8～9.4 9.2～9.5 13.5～14.9 14.7～16.1 15.9～17.0 25.0～26.2 26.0～27.2 27.0～28.0 型号及分档 A ZW53 B ZW103 C ZW58 A ZW74 B ZW108 C A ZW63 B ZW113 C A ZW68 B ZW118 C VZ(V) 4.0～4.8 4.6～5.4 5.2～5.8 9.2～9.8 9.6～10.3 10.1～10.5 16.0～17.2 17.0～18.2 18.0～19.0 27.0～28.2 28.0～29.2 29.0～30.0 型号及分档 A ZW54 B ZW104 C ZW59 A ZW75 B ZW109 C A ZW64 B ZW114 C A ZW69 B ZW119 C VZ(V) 5.5～6.0 5.8～6.4 6.2～6.5 10.0～10.8 10.6～11.4 11.2～11.8 18.0～19.2 19.0～20.2 20.0～21.0 29.0～30.5 30.0～31.9 31.7～33.0 5. 硅稳压二极管2CW5221～5258（1N5221～5255）系列（0.5W） 29

参 VZ（±5%） IZ IZmax 型数 V mA mA 号 2CW5221 2.4 20 208 2CW5222 2.5 20 200 2CW5223 2.7 20 185 2CWS224 2.8 20 178 2CW5225 3.0 20 166 2CW5226 3.3 20 15l 2CW5227 3.6 20 138 2CW5228 3.9 20 128 2CW5229 4.3 20 116 2CW5230 4.7 20 106 2CW5231 5.1 20 98 2CW5232 5.6 20 89 2CW5233 6.O 20 83 2CW5234 6.2 20 80 2CW5235 6.8 20 73 2IW5236 7.5 20 66 2CW5237 8.2 20 60 2CW5238 8.7 20 57 2CW5239 9.1 20 55 2CW524O 10 20 50 2CW5241 11 20 45 2CW5242 12 20 41 2CW5243 13 9.5 38 2CW5244 14 9.O 35 2CW5245 15 8.S 33 2CW5246 16 7.8 31 2CW5247 17 7.4 29 2CW5248 18 7.O 27 2CW5249 19 6.6 26 2CW5250 20 6.2 25 2CW5251 22 5.6 22 2CW5252 24 5.2 21 2CW5253 25 5.O 20 2CW5254 27 4.6 18 2CW5255 28 4.5 17 2CW5256 30 4.2 15 2CW5257 33 3.8 14 2CW5258 36 3.4 13 测试条件 I=IZ Ta=25℃ 外形外形图2：DO-35型 rZmax Ω 30 30 30 30 29 28 24 23 22 19 17 11 7 7 5 6 8 8 8 17 22 30 13 15 16 17 19 21 23 25 29 33 35 41 44 49 58 70 I=IZ VR V 1 1 1 1 1 1 1 1 1 2.O 2.O 2.9 3.5 4.0 5.O 6.O 6.5 6.5 7.O 8.O 8.4 9.1 9.9 10 11.O 12.O 13.O 14.O 14.O 15.O l7.0 18.O 19.O 21.0 21.O 23.O 25.0 27.O IR μA 100 100 75 75 50 20 10 5 5 5 5 5 5 5 2.O O.5 O.5 0.5 O.5 0.2 0.2 0.5 O.2 0.2 O.2 0.10 O.10 0.10 O.10 0.10 O.10 0.10 0.10 O.10 0.10 0.10 O.10 0.10 V=VR VF V 1.1 1.1 1.1 1.1 1.1 1.1 1.1 1.1 1.1 1.1 1.1 1.1 1.1 1.1 1.1 1.1 1.1 1.1 1.1 1.1 1.1 1.1 1.1 1.1 1.1 1.1 1.1 1.1 1.1 1.1 1.1 1.1 1.1 1.1 1.1 1.1 1.1 1.1 I=200mA αVZ 10/℃ -9.5 -9.0 -8.5 -8.0 -7.5 -7.0 -6.5 -6.0 -5.5 -3.0 ±3.0 +3.8 +3.8 +4.5 +5.0 +5.8 +6.2 +6.5 +6.8 +7.5 +7.6 +7.7 +7.9 +8.2 +8.2 +8.3 +8.4 +8.5 +8.6 +8.6 +8.7 +8.7 +8.9 +9.0 +9.1 +9.1 +9.2 +9.3 -4对应国外型号 1N5221 1N5222 1N5223 1N5224 1N5225 1N5226 1N5227 1N5228 1N5229 1N5230 1N5231 1N5232 1N5233 1N5234 1N5235 1N5236 1N5237 1N5238 1N5239 1N5240 1N5241 1N5242 1N5243 1N5244 1N5245 1N5246 1N5247 1N5248 1N5249 1N5250 1N5251 1N5252 1N5253 1N5254 1N5255 1N5256 1N5257 1N5258 6. 硅稳压二极管2CW4728A～4764A（1N4728A～4764A）系列（1W）

参 VZ（±5%） IZ 型数 V mA 号 2CW4728A 3.3 76 2CW4729A 3.6 69 2CW4730A 3.9 64 2CW4731A 4.3 58 2CW4732A 4.7 53 2CW4733A 5.1 49 2CW4734A 5.6 45 2CW4735A 6.2 41 2CW4736A 6.8 37 2CW4737A 7.5 34 2CW4738A 8.2 31 2CW4739A 9.1 28 2CW4740A 1O 25 2CW4741A 11 23 2CW4742A 12 21 2CW4743A 13 19 2CW4744A 15 17 2CW4745A 16 15.5 2CW4746A 18 14 2CW4747A 20 12.5 2CW4748A 22 11.5 2CW4749A 24 10.5 2CW4750A 27 9.5 2CW4751A 30 8.5 2CW4752A 33 7.5 2CW4753A 36 7.O 2CW4754A 39 6.5 2CW4755A 43 6.0 2CW4756A 47 5.5 2CW4757A 51 5.0 2CW4758A 56 4.5 2CW4759A 62 4.0 2CW4760A 68 3.7 2CW4761A 75 3.3 2CW4762A 82 3.0 2CW4763A 91 2.8 2CW4764A 100 2.5 测试条件 I=IZ 外形外形图3：DO-41型 IZmax mA 276 252 234 217 193 178 162 146 133 12l 11O 100 91 83 76 69 61 57 50 45 41 38 34 30 27 25 23 22 19 18 16 14 13 12 11 10 9 Ta=25℃ rZmax Ω 11 10 9 9 8 7 5 2 3.5 4 4.5 5 7 8 9 10 14 16 20 22 23 25 35 40 45 50 60 70 80 95 110 125 150 175 200 250 350 I=IZ VR V 1.O 1.O 1.O 1.0 1.0 1.0 2.0 3.O 4.O 5.O 6.O 7.O 7.6 8.4 9.1 9.9 11.4 12.2 13.7 15.2 14.7 18.2 20.6 22.O 25.1 27.4 29.7 32.7 35.8 38.8 42.6 47.1 51.7 56.0 62.2 69.2 76.0 IR μA lOO 100 50 10 10 10 10 10 10 10 1O l0 1O 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 V=VR VF V 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2 I=200mA αVZ 10/℃ －O.6 －O.6 －O.5 －O.3 －O.1 ±1 +3 +4 +5 +5 +6 +6 +7 +7 +7 +7 +8 +8 +8 +8 +8 +8 +9 +9 +9 +9 +9 +9 +10 +10 +10 +11 +11 +12 +12 +12 +12 -4对应国外型号 1N4728A 1N4729A 1N4730A 1N4731A 1N4732A 1N4733A 1N4734A 1N4735A 1N4736A 1N4737A 1N4738A 1N4739A 1N4740A 1N4741A 1N4742A 1N4743A 1N4744A 1N4745A 1N4746A 1N4747A 1N4748A 1N4749A 1N4750A 1N4751A 1N4752A 1N4753A 1N4754 1N4755A 1N4756A 1N4757A 1N4758A 1N4759A 1N4760A 1N4761A 1N4762A 1N4763A 1N4764A 7. 硅稳压二极管1N746A～759A、1N957A～974A系列（0.5W）

参 VZ（±5%）型数 V IZ(mA) 号 1N746A 3.3 20 1N747A 3.6 20 lN748A 3.9 20 1N749A 4.3 20 1N750A 4.7 20 lN75lA 5.1 20 lN752A 5.6 20 IN753A 6.2 20 IN754A 6.8 20 1N755A 7.5 20 lN756A 8.2 20 1N757A 9.1 20 1N758A 10 20 1N759A 12 20 IN957B 6.8 18.5 IN958B 7.5 16.5 IN959B 8.2 15 1N960B 9.1 14 lN96lB 10 12.5 1N962B 11 11.5 1N963B 12 10.5 IN964B 13 9.5 IN965B 15 8.5 IN966B 16 7.8 IN967B 18 7.O 1N968B 20 6.2 1N969B 22 5.6 1N970B 24 5.2 1N97IB 27 4.6 lN972B 30 4.2 IN973B 33 3.8 IN974B 36 3.4 外形外形图2：DO-35型 RZmax Ω 28 24 23 22 19 17 11 7.O 5.O 6.O 8.O 1O 17 30 4.5 5.5 6.5 7.5 8.5 9.5 11.5 13 16 17 21 25 29 33 41 49 58 70 IZ(mA) 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 18.5 16.5 15 14 12.5 11.5 10.5 9.5 8.5 7.8 7.O 6.2 5.6 5.2 4.6 4.2 3.8 3.4 μA 10 10 10 2.O 2.O 1.O 1.O O.1 O.1 O.1 O.1 O.1 O.1 O.1 150 75 50 25 1O 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 IRmax VR(V) 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 5.2 5.7 6.2 6.9 7.6 8.4 9.1 9.9 11.4 12.2 13.7 15.2 16.7 18.2 20.6 22.8 25.1 27.4 αVZ -4(10/℃) ≥-7.O ≥-6.5 ≥-6.O ±5.5 ±4.3 ±3.O ≤2.8 ≤4.5 ≤5.O ≤5.8 ≤6.2 ≤6.8 ≤7.5 ≤7.7 ≤5.O ≤5.8 ≤6.2 ≤6.8 ≤7.2 ≤7.3 ≤7.6 ≤7.9 ≤8.2 ≤8.3 ≤8.5 ≤8.6 ≤8.7 ≤8.8 ≤9.O ≤9.1 ≤9.2 ≤9.3

8. 硅稳压二极管1N4352B～4358B系列（1W）

参型数号 1N4352B 1N4353B 1N4354B 1N4355B 1N4356B 1N4357B 1N4358B 测试条件外形 VZ（±5%） V 110 120 130 150 160 180 200 I=IZ rzk Ω 5000 5000 5000 5000 5000 5000 5000 I=IZK IZK mA 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 rz Ω 450 550 700 1000 1100 1200 1500 I=IZ IZ mA 2.5 2.0 2.0 1.5 1.5 1.5 1.0 IR1 μA 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 V=VR VR V 82.0 91.0 100 110 120 130 150 VF V 1 1 1 1 1 1 1 IF=200mA IZM mA 8 7.5 7 6 5.5 5 4.5 αvz 10/℃ 12 12 12 12 12 12 12 I=IZ T=25℃，75℃ -4外形图3：DO-41型

9. 硅稳压二极管HZ2～36系列（0.5W）参 VZ（V） 33

IR（μA） RZ（Ω）型数号 1 2 max 2.2 2.5 2.8 3.1 3.4 3.7 4.O 4.3 4.6 4.9 5.2 5.6 5.9 6.3 6.7 7.2 7.7 8.3 8.9 9.5 1O.1 10.8 11.6 12.4 13.1 14.0 15.1 16.5 18.3 20.4 22.6 24.7 27.6 30.6 33.6 36.8 min 2.1 2.4 2.7 3.O 3.3 3.6 3.9 4.2 4.5 4.8 5.1 5.4 5.7 6.1 6.6 7.O 7.5 8.1 8.7 9.3 9.9 10.7 11.4 12.2 12.9 13.8 14.9 16.3 18.1 20.2 22.3 24.3 27.2 30.2 33.2 36.4 3 max 2.3 2.6 2.9 3.2 3.5 3.8 4.1 4.4 4.7 5.O 5.3 5.7 6.O 6.4 6.9 7.3 7.9 8.5 9.1 9.7 10.3 11.1 11.9 12.7 13.4 14.3 15.5 17.1 19.O 21.1 23.3 25.5 28.6 31.6 34.6 38.O min max min B 1.9 2.1 2.O HZ2 C 2.2 2.4 2.3 A 2.5 2.7 2.6 HZ3 B 2.8 3.O 2.9 C 3.1 3.3 3.2 A 3.4 3.6 3.5 HZ4 B 3.7 3.9 3.8 C 4.O 4.2 4.1 A 4.3 4.5 4.4 HZ5 B 4.6 4.8 4.7 C 4.9 5.1 5.O A 5.2 5.5 5.3 HZ6 B 5.5 5.8 5.6 C 5.8 6.1 6.O A 6.3 6.6 6.4 HZ7 B 6.7 7.O 6.9 C 7.2 7.6 7.3 A 7.7 8.1 7.9 HZ9 B 8.3 8.7 8.5 C 8.9 9.3 9.1 A 9.5 9.9 9.7 HZ11 B 10.2 10.6 10.4 C 10.9 11.3 11.1 A 11.6 12.1 11.9 HZ12 B 12.4 12.9 12.6 C 13.2 13.7 13.5 HZ15 14.1 14.7 14.5 HZ16 15.3 15.9 15.7 HZ18 16.9 17.7 17.5 HZ20 18.8 19.7 l9.5 HZ22 20.9 21.9 21.6 HZ24 22.9 24.O 23.6 HZ27 25.2 26.6 26.2 HZ30 28.2 29.6 29.2 HZ33 31.2 32.6 32.2 HZ36 34.2 35.7 35.3 外形外形图2：DO-35型条件 Max IZ(mA) 10 条件 VR(V) 0.5 Max 100 条件 IZ(mA) 0.5 5 5 1.0 100 5 100 1.5 100 5 2 35 3.5 15 5 5 7.5 20 5 25 1 9.5 11 12 13 15 17 19 21 23 25 27 35 40 45 55 60 65 70 80 100 120 140 2 2

10. 硅稳压二极管BZX55/C系列（0.5W）

参 Vz（±5％）型数 V Iz(mA) 号 BZX55/C2V4 2.4 5 BZX55/C2V7 2.7 5 BZX55/C3VO 3.O 5 BZX55/C3V3 3.3 5 BZX55/C3V6 3.6 5 BZX55/C3V9 3.9 5 BZX55/C4V3 4.3 5 BZX55/C4V7 4.7 5 BZX55/C5V1 5.1 5 BZX55/C5V6 5.6 5 BZX55/C6V2 6.2 5 BZX55/C6V8 6.8 5 BZX55/C7V5 7.5 5 BZX55/C8V2 8.2 5 BZX55/C9V1 9.1 5 BZX55/C10 10 5 BZX55/C11 11 5 BZX55/C12 12 5 BZX55/C13 13 5 BZX55/C15 15 5 BZX55/C16 16 5 BZX55/C18 18 5 BZX55/C20 20 5 BZX55/C22 22 5 BZX55/C24 24 5 BZX55/C27 27 5 BZX55/C30 30 5 BZX55/C33 33 5 BZX55/C36 36 5 外形外形图2：DO-35型 Rzmax Ω 85 85 85 85 85 85 75 60 35 25 10 8 7 7 10 15 20 20 26 30 40 50 55 55 80 80 80 80 80 Iz(mA) 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 μA 50 10 4 2 2 2 1 O.5 O.1 O.1 O.1 O.1 O.1 O.1 O.1 O.1 O.1 O.1 O.1 O.1 O.1 O.1 O.1 O.1 O.1 O.1 O.1 O.1 O.1 IR VR(V) 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 2 3 5 6.2 6.8 7.5 8.2 9.1 10 1 12 13 15 16 18 20 22 24 27 αVZ -4(10/℃) ≥-6 ≥-6 ≥-5 ≥-5 ≥-5 ≥-5 ≥-3 ≤2 ≤2 ≤5 ≤6 ≤7 ≤7 ≤8 ≤9 ≤10 ≤11 ≤11 ≤11 ≤11 ≤11 ≤11 ≤11 ≤12 ≤12 ≤12 ≤12 ≤12 ≤12

11. 硅稳压二极管BZX85/C系列（1W）

参 Vz（±5％）型数 V Iz(mA) 号 BZX85/C2V7 2.7 80 BZX85/C3VO 3.O 80 BZX85/C3V3 3.3 80 BZX85/C3V6 3.6 70 BZX85/C3V9 3.9 60 BZX85/C4V3 4.3 50 BZX85/C4V7 4.7 45 BZX85/C5V1 5.1 45 BZX85/C5V6 5.6 45 BZX85/C6V2 6.2 35 BZX85/C6V8 6.8 35 BZX85/C7V5 7.5 35 BZX85/C8V2 8.2 25 BZX85/C9V1 9.1 25 BZX85/C1O 10 25 BZX85/C11 11 20 BZX85/C12 12 20 BZX85/C13 13 20 BZX85/C15 15 15 BZX85/C16 16 15 BZX85/Cl8 18 15 BZX85/C20 20 10 BZX85/C22 22 10 BZX85/C24 24 1O BZX85/C27 27 8 BZX85/C30 30 8 BZX85/C33 33 8 BZX85/C36 36 8 外形外形图3：DO-41型 Rzmax Ω 20 20 20 15 15 13 13 10 7 4 3.5 3 5 5 7 8 9 1O 15 15 20 24 25 25 30 30 35 40 Iz(mA) 80 80 80 70 60 50 45 45 45 35 35 35 25 25 25 20 20 20 15 15 15 10 10 10 8 8 8 8 μA 150 lOO 40 20 10 3 3 1 1 1 1 1 1 1 0.5 O.5 O.5 O.5 O.5 0.5 O.5 O.5 O.5 O.5 O.5 O.5 O.5 O.5 IR VR(V) 1 1 1 1 1 1 1 1.5 2 3 4 4.5 6.2 6.8 7 8.2 9.1 10 11 12 13 15 16 18 20 22 24 27 αVZ -4(10/℃) ≥-5.O ≥-5.O ≥-5.O ≥-5.0 ≥-2.O ≤1.O ≤4.0 ≤4.0 ≤4.5 ≤5.5 ≤6.0 ≤6.5 ≤7.O ≤7.5 ≤8.O ≤8.O ≤8.5 ≤8.5 ≤9.O ≤9.O ≤9.O ≤9.O ≤9.5 ≤9.5 ≤9.5 ≤9.5 ≤9.5 ≤9.5

四. 电压基准二极管

1. 硅基准稳压二极管2DW14～18系列稳定动态反向噪声参电压电阻漏电流型数 VnL( VVnW( VVZ( V ) RZ(Ω) IR(μA) 号 ) ) A B C D A B C D A B C D A B C D A B C D 6.2±5% 6.3±5% 6.2±5% 6.3±5% 6.2±5% 6.3±5% 6.2±5% 6.3±5% 6.2±5% 6.3±5% IZ=10mA ≤10 ≤0.1 ≤15 ≤10 ≤0.1 ≤15 ≤10 ≤0.1 ≤15 ≤10 ≤0.1 ≤15 ≤10 ≤0.1 ≤15 IZ=10mA 0.1-10Hz ≤5 5 10-10KHz ≤5 ≤5 ≤5 ≤5 5 ≤5 5 ≤5 ≤5 ≤5 ≤5 电压温度系数最佳测试电流 Iz0(mA) 5 7.5 10 Iz0* 5 7.5 10 Iz0* 5 7.5 10 Iz0* 5 7.5 10 Iz0* 5 7.5 10 Iz0* Iz0*表示每支管子具体给出工作电流值 CTV -6(10/℃) 测试温度 (℃) 25,75 ≤5 -55, 25,100 25,75 ≤5 -55, 25,100 25,75 ≤5 -55, 25,100 25,75 ≤5 -55, 25,100 25,75 ≤5 -55, 25,100 IZ=IZ0 ≤40 ≤20 ≤10 ≤5 ≤2 长期稳定性 ΔVZ/VZ ppm/1000h 2DW14 2DW15 2DW16 2DW17 2DW18 测试条件极限额定参数外形 VR=1V PZM=200mW TjM=175℃ IZM=30mA 外形图21：B-3（A3-02B）型国外常用型号

2. 硅平面温度补偿二极管2DW230～236系列参稳定电压动态电阻反向漏电流型最大工作电数 VZ ( V ) IZ (mA) RZ(Ω) IZ (mA) IR (μA) VR(V) 流 IZM (mA) 号 2DW230 2DW231 2DW232 2DW233 2DW234 2DW235 2DW236 极限额定参数 PZM=200mW， TjM=175℃ 外形外形图21：B-3 （A3-02B）型国外常用型号 6.0～6.5 10 ≤10 10 ≤1 －1 30 |10| 5.8～6.6 ≤25 ≤15 温度系数 CTV (10/℃) IZ (mA) |50| 10 10 5 7.5 10 12.5 15 -6

五. 电流调整（稳流）二极管

1. 稳流管2DH1～36系列参型数号 2DH1 2DH2 2DH3 2DH4 2DH5 2DH6 2DH7 2DH8 2DH9 2DH10 2DH11 2DH12 2DH13 2DH14 2DH15 2DH16 2DH17 2DH18 2DH19 2DH20 2DH21 2DH22 2DH23 2DH24 2DH25 2DH26 2DH27 2DH28 2DH29 2DH30 测试条件最大耗散功率 Pt (mW） 300 300 300 300 300 300 300 300 300 300 300 300 300 500（塑封300） 500（塑封300） 500 700 700 700 700 700 1000 1000 1000 1500 1500 1500 1500 1500 1500 最大稳定电流 Is(mA) 0.08～0.15 0.14～0.23 0.22～0.31 0.30～0.41 0.40～0.54 0.53～0.71 0.70～0.90 0.85～1.15 1.10～1.50 1.40～1.80 1.70～2.40 2.30～3.10 3.00～4.10 4.00～5.40 5.30～7.00 6.9～7.9 7.8～8.6 8.5～9.5 9.4～10.5 10.4～11.5 11.4～12.5 12.4～13.7 13.6～15.5 15.4～17.1 17～19.2 19～21.2 21～23.2 23～25.4 25～28.4 28～31.4 V=15V Ta=25±2℃ 起始电压 VL(V) ≤1.0 ≤1.0 ≤1.0 ≤1.0 ≤1.0 ≤1.5 ≤1.5 ≤2.0 ≤2.0 ≤2.5 ≤2.5 ≤3.0 ≤3.2 ≤4.0 ≤4.5 ≤5 ≤5 ≤6 ≤6 ≤6 ≤6 ≤6 ≤6 ≤6 ≤6 ≤6 ≤6 ≤6 ≤6 ≤6 I=0.9IS 击穿电压 VBR(V) ≥20 ≥20 ≥20 ≥20 ≥20 ≥20 ≥20 ≥20 ≥20 ≥20 ≥20 ≥20 ≥20 ≥20 ≥20 ≥20 ≥20 ≥20 ≥20 ≥20 ≥20 ≥20 ≥20 ≥20 ≥20 ≥20 ≥20 ≥20 ≥20 ≥20 I=1.2IS 动态电阻 Zd(MΩ) ≥8.0 ≥5.0 ≥1.0 ≥1.0 ≥2.0 ≥1.5 ≥1.0 ≥0.8 ≥0.55 ≥0.45 ≥0.40 ≥0.30 ≥0.20 ≥0.15 ≥0.10 ≥0.1 ≥0.1 ≥0.08 ≥0.08 ≥0.06 ≥0.06 ≥0.04 ≥0.035 ≥0.03 ≥0.03 ≥0.025 ≥0.02 ≥0.02 ≥0.018 ≥0.018 V=15V， V～=1.5V； f=90HZ 最大稳定电流的温度系数 αIs (1/℃) -3+7.0×10 -3+5.0×10 -3+3.5×10 -3+2.5×10 -3±2.5×10 -3±2.5×10 -3-3.5×10 -3-3.5×10 -3-3.5×10 -3-4.0×10 -3-4.5×10 -3-5.0×10 -3-5.0×10 -5.5×10 -6.0×10 -6×10 -3-6×10 -3-7×10 -3-7×10 -3-7×10 -3-7×10 -3-7×10 -3-7×10 -3-7×10 -3-7×10 -3-7×10 -3-7×10 -3-7×10 -3-7×10 -3-7×10 0℃～50℃ -3-3-3外形外形图22：B-1 （A3-01B）型外形图21：B-3（A3-02B）型外形图23：S-7（TO-220）型注：另可根据用户要求定制30～1000mA的恒流源，动态电阻较上表所列产品可降低一个数量级。具体外形尺寸及技术参数根据双方技术协议进行。

六. 瞬变电压抑制二极管

1. 单双向瞬变电压抑制二极管TVS500～534系列参型数号 TVS500 TVS501 TVS502 TVS503 TVS504 TVS505 TVS506 TVS507 TVS508 TVS509 TVS510 TVS511 TVS512 TVS513 TVS514 TVS515 TVS516 TVS517 TVS518 TVS519 TVS520 TVS521 TVS522 TVS523 TVS524 TVS525 TVS526 TVS527 TVS528 TVS529 TVS530 TVS531 TVS532 TVS533 TVS534 单向 TVS500D TVS501D TVS502D TVS503D TVS504D TVS505D TVS506D TVS507D TVS508D TVS509D TVS510D TVS511D TVS512D TVS513D TVS514D TVS515D TVS516D TVS517D TVS518D TVS519D TVS520D TVS521D TVS522D TVS523D TVS524D TVS525D TVS526D TVS527D TVS528D TVS529D TVS530D TVS531D TVS532D TVS533D TVS534D 双向峰值脉冲功率 PP (W) 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 击穿电测试压电流 (中心值) VB (V) I T(mA) 最大箝位电压 VC (V) 12.1 13.4 14.5 15.6 16.7 18.2 21.2 22.5 25.2 27.7 30.6 33.2 37.5 41.4 45.7 49.9 53.9 59.3 64.8 70.1 77.0 85.0 92.0 103.0 113.0 125.0 137.0 152.0 165.0 179.0 207.0 219.0 234.0 246.0 274.0 最大反向漏流 I R (μA) 200 50 10 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 其他常用型号最大峰值脉冲电流 IPP (A) 40.0 36.2 33.3 30.9 28.9 26.3 22.7 21.3 18.9 17.2 15.7 14.4 12.8 11.5 10.5 9.6 8.9 8.1 7.4 6.8 6.2 5.6 5.1 4.6 4.2 3.8 3.5 3.2 2.9 2.7 2.3 2.2 2.0 1.9 1.7 41.3 37.3 34.5 32.0 29.9 27.5 23.6 22.2 19.8 18.0 16.3 15.1 13.3 12.1 10.9 10.0 9.3 8.4 7.7 7.1 6.5 5.9 5.4 4.8 4.4 4.0 3.6 3.3 3.0 2.8 2.4 2.3 2.1 2.0 1.8 击穿电压温度系数(最大值) αVB（%/℃） 0.065 0.068 0.073 0.075 0.078 0.081 0.084 0.086 0.088 0.090 0.092 0.094 0.096 0.097 0.098 0.099 0.100 0.101 0.101 0.102 0.103 0.104 0.104 0.105 0.105 0.106 0.106 0.107 0.107 0.107 0.108 0.108 0.108 0.108 0.108 8 10 12.5 9 1 13.8 10 1 15.0 11 1 16.2 12 1 17.3 13 1 19.0 15 1 22.0 16 1 23.5 18 1 26.5 20 1 29.1 22 1 31.9 24 1 34.7 27 1 39.1 30 1 43.5 33 1 47.7 36 1 52.0 39 1 56.4 43 1 61.9 47 1 67.8 51 1 73.5 56 1 80.5 62 1 89.0 68 1 98.0 75 1 108.0 82 1 118.0 91 1 131.0 100 1 144.0 110 1 158.0 120 1 173.0 130 1 187.0 150 1 215.0 160 1 230.0 170 1 244.0 180 1 258.0 200 1 287.0 外形图2：DO-35型外形外形图3：DO-41型 40

2. 单双向瞬变电压抑制二极管TVS1000～1034系列参型数号 TVS1000 TVS1001 TVS1002 TVS1003 TVS1004 TVS1005 TVS1006 TVS1007 TVS1008 TVS1009 TVS1010 TVS1011 TVS1012 TVS1013 TVS1014 TVS1015 TVS1016 TVS1017 TVS1018 TVS1019 TVS1020 TVS1021 TVS1022 TVS1023 TVS1024 TVS1025 TVS1026 TVS1027 TVS1028 TVS1029 TVS1030 TVS1031 TVS1032 TVS1033 TVS1034 单向 TVS1000D TVS1001D TVS1002D TVS1003D TVS1004D TVS1005D TVS1006D TVS1007D TVS1008D TVS1009D TVS1010D TVS1011D TVS1012D TVS1013D TVS1014D TVS1015D TVS1016D TVS1017D TVS1018D TVS1019D TVS1020D TVS1021D TVS1022D TVS1023D TVS1024D TVS1025D TVS1026D TVS1027D TVS1028D TVS1029D TVS1030D TVS1031D TVS1032D TVS1033D TVS1034D 双向峰值脉冲功率 PP (W) 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 外形击穿电压（中心值） VB (V) 测试电流 I T(mA) 最大箝位电压 VC (V) 12.1 13.4 14.5 15.6 16.7 18.2 21.2 22.5 25.2 27.7 30.6 33.2 37.5 41.4 45.7 49.9 53.9 59.3 64.8 70.1 77.0 85.0 92.0 103.0 113.0 125.0 137.0 152.0 165.0 179.0 207.0 219.0 234.0 246.0 274.0 最大反向漏流 I R (μA) 200 50 10 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 国外常用型号最大峰值脉冲电流 IPP (A) 80.0 72.5 66.7 61.7 57.8 52.6 45.4 42.6 37.7 34.4 31.3 28.8 21.6 23.0 21.0 19.2 17.7 16.2 14.7 13.6 12.4 11.2 10.2 9.3 8.5 7.6 6.9 6.3 6.8 5.3 4.6 4.3 4.1 3.9 3.5 82.6 74.6 69.0 64.1 59.9 54.9 47.2 44.4 39.7 36.1 32.7 30.1 26.7 24.2 21.9 20.0 18.6 16.9 15.4 14.3 13.0 11.8 10.9 9.7 8.8 8.0 7.3 6.6 6.1 5.6 4.8 4.6 4.3 4.1 3.6 击穿电压温度系数(最大值) αVB（%/℃） 0.065 0.068 0.073 0.075 0.078 0.081 0.084 0.086 0.088 0.090 0.092 0.094 0.096 0.097 0.098 0.099 0.100 0.101 0.101 0.102 0.103 0.104 0.104 0.105 0.105 0.106 0.106 0.107 0.107 0.107 0.108 0.108 0.108 0.108 0.108 8 10 12.5 9 1 13.8 10 1 15.0 11 1 16.2 12 1 17.3 13 1 19.0 15 1 22.0 16 1 23.5 18 1 26.5 20 1 29.1 22 1 31.9 24 1 34.7 27 1 39.1 30 1 43.5 33 1 47.7 36 1 52.0 39 1 56.4 43 1 61.9 47 1 67.8 51 1 73.5 56 1 80.5 62 1 89.0 68 1 98.0 75 1 108.0 82 1 118.0 91 1 131.0 100 1 144.0 110 1 158.0 120 1 173.0 130 1 187.0 150 1 215.0 160 1 230.0 170 1 244.0 180 1 258.0 200 1 287.0 外形图3：DO-41型外形图12：DO-15型

3. 单双向瞬变电压抑制二极管TVS1500～1534系列参型数号 TVS1500 TVS1501 TVS1502 TVS1503 TVS1504 TVS1505 TVS1506 TVS1507 TVS1508 TVS1509 TVS1510 TVS1511 TVS1512 TVS1513 TVS1514 TVS1515 TVS1516 TVS1517 TVS1518 TVS1519 TVS1520 TVS1521 TVS1522 TVS1523 TVS1524 TVS1525 TVS1526 TVS1527 TVS1528 TVS1529 TVS1530 TVS1531 TVS1532 TVS1533 TVS1534 单向 TVS1500D TVS1501D TVS1502D TVS1503D TVS1504D TVS1505D TVS1506D TVS1507D TVS1508D TVS1509D TVS1510D TVS1511D TVS1512D TVS1513D TVS1514D TVS1515D TVS1516D TVS1517D TVS1518D TVS1519D TVS1520D TVS1521D TVS1522D TVS1523D TVS1524D TVS1525D TVS1526D TVS1527D TVS1528D TVS1529D TVS1530D TVS1531D TVS1532D TVS1533D TVS1534D 双向峰值脉冲功率 PP (W) 1500 1500 1500 1500 1500 1500 1500 1500 1500 1500 1500 1500 1500 1500 1500 1500 1500 1500 1500 1500 1500 1500 1500 1500 1500 1500 1500 1500 1500 1500 1500 1500 1500 1500 1500 击穿电压（中心值） VB (V) 8 9 10 11 12 13 15 16 18 20 22 24 27 30 33 36 39 43 47 51 56 62 68 75 82 91 100 110 120 130 150 160 170 180 200 测试电流 IT(mA) 10 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 最大箝位电压最大反向漏流最大峰值脉冲电流 IPP (A) 120 124 109 112 100 103 93 96 87 90 79 82 68 71 64 67 56.5 59.5 51.5 54 47 49 43 45 38.5 40 34.5 36 31.5 33 29 30 26.5 28 24 25.3 22.2 23.3 20.4 21.4 18.6 19.5 16.7 17.7 15.3 16.3 13.9 14.6 12.7 13.3 11.4 12.0 10.4 11.0 9.5 9.9 8.7 9.1 8.0 8.4 7.0 7.2 6.5 6.8 6.2 6.4 5.8 6.1 5.2 5.5 击穿电压温度系数(最大值) αVB（%/℃） 0.065 0.068 0.073 0.075 0.078 0.081 0.084 0.086 0.088 0.090 0.092 0.094 0.096 0.097 0.098 0.099 0.100 0.101 0.101 0.102 0.103 0.104 0.104 0.105 0.105 0.106 0.106 0.107 0.107 0.107 0.108 0.108 0.108 0.108 0.108 VC (V) I R (μA) 12.5 12.1 200 13.8 13.4 50 15.0 14.5 10 16.2 15.6 5 17.3 16.7 5 19.0 18.2 5 22.0 21.2 5 23.5 22.5 5 26.5 25.2 5 29.1 27.7 5 31.9 30.6 5 34.7 33.2 5 39.1 37.5 5 43.5 41.4 5 47.7 45.7 5 52.0 49.9 5 56.4 53.9 5 61.9 59.3 5 67.8 64.8 5 73.5 70.1 5 80.5 77.0 5 89.0 85.0 5 98.0 92.0 5 108.0 103.0 5 118.0 113.0 5 131.0 125.0 5 144.0 137.0 5 158.0 152.0 5 173.0 165.0 5 187.0 179.0 5 215.0 207.0 5 230.0 219.0 5 244.0 234.0 5 258.0 246.0 5 287.0 274.0 5 国外常外形外形图13：DO-201AD型用型号

4. 单双向瞬变电压抑制二极管TVS5000～5034系列峰值击穿电压参脉冲（中心型功率值）数号 PP (W) VB (V) TVS5000 TVS5001 TVS5002 TVS5003 TVS5004 TVS5005 TVS5006 TVS5007 TVS5008 TVS5009 TVS5010 TVS5011 TVS5012 TVS5013 TVS5014 TVS5015 TVS5016 TVS5017 TVS5018 TVS5019 TVS5020 TVS5021 TVS5022 TVS5023 TVS5024 TVS5025 TVS5026 TVS5027 TVS5028 TVS5029 TVS5030 TVS5031 TVS5032 TVS5033 TVS5034 单向 TVS5000D TVS5001D TVS5002D TVS5003D TVS5004D TVS5005D TVS5006D TVS5007D TVS5008D TVS5009D TVS5010D TVS5011D TVS5012D TVS5013D TVS5014D TVS5015D TVS5016D TVS5017D TVS5018D TVS5019D TVS5020D TVS5021D TVS5022D TVS5023D TVS5024D TVS1525D TVS1526D TVS1527D TVS1528D TVS1529D TVS1530D TVS1531D TVS1532D TVS1533D TVS1534D 双向 5000 5000 5000 5000 5000 5000 5000 5000 5000 5000 5000 5000 5000 5000 5000 5000 5000 5000 5000 5000 5000 5000 5000 5000 5000 5000 5000 5000 5000 5000 5000 5000 5000 5000 5000 外形 8 9 10 11 12 13 15 16 18 20 22 24 27 30 33 36 39 43 47 51 56 62 68 75 82 91 100 110 120 130 150 160 170 180 200 测试电流 I T(mA) 10 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 最大箝位电压 VC (V) 12.5 13.8 15.0 16.2 17.3 19.0 22.0 23.5 26.5 29.1 31.9 34.7 39.1 43.5 47.7 52.0 56.4 61.9 67.8 73.5 80.5 89.0 98.0 108.0 118.0 131.0 144.0 158.0 173.0 187.0 215.0 230.0 244.0 258.0 287.0 12.1 13.4 14.5 15.6 16.7 18.2 21.2 22.5 25.2 27.7 30.6 33.2 37.5 41.4 45.7 49.9 53.9 59.3 64.8 70.1 77.0 85.0 92.0 103.0 113.0 125.0 137.0 152.0 165.0 179.0 207.0 219.0 234.0 246.0 274.0 最大反向漏流 I R (μA) 200 50 10 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 国外常用型号最大峰值脉冲电流 IPP (A) 400 362 333 309 289 263 227 213 189 172 157 144 128 115 105 96 89 81 74 68 62 56 51 46 42 38 35 32 29 27 23 22 20 19 17 413 373 345 320 299 275 236 222 198 180 163 151 133 121 109 100 93 84 77 71 65 59 54 48 44 40 36 33 30 28 24 23 21 20 18 击穿电压温度系数(最大值) αVB（%/℃） 0.065 0.068 0.073 0.075 0.078 0.081 0.084 0.086 0.088 0.090 0.092 0.094 0.096 0.097 0.098 0.099 0.100 0.101 0.101 0.102 0.103 0.104 0.104 0.105 0.105 0.106 0.106 0.107 0.107 0.107 0.108 0.108 0.108 0.108 0.108 外形图14：P600型

第二部分：晶体管

一. 双极型晶体管

双极型晶体管hFE分档标记色点颜色橙色黄色 40～55 绿色 55～80 兰色 80～120 紫色 120～180 灰色 180～270 hFE值范围 25～40 1. 硅NPN型平面高频小功率三极管3DG100、3DG111、3DG130系列 3DG100系列极限参数参型数 PCM ICM ICEO 号 (mW) (mA) (μA) 3DG100A 3DG100B 3DG100C 3DG100D 100 20 ≤0.01 ICEO (μA) ≤0.01 直流参数交流参数 IEBO V BES V CES BVCBO BVCEO BVEBO fT Cob GP hFE (μA) (V) (V) (V) (V) (V) (MHZ) (pF) (db) ≤0.01 ≤IB1=IB21 IC= 10mA IB= 1mA ≤1 ≥30 ≥30 ≥40 ≥30 ≥40 ≥20 ≥30 ≥4 ≥20 ≥30 ≥150 ≤4 ≥300 VCE= 10V IE= 3mA f=100MHZ ≥7 测试条件 VCB= 10V VCE= 10V VEB= 1.5V IC= 10mA IB= 1mA 外形外形图22：B-1（A3-01B）型同类产品型号 VCE= VCE= 10V IC= IC= IE= VCB= 10V IE= 100 100 100 10V IC= 3mA μA μA μA IE=0 3mA f=100 MHZ 3DG6、3DG49、3DG51、3DG101、3DG102

3DG111系列参型数号 3DG111A 3DG111B 3DG111C 3DG111D 3DG111E 3DG111F 极限参数直流参数 PCM ICM ICEO ICEO IEBO V BES V CES BVCBO hFE (mW) (mA) (μA) (μA) (μA) (V) (V) (V) ≥20 ≥40 ≥60 ≥20 ≥40 ≥60 BVCEO (V) ≥15 ≥30 ≥45 ≥15 ≥30 ≥45 交流参数 BVEBO fT Cob GP (V) (MHZ) (pF) (db) ≥150 ≥4 ≥300 ≤5 ≥7 300 50 ≤0.1 ≤0.1 ≤0.1 ≤1 ≤≥0.35 30 测试条件 VCB= 10V VCE= 10V VEB= 1.5V IC= 10mA IB= 1mA IC= 10mA IB= 1mA 外形外形图22：B-1（A3-01B）型同类产品型号 VCE= VCE= 10V 10V IC= IC= IE= VCB= IE= IE= 100μ100μ100μ10V 10mA 10mA A A A IE=0 f=100 f=10MHZ 0MHZ 3DG4、3DG9、3DG11C～F、3DG18、3DG19C～F、3DG32A～B、3DG45、3DG61、3DG62、3DG63、3DG103、3DG110 VCE= 10V IC= 10mA 44

3DG130系列参型数号 3DG130A 3DG130B 3DG130C 3DG130D 极限参数直流参数 PCM ICM ICEO ICEO IEBO V BES V CES BVCBO hFE (mW) (mA) (μA) (μA) (μA) (V) (V) (V) 700 300 ≤0..5 ≤1 ≤0.5 ≤1 IC= 100 mA IB= 10mA ≤0.6 IC= 100 mA IB= 10mA ≥30 VCE= 10V IC= 50 mA ≥40 ≥60 ≥40 ≥60 IC= 100 μA BVCEO (V) ≥30 ≥45 ≥30 ≥45 IC= 100 μA 交流参数 BVEBO fT Cob GP (V) (MHZ) (pF) (db) ≥150 ≥4 ≥300 IE= 100 μA VCE= 10V IE= 50mA f=100MHZ ≤10 ≥6 测试条件 VCB= 10V VCE= 10V VEB= 1.5V 外形外形图21：B-3（A3-02B）型同类产品型号 VCE= 10V IE= 10mA f=100 MHZ 3DG7、3DG12、3DG39、3DG59、3DG121 VCB= 10V IE=0

2. 硅NPN型外延平面高反压三极管3DG182系列极限参数参型数 PICM ICEO ICEO IEBO CM 号 (mW) (mA) (μA) (μA) (μA) 3DG182A 3DG182B 3DG182C 3DG182D 3DG182E 3DG182F 3DG182G 3DG182H 测试条件直流参数 V BES (V) V CES (V) hFE BVCBO (V) ≥60 ≥100 ≥140 ≥180 ≥220 ≥60 ≥100 ≥140 交流参数 BVCEO (V) ≥60 ≥100 ≥140 ≥180 ≥220 ≥60 ≥100 ≥140 BVEBO (V) fT (MHZ) ≥50 700 300 ≤1 ≤5 ≤1 ≤1.2 ≤1 ≥10 ≥5 ≥100 VCB= 30V VCE= 30V VEB= 1.5V IC= 200 mA IB= 20mA IC= 200mA IB= 20mA 外形外形图21：B-3（A3-02B）型同类产品型号 VCE= IC= IC= 2V 100 100 IC= μA μA 200mA 3DG27、3DA87、3DG181 IE= 100 μA VCE=10V IE=20mA f= 30MHZ

3. 硅NPN型平面三极管3DK101、3DK106、3DK21系列 3DK101系列参型数号 3DK101A 3DK101B 3DK101C 极限参数开关参数直流参数 V CES (V) ≤0.3 交流参数 PCM ICM ton toff ICEO ICEO IEBO V BES (mW) (mA) (ns) (ns) (μA) (μA) (μA) (V) 200 40 ≤30 IB1= 1mA IB2= 2mA IC= 10mA ≤60 ≤40 ≤35 IB1=IB2=1mA IC= 10mA ≤0.1 ≤0.1 ≤0.1 ≤0.9 IC= 10mA IB= 1mA hFE ≥30 BVCBO BVCEO BVEBO (V) (V) (V) ≥30 ≥20 ≥30 ≥25 ≥4 ≥20 ≥15 IC= 100μA IC= 100μA IE= 100μA fT (MHZ) ≥300 VCE=10V I E= 10 mA f= 100MHZ 测试条件 VCB= 10V VCE= 10V VEB= 4V IC= 10mA IB= 1mA VCE=1V IC= 20mA 外形外形图22：B-1（A3-01B）型同类产品型号 3DK2、3DK3

3DK106系列参型数号 3DK106A 3DK106B 3DK106C 3DK106D 测试条件极限参数开关参数直流参数 V CES (V) ≤0.5 交流参数 PCM ICM ton toff ICBO ICEO V BES (mW) (mA) (ns) (ns) (μA) (μA) (V) 700 800 ≤50 ≤100 ≤0.5 ≤1 ≤0.5 hFE BVCBO (V) ≥40 ≥60 ≥40 ≥60 IC= 100μA BVCEO (V) ≥30 ≥45 ≥30 ≥45 IC= 100μA BVEBO (V) ≥4 fT (MHZ) ≥150 VCE=3V IE= 10mA f= 30MHZ ≥20 外形 ≤50 VCE=26V VEB=20V IC= IC= 脉冲幅度=1.5V VCE=1V VCB=20VCE= 500mA 500mA 脉冲宽度=1.5μs IC= V 20V IB= IB= 脉冲重复频率 500mA 50mA 50mA =1.5KHZ 外形图21：B-3（A3-02B）型同类产品型号 3DK4、3DK9 IE= 100 μA

3DK21系列极限参数开关参数直流参数参型数 PCM ICM ton toff ICEO IEBO IEBO V BES V CES hFE 号 (mW) (mA) (ns) (ns) (μA) (μA) (μA) (V) (V) 3DK21A 3DK21B 3DK21C 测试条件 100 25 ≤15 ≤10 ≤10 IB1= 1mA IC= 10mA ≤20 ≤15 ≤10 ≤0.1 ≤0.1 ≤0.1 ≤1 IC= 10mA IB= 1mA ≤0.35 IC= 10mA IB= 1mA 30～200 VCE=1V IC= 10mA 交流参数 BVCBO BVCEO BVEBO (V) (V) (V) ≥15 ≥10 IC= 100 μA ≥4 fT (MHZ) ≥700 ≥800 ≥1000 VCE=1V I E= 10mA f= 400MHZ IB1=IB2=1mA VCB=6V IC= 10mA VCE=6V VEB= 1.3V IC= 100 μA IE= 100 μA 外形外形图22：B-1（A3-01B）型同类产品型号 46

4. 硅PNP型外延平面高频小功率三极管3CG111、3CG120、3CG130系列 3CG111系列极限参数直流参数参型数 PCM ICM ICBO ICEO IEBO V BES V CES hFE 号 (mW) (mA) (μA) (μA) (μA) (V) (V) 3CG111A 3CG111B 3CG111C IC= 测试条件 VCB= -10V VCE= -10V VEB= -2V IB= 3mA 300 50 ≤0.1 ≤0.1 ≤0.1 ≤1 ≤0.5 IC= IB= 3mA ≥25 VCE= IC= 10mA BVCBO (V) ≥30 ≥50 ≥60 IC= 100 μA BVCEO (V) ≥15 ≥30 ≥45 IC= 100 μA 交流参数 BVEBO fT Cob GP (V) (MHz) (pF) (db) ≥4 ≥150 ≥300 IE= 100 μA VCE=-10V I E=10mA f= 30MHZ ≤3.5 VCB= -10V f=5 MHz ≥18 VCE= -10V I E= 5 mA 30mA 30mA -10V 外形外形图22：B-1（A3-01B）型同类产品型号 3CG1、3CG3、3CG4、3CG9、3CG10、3CG11、3CG14、3CG15、3CG16、3CG183CG100、3CG101、3CG102、3CG103、3CG110、3CG112、

3CG120系列极限参数直流参数参型数 PCM ICM ICBO ICEO IEBO V BES V CES hFE 号 (mW) (mA) (μA) (μA) (μA) (V) (V) 3CG120A 3CG120B 3CG120C IC= 测试条件 VCB= -10V VCE= -10V VEB= -2V 50mA IB= 5mA 500 100 ≤0.1 ≤0.1 ≤0.1 ≤1 ≤0.5 IC= IB= ≥25 VCE= IC= BVCBO BVCEO BVEBO (V) (V) (V) ≥30 ≥50 ≥60 IC= 100μA ≥15 ≥30 ≥45 IC= 100μA IE= 100μA ≥4 交流参数 fT Cob GP (MHz) (pF) (db) ≥200 VCE=-10V I E=30mA f= 100MHz ≤7 VCB= -10V f=5 MHz ≥ 18 VCE= -10V I E=10 mA 50mA -10V 5mA 30mA 外形外形图21：B-3（A3-02B）型同类产品型号 3CG121、3CG2、3CG8、3CG12、3CG19

3CG130系列极限参数直流参数参型数 PCM ICM ICBO ICEO IEBO V BES V CES hFE 号 (mW) (mA) (μA) (μA) (μA) (V) (V) 3CG130A 3CG130B 3CG130C IC= 测试条件 VCB= -10V VCE= -10V VEB= -2V 100mA IB= 10mA IC= 100mA IB= 10mA VCE= -10V IC= 50mA 700 300 ≤0.2 ≤0.5 ≤0.2 ≤1 ≤0.6 ≥25 交流参数 BVCBO BVCEO BVEBO fT Cob GP (V) (V) (V) (MHz) (pF) (db) ≥30 ≥15 ≥50 ≥30 ≥60 ≥45 IC= 100 μA IC= 100 μA IE= 100μA VCE=-10V I E=50mA f=30MHz VCB= -10V f= 5MHz VCE= -10V I E= 30mA ≥4 ≥80 ≤10 ≥18 外形外形图21：B-3（A3-02B）型同类产品型号 3CG7、3CG13、3CG20、3CG23、3CG131、3CG200、3CG2905 47

5. 硅PNP型外延平面高频小功率三极管3CK2、3CK120、3CK130系列 3CK2系列参型数号 3CK2A 3CK2B 3CK2C 3CK2D 3CK2E 测试条件极限参数开关参数 PCM ICM ton toff ICEO ICBO (mW) (mA) (ns) (ns) (μA) (μA) ≤130 300 50 ≤45 ≤110 ≤60 IB1= IB1=IB11mA =1mA IC= IC= 10mA 10mA 外形图22：B-1（A3-01B）型 VCB= -10V ≤0.1 ≤0.1 直流参数 V BES V CES BVCBO hFE (V) (V) (V) 25 ～ 180 交流参数 BVCEO (V) BVEBO (V) fT (MHZ) 150～450 VCE=1V I E= 10mA f=400MHZ ≤0. 9 ≤0.2 ≥15 ≥10 ≥4 外形 25～120 IC= IC= VCE= IC= IC= VCE= 10mA 10mA 1V 100 100 -10V IB= IB= IC= μA μA 1mA 1mA 10mA 同类产品型号 3CK110、3CK112、3CK113 IE= 100 μA

3CK120系列交流参数极限参数开关参数直流参数参型数 PCM ICM ton toff ICEO IEBO IEBO V BES V CES BVCBO BVCEO BVEBO fT hFE 号 (mW) (mA) (ns) (ns) (μA) (μA) (μA) (V) (V) (V) (V) (V) (MHZ) 3CK120A 3CK120B 3CK120C 3CK120D 3CK120E 测试条件 25 ～≤≤180 ≤0.5 ≤0.5 1.2 0.5 25～80 IC= IC= VCE= 100 100 -1V VCE= VEB= mA mA IB= -10V -4V IB= IB= 100 10mA 10mA mA 同类产品型号 3CK14、3CK121 ≥20 ≥35 ≥50 ≥20 ≥35 IC= 100μA ≥15 ≥30 ≥45 ≥4 ≥15 ≥30 IC= IE= 100100μA μA 500 200 ≤30 ≤30 ≤0.5 150～ 450 VC= -10V I E= 50mA f=30MHZ IB1= IB1=IB210mA =10mA VCB= IC= IC= -10V 100mA 100mA 外形外形图21：B-3（A3-02B）型

3CK130系列参型数号 3CK130A 3CK130B 3CK130C 3CK130D 3CK130E IB1= 测试条件 IC= IB1=IB2VCB= -10V VCE= -10V VEB= -4V IC=500mA IB=50mA IC= 60mA =60mA 600mA 600mA 700 700 ≤50 ≤40 ≤5 ≤10 ≤5 ≤1.2 ≤0.5 极限参数开关参数直流参数 PCM ICM ton toff ICEO IEBO IEBO V BES V CES hFE (mW) (mA) (ns) (ns) (μA) (μA) (μA) (V) (V) 25 ～180 交流参数 BVCBO BVCEO BVEBO (V) (V) (V) ≥20 ≥35 ≥50 ≥35 IC= 100μA ≥15 ≥30 ≥45 ≥4 ≥15 ≥30 IC= 100μA IE= 100μA fT (MHZ) 150～ 450 25 ～≥20 120 VCE= -1V IC= 500mA VCE=-10V I E=50mA f= 30MHZ 外形外形图21：B-3（A3-02B）型同类产品型号 3CK3A-F、3CK4A-G、3CK9A-H 48

6. 硅PNP型外延平面高频高反压小功率三极管3CG182、3CG184、2N2907系列 3CG182系列极限参数直流参数交流参数参型数 PCM ICM ICBO ICEO IEBO V BES V CES BVCBO BVCEO BVEBO fT Cob GP hFE 号 (mW) (mA) (μA) (μA) (μA) (V) (V) (V) (V) (V) (MHz) (pF) (db) 3CG182A 3CG182B 3CG182C 3CG182D IC= 测试条件 VCB= -30V VCE= -30V VEB= -2V 200 mA IB= IC= 200 mA IB= VCE= -10V IC= 20mA 700 300 ≤0.5 ≤1 ≤0.5 ≤1.2 ≤0.8 ≥15 ≥120 ≥100 ≥160 ≥140 ≥200 ≥180 ≥240 ≥220 VCE= IC= 100 μA IC= 100 μA IE= 100μA -10V IE= 20mA f=30MHz 3CG180、3CG181 VCB= -10V f= 5MHz VCE= -10V IE= 30mA ≥4 ≥50 20mA 20mA 外形外形图21：B-3（A3-02B）型同类产品型号

3CG184F（专用）极限参数直流参数参型数 PCM ICM ICBO ICEO IEBO V BES V CES hFE 号 (mW) (mA) (μA) (μA) (μA) (V) (V) 3CG184F 700 300 ≤0.5 ≤1 ≤0.5 ≤1.2 ≤2.5 ≥45 VCE= 测试条件 VCB= -30V VCE= -30V VEB= -2V IC=170mA IB=17mA -10V IC= 20mA 交流参数 BVCBO BVCEO BVEBO fT Cob GP (V) (V) (V) (MHz) (pF) (db) ≥420 IC= 100 μA ≥400 IC= 100 μA ≥4 ≥50 VCE= IE= 100μA -10V IE= 20mA f=30MHz 3CG180、3CG181 外形外形图21：B-3（A3-02B）型同类产品型号

2N2907（专用）极限参数参型 PCM ICM 数 (mW(mA号 ) ) 2N2907 400 ICBO (μA) ICEO (μA) ≤0.04 直流参数 IEBO V BES V CES (μhFE (V) (V) A) ≤0.4 ≤0.2 IC= IC= mA IB= 120～220 VCE= 交流参数 BVCBBVEBfT Cob GP BVCEO (MHz(pF(dbO O (V) (V) (V) ) ) ) ≥150 ≥50 VCE= IC= 50 μA -10V IE= 20mA f=30MHz 测试条件 VCE= -24V 500 mA IB= 150 -10V IC= 1.0mA 50mA 15mA 外形外形图22：B-1（A3-01B）型同类产品型号 49

7. 硅NPN低频大功率晶体管3DD1～8系列 VCBO(VVCEO(VVEBO(V) ICEO(mA) ) ICM ) 型号 TC=75 (A) IC= IC= IE= VCE ±5℃ 5mA 5mA 1mA (V) A 1 0.5 50 30 5 0.5 30 B 1 0.5 80 50 5 0.5 30 C 1 0.5 110 80 5 0.5 50 D 1 0.5 150 110 5 0.5 50 E 1 0.5 200 150 5 0.5 100 F 1 0.5 250 200 5 0.5 100 3DDl G 1 0.5 300 250 5 0.5 100 H 1 0.5 450 300 5 0.5 120 I 1 0.25 700 400 5 0.5 150 J 1 0.25 900 500 5 0.5 200 K 1 0.25 1100 600 5 0.5 240 L 1 0.25 1300 700 5 0.5 280 A 3 0.8 50 30 5 0.5 30 B 3 0.8 80 50 5 0.5 30 C 3 0.8 11O 80 5 0.5 50 D 3 0.8 150 110 5 0.5 50 E 3 0.8 200 l50 5 0.5 100 F 3 0.8 250 200 5 0.5 100 3DD2 G 3 0.8 300 250 5 0.5 100 H 3 0.8 450 300 5 0.5 120 I 3 0.4 700 400 5 0.5 150 J 3 0.4 900 500 5 0.5 200 K 3 0.4 1100 600 5 0.5 240 L 3 0.4 1300 700 5 0.5 280 A 5 1 50 30 5 0.5 30 B 5 1 80 50 5 0.5 30 C 5 1 110 80 5 0.5 50 D 5 1 150 110 5 0.5 50 E 5 1 200 150 5 0.5 100 F 5 1 250 200 5 0.5 100 3DD3 G 5 1 300 250 5 0.5 100 H 5 1 450 300 5 0.5 120 I 5 0.5 700 400 5 0.5 150 J 5 0.5 900 500 5 0.5 200 K 5 0.5 1100 600 5 0.5 240 L 5 0.5 1300 700 5 0.5 280 PCM(W) hFE 15～180 15～180 15～180 15～180 15～180 15～120 15～120 15～80 15～80 15～55 15～55 15～25 15～180 15～180 15～180 15～180 15～180 15～120 15～120 15～80 15～80 15～55 15～55 15～25 15～180 15～180 15～180 15～180 15～180 15～120 15～120 15～80 15～80 15～55 15～55 15～25 VCE (V) 5 5 5 5 5 5 5 5 10 10 10 10 5 5 5 5 5 5 5 5 10 10 10 lO 5 5 5 5 5 5 5 5 10 10 10 10 IC (A) 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.15 0.15 0.15 0.15 0.4 0.4 0.4 0.4 0.4 0.4 0.4 0.4 0.2 0.2 0.2 0.2 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.25 0.25 0.25 0.25 1 1 1 1 l 1 1 1 1 l 1 1 1 1 1 1 1 1 1 l 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 VCES(V) IC (A) 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.15 0.15 0.15 0.15 0.4 0.4 0.4 0.4 0.4 0.4 0.4 0.4 0.2 0.2 0.2 0.2 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.25 0.25 0.25 0.25 外形 IB (A) 0.025 0.025 0.025 0.025 0.025 外形图0.025 38： 3DA804 0.025 F-1型 0.025 0.03 0.03 0.03 0.03 0.04 0.04 0.04 0.04 0.04 外形图0.04 38： DS03 0.04 F-1型 0.04 0.04 0.04 0.04 0.04 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 外形图3DF05 0.05 38： DS05 0.05 F-1型 2N5920 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 参考型号

7. 硅NPN低频大功率晶体管3DD1～8系列（续）

VCBO(VPCM(W) VCEO(V) VEBO(V) ICEO(mA) ICM ) 型号 TC=75 (A) IC= IC= IE= VCE ±5℃ 5mA 5mA 1mA (V) A 10 1.5 50 30 5 0.5 30 B 10 1.5 80 50 5 0.5 30 C 10 1.5 110 80 5 0.5 50 D 10 1.5 150 110 5 0.5 50 E 10 1.5 200 150 5 0.5 100 F 10 1.5 250 200 5 0.5 100 3DD4 G 10 1.5 300 250 5 0.5 100 H 10 1.5 450 300 5 0.5 120 I 10 1 700 400 5 0.5 150 J 10 1 900 500 5 0.5 200 K 10 1 1100 600 5 0.5 240 L 10 1 1300 700 5 0.5 280 A 25 2.5 50 30 5 1.O 30 B 25 2.5 80 50 5 1.0 30 C 25 2.5 110 80 5 1.0 50 D 25 2.5 150 110 5 1.O 50 E 25 2.5 200 150 5 1.O 100 F 25 2.5 250 200 5 1.0 100 3DD5 G 25 2.5 300 9.50 5 1.O 100 H 25 2.5 450 300 5 1.0 120 I 25 1.5 700 400 5 1.O 150 J 25 1.5 900 500 5 1.O 200 K 25 1.5 1100 600 5 1.O 240 L 25 1.5 1300 700 5 1.0 280 A 50 5 50 30 5 1.0 30 B 50 5 80 50 5 1.0 30 C 50 5 1lO 80 5 1.O 50 D 50 5 150 110 5 1.O 50 E 50 5 200 150 5 1.0 100 F 50 5 250 200 5 1.O 100 3DD6 G 50 5 300 250 5 1.0 100 H 50 5 450 300 5 1.O 120 l 50 3.5 700 400 5 1.0 150 J 50 3.5 900 500 5 1.0 200 K 50 3.5 1100 600 5 1.0 240 T 50 3.5 1300 700 5 1.O 280 hFE 15～180 15～180 15～180 15～180 15～180 15～120 15～120 15～80 15～80 15～55 15～55 15～25 15～180 15～180 15～180 15～180 15～180 15～120 15～120 15～80 15～80 15～55 15～55 15～25 15～180 15～180 15～180 15～180 15～180 15～120 15～120 15～80 15～80 15～55 15～55 15～25 VCE (V) 5 5 5 5 5 5 5 5 10 10 10 10 5 5 5 5 5 5 5 5 1O 1O 10 10 5 5 5 5 5 5 5 5 10 10 10 10 VCES(V) 外形 IC IC IB (A) (A) (A) 0.75 1 0.75 0.075 0.75 1 0.75 0.075 0.75 1 0.75 0.075 0.75 1 0.75 0.075 0.75 1 0.75 0.075 3DF101 0.75 1 0.75 0.075 外形图38： 2N5846 0.75 1 0.75 0.075 F-1型 2SD872 2SD183 0.75 1 0.75 0.075 0.5 1 0.5 0.1 0.5 1 0.5 0.1 0.5 1 0.5 0.1 0.5 1 0.5 0.1 1.25 1 1.25 O．125 1.25 1 1.25 0.125 1.25 1 1.25 0.125 1.25 1 1.25 0.125 2N3054 1.25 1 1.25 O．125 2N3441 1.25 1 1.25 0.125 外形图24：2N4910 1.25 l 1.25 0.125 F-2型 3DF103 1.25 1 1.25 0.125 3DD330 O.75 1 O.75 O.15 0.75 1 O.75 0.15 O.75 1 0.75 O.1 5 O.75 1 0.75 0.15 2.5 1.2 2.5 O.25 2.5 1.2 2.5 O.25 2.5 1.2 2.5 O.25 2.5 1.2 2.5 0.25 2N1886 2.5 1.2 2.5 0.25 2N3773 2.5 1.2 2.5 O.25 外形图24：2N3898 F-2型 2N3899 2.5 1.2 2.5 O.25 3DF105 2.5 1.2 2.5 0.25 3DD50 1.75 1.5 1.75 O.35 1.75 1.5 1.75 0.35 1.75 1.5 1.75 O.35 1.75 1.5 1.75 O.35 参考型号

7. 硅NPN低频大功率晶体管3DD1～8系列（续） VEBO(VICEO(mA) ) ICM 型号 TC=75 (A) IC= IC= IE= VCE ±5℃ 5mA 5mA 1mA (V) A 75 7.5 50 30 5 1 30 B 75 7.5 80 50 5 l 30 C 75 7.5 110 80 5 l 50 D 75 7.5 150 110 5 1 50 E 75 7.5 200 150 5 1 100 F 75 7.5 250 200 5 1 100 3DD7 G 75 7.5 300 250 5 1 100 H 75 7.5 450 300 5 1 120 I 75 5 700 400 5 1 150 J 75 5 900 500 5 1 200 K 75 5 1100 600 5 1 240 L 75 5 1300 700 5 1 280 A 100 10 50 30 5 2 30 B 100 10 80 50 5 2 30 C 100 10 110 80 5 2 50 D 100 10 150 11O 5 2 50 E 100 10 200 150 5 2 100 F 100 10 250 200 5 2 100 3DD8 G 100 10 300 250 5 2 lOO H 100 10 450 300 5 2 120 I 100 7 700 400 5 2 150 J 100 7 900 500 5 2 200 K 100 7 1100 600 5 2 240 L 100 7 1300 700 5 2 280 PCM(W) VCBO(V) VCEO(V) hFE 15～120 15～120 15～120 15～120 15～120 15～80 15～80 15～55 15～55 15～40 15～40 7～25 15～120 15～120 15～120 15～120 15～120 15～80 15～80 15～55 15～55 15～40 15～40 7～25 VCE (V) 5 5 5 5 5 5 5 5 10 10 10 10 5 5 5 5 5 5 5 5 10 10 10 10 VCES(V) IC IC (A) (A) 3.75 1.2 3.75 3.75 1.2 3.75 3.75 1.2 3.75 3.75 1.2 3.75 3.75 1.2 3.75 3.75 1.2 3.75 3.75 1.2 3.75 3.75 1.2 3.75 2.5 1.5 2.5 2.5 1.5 2.5 2.5 1.5 2.5 2.5 1.5 2.5 5 1.5 5 5 1.5 5 5 1.5 5 5 1.5 5 5 1.5 5 5 1.5 5 5 1.5 5 5 1.5 5 3.5 1.8 3.5 3.5 1.8 3.5 3.5 1.8 3.5 3.5 1.8 3.5 外形 IB (A) 0.375 0.375 3DF7 0.375 3DA7 0.375 BD278 O.375 2N11510.375 外形图24：～1154 0.375 F-2型 2SC2500.375 2 0.5 2SC292O.5 8 O.5 O.5 0.5 O.5 0.5 3DF10 0.5 3DA8 0.5 BD141 O.5 外形图24：3DD73 0.5 F-2型～100E 0.5 2SD351 0.7 2SD906 O.7 0.7 0.7 参考型号

8. 硅NPN达林顿功率晶体管FH6～8系列 PCM(W) Tc=7型号 5 ±5℃ A 50 B 50 C 50 D 50 FH6 E 50 F 50 G 50 H 50 A 75 ICM (AIC= IE= ) 5m 1mA A 5 5 5 5 5 5 5 5 7.5 7.5 7.5 7.5 7.5 7.5 7.5 7.5 10 10 10 10 10 10 10 10 30 50 80 110 150 200 250 300 30 50 80 110 150 200 250 300 30 50 80 110 150 200 250 300 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 VCEO(V) VEBO(V) ICEO(mA) VCE ≥ (V) 20 500 20 500 30 500 50 500 60 500 80 500 100 500 120 500 hFE VCE (V) 10 10 10 10 10 10 10 10 IC (A) 3 3 3 3 3 3 3 3 4 VCES(V) IC (A) 2.5 2.5 2.5 2.5 2.5 2.5 2.5 2.5 IB (A) 0.025 0.025 0.025 0.025 0.025 0.025 0.025 0.025 外形参考型号 1 1 1 1 1 1 1 1 2 2 2 2 2 2 2 2 YZ-23 FH63 FD50 2SD768 1 20 500 10 l 20 500 10 1 30 500 10 1 50 500 10 1 60 500 10 1 80 500 10 1 100 500 10 1 120 500 10 2 2 2 2 2 2 2 2 20 500 20 500 30 500 50 500 60 500 80 500 100 500 120 500 10 10 10 10 10 10 10 10 2 3.75 0.038 B 75 C 75 D 75 FH7 E 75 F 75 G 75 H 75 A B C D FH8 E F G H 100 100 100 100 100 100 100 100 4 2 3.75 0.038 4 2 3.75 0.038 4 2 3.75 0.038 外形图24：F-2型 4 2 3.75 0.038 4 2 3.75 0.038 4 2 3.75 0.038 4 2 3.75 0.038 5 5 5 5 5 5 5 5 2 2 2 2 2 2 2 2 5 5 5 5 5 5 5 5 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 YZ-25 FHD75 MJE6043 MJE6045 YZ-27 FHD69 FD100 2N6383

二. 场效应晶体管

1. N沟道MOS型场效应晶体管IRF120～823系列极限参数（Ta=25℃）电特性参数（Ta=25℃） IDSS (μA) 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 VDS (V) 100 80 100 80 100 80 100 80 100 80 100 80 100 60 100 60 200 150 200 150 200 150 200 150 400 350 400 350 400 350 400 350 500 450 500 450 500 450 500 450 VGS(th) (V) 2.0～4.0 2.0～4.0 2.0～4.0 2.0～4.0 2.0～4.0 2.0～4.0 2.0～4.0 2.0～4.0 2.0～4.0 2.0～4.0 2.0～4.0 2.0～4.0 2.0～4.0 2.0～4.0 2.0～4.0 2.0～4.0 2.0～4.0 2.0～4.0 2.0～4.0 2.0～4.0 2.0～4.0 2.0～4.0 2.0～4.0 2.0～4.0 2.0～4.0 2.0～4.0 2.0～4.0 2.0～4.0 2.0～4.0 2.0～4.0 2.0～4.0 2.0～4.0 2.0～4.0 2.0～4.0 2.0～4.0 2.0～4.0 2.0～4.0 2.0～4.0 2.0～4.0 2.0～4.0 VDS=VGS RDS(on) (Ω) ID(mA) 0.25 0.3 0.25 0.3 0.5 0.4 0.25 0.4 0.25 0.18 0.25 0.18 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.085 0.25 0.085 0.25 0.11 0.25 0.11 0.25 0.055 0.25 0.055 0.25 0.08 0.25 0.08 0.25 0.8 0.25 0.8 0.25 1.2 0.25 1.2 0.25 0.4 0.25 0.4 0.25 0.6 0.25 0.6 0.25 0.55 0.25 0.55 0.25 0.80 0.25 0.80 0.25 0.3 0.25 0.3 0.25 0.4 0.25 0.4 0.25 3.0 0.25 3.0 0.25 4.0 0.5 4.0 0.25 1.5 0.25 1.5 0.25 2.0 0.25 2.0 VGS (V) 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 ID (A) 5.6 5.6 5.6 5.6 8.3 8.3 8.3 8.3 17 17 17 17 20 20 20 20 2.5 2.5 2.5 2.5 5.0 5.0 5.0 5.0 5.2 5.2 5.2 5.2 8.0 8.0 8.0 8.0 1.4 1.4 1.4 1.4 2.5 2.5 2.5 2.5 gm (S) 1.5 1.5 1.5 1.5 4.0 4.0 4.0 4.0 6.0 6.0 6.0 6.0 9.0 9.0 9.0 9.0 1.3 1.3 1.3 1.3 3.0 3.0 3.0 3.0 4.0 4.0 4.0 4.0 8.0 8.0 8.0 8.0 1.0 1.0 1.0 1.0 2.5 2.5 2.5 2.5 ID (A) 5.6 5.6 5.6 5.6 8.3 8.3 8.3 8.3 17 17 17 17 20 20 20 20 2.5 2.5 2.5 2.5 5.0 5.0 5.0 5.0 5.2 5.2 5.2 5.2 8.0 8.0 8.0 8.0 1.4 1.4 1.4 1.4 2.5 2.5 2.5 2.5 Crss (pF) 36 36 36 36 44 44 44 44 90 90 90 90 500 500 500 500 80 80 80 80 150 150 150 150 37 37 37 37 200 200 200 200 9.6 9.6 9.6 9.6 18 18 18 18 外形型号 VDS (V) 100 60 100 60 100 60 100 60 100 60 100 60 100 60 100 60 200 150 200 150 200 150 200 150 400 350 400 350 400 350 400 350 500 450 500 450 500 450 500 450 VGS (V) ±20 ±20 ±20±20 ±20 ±20 ±20±20 ±20 ±20 ±20±20 ±20 ±20 ±20±20 ±20 ±20 ±20±20 ±20 ±20 ±20±20 ±20 ±20 ±20±20 ±20 ±20 ±20±20 ±20 ±20 ±20±20 ±20 ±20 ±20±20 ID (A) 8.0 8.0 7.0 7.0 14 14 12 12 27 27 24 24 40 40 33 33 5.0 5.0 4.0 4.0 9.0 9.0 8.0 8.0 10 10 8.0 8.0 15 15 13 13 2.5 2.5 2.0 2.0 4.5 4.5 4.0 4.0 IRF120 IRF121 IRF122 IRF123 IRF130 IRF131 IRF132 IRF133 IRF140 IRF141 IRF142 IRF143 IRF150 IRF151 IRF152 IRF153 IRF220 IRF221 IRF222 IRF223 IRF230 IRF231 IRF232 IRF233 IRF340 IRF341 IRF342 IRF343 IRF350 IRF351 IRF352 IRF353 IRF420 IRF421 IRF422 IRF423 IRF430 IRF431 IRF432 IRF433 VGS (V) 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 外形图24： F-2(TO-3)型外形图25： TO-204AE型外形图24：F2（TO-3）型外形图24：F2（TO-3）型

1．N沟道MOS型场效应晶体管IRF120～823系列（续）极限参数（Ta=25℃）型号 IRF530 IRF531 IRF532 IRF533 IRF540 IRF541 IRF542 IRF543 IRF610 IRF611 IRF612 IRF613 IRF620 IRF621 IRF622 IRF623 IRF220 IRF221 IRF222 IRF223 VDS (V) 100 80 100 80 100 80 100 80 200 150 200 150 200 150 200 150 200 150 200 150 VGS (V) ±20 ±20 ±20±电特性参数（Ta=25℃） IDSS (μA) 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 VDS (V) 100 80 100 80 100 80 100 80 200 150 200 150 200 150 200 150 200 150 200 150 VGS(th) (V) 2.0～4.0 2.0～4.0 2.0～4.0 2.0～4.0 2.0～4.0 2.0～4.0 2.0～4.0 2.0～4.0 2.0～4.0 2.0～4.0 2.0～4.0 2.0～4.0 2.0～4.0 2.0～4.0 2.0～4.0 2.0～4.0 2.0～4.0 2.0～4.0 2.0～4.0 2.0～4.0 VDS=VGS ID(mA) 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 RDS(on) (Ω) 0.16 0.16 0.23 0.23 0.077 0.077 0.10 0.10 1.5 1.5 2.4 2.4 0.8 0.8 1.2 1.2 0.8 0.8 1.2 1.2 VGS (V) 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 ID (A) 8.3 8.3 8.3 8.3 17 17 17 17 1.6 1.6 1.6 1.6 2.5 2.5 2.5 2.5 2.5 2.5 2.5 2.5 gm (S) 5.1 5.1 5.1 5.1 8.7 8.7 8.7 8.7 0.8 0.8 0.8 0.8 1.3 1.3 1.3 1.3 1.3 1.3 1.3 1.3 ID (A) 8.3 8.3 8.3 8.3 17 17 17 17 1.6 1.6 1.6 1.6 2.5 2.5 2.5 2.5 2.5 2.5 2.5 2.5 Crss (pF) 44 44 44 44 90 90 90 90 8.6 8.6 8.6 8.6 80 80 80 80 80 80 80 80 外形 ID (A) 14 14 12 12 28 28 25 25 3.3 3.3 2.6 2.6 5 5 4 4 5.0 5.0 4.0 4.0 20 ±20 ±20 ±20±20 ±20 ±20 ±20±20 ±20 ±20 ±20±20 ±20 ±20 ±20±20 VGS (V) 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 外形图19：TO-220AB型

2. P沟道MOS型场效应晶体管IRF9130～9643 极限参数（Ta=25℃） IDSS (μA) VDS (V) VGS(th) (V) -2～-4 -2～-4 -2～-4 -2～-4 -2～-4 -2～-4 -2～-4 -2～-4 -2～-4 -2～-4 -2～-4 -2～-4 -2～-4 -2～-4 -2～-4 -2～-4 -2～-4 -2～-4 -2～-4 -2～-4 -2～-4 -2～-4 -2～-4 -2～-4 电特性参数（Ta=25℃） VDS=VGS ID(mA) -0.25 -0.25 -0.25 -0.25 -0.25 -0.25 -0.25 -0.25 -0.25 -0.25 -0.25 -0.25 -0.25 -0.25 -0.25 -0.25 -0.25 -0.25 -0.25 -0.25 -0.25 -0.25 -0.25 -0.25 RDS(on) (Ω) VGS (V) ID (A) gm (S) 2.0 2.0 2.0 2.0 5.0 5.0 5.0 5.0 2.2 2.2 2.2 2.2 4.0 4.0 4.0 4.0 0.8 0.8 0.8 0.8 0.9 0.9 0.9 0.9 ID (A) -6.5 -6.5 -6.5 -6.5 Crss (pF) 外形型号 VDS (V) VGS (V) ±20 ±20 ±20±20 ±20 ±20 ±20±20 ±20 ±20 ±20±20 ±20 ±20 ±20±20 ±20 ±20 ±20±20 ±20 ±20 ±20±20 ID (A) VGS (V) -10 -10 -10 -10 -10 -10 -10 -10 -10 -10 -10 -10 -10 -10 -10 -10 -10 -10 -10 -10 -10 -10 -10 -10 IRF9130 IRF9131 IRF9132 IRF9133 IRF9140 IRF9141 IRF9142 IRF4143 IRF9230 IRF9231 IRF9232 IRF9233 IRF9240 IRF9241 IRF9242 IRF9243 IRF9510 IRF9511 IRF9512 IRF9513 IRF9520 IRF9521 IRF9522 IRF9523 -100 -60 -100 -60 -12 -12 -10 -10 -250 -250 -250 -250 -100 -60 -100 -60 0.3 0.3 0.4 0.4 -10 -10 -10 -10 -6.5 -6.5 -6.5 -6.5 200 200 200 200 外形图24： F-2(TO-3)型 400 400 400 400 -100 -60 -100 -60 -200 -150 -200 -150 -200 -150 -200 -150 -100 -60 -100 -60 -19 -19 -15 -15 -250 -250 -250 -250 -100 -60 -100 -60 -200 -150 -200 -150 -200 -150 -200 -150 -100 -60 -100 -60 0.2 0.2 0.3 0.3 -10 -10 -10 -10 -10 -10 -10 -10 -10 -10 -10 -10 -6.5 -6.5 -5.5 -5.5 -11 -11 -9.0 -9.0 -3.0 -3.0 -2.5 -2.5 -6.0 -6.0 -5.0 -5.0 -250 -250 -250 -250 0.8 0.8 1.2 1.2 -10 -10 -10 -10 -3.5 -3.5 -3.5 -3.5 -250 -250 -250 -250 0.5 0.5 0.7 0.7 -10 -10 -10 -10 -6.0 -6.0 -6.0 -6.0 -250 -250 -250 -250 1.2 1.2 1.6 1.6 -10 -10 -10 -10 -1.5 -1.5 -1.5 -1.5 -100 -60 -100 -60 -250 -250 -250 -250 -100 -60 -100 -60 0.6 0.6 0.8 0.8 -10 -10 -10 -10 -3.5 -3.5 -3.5 -3.5 -3.5 -3.5 -3.5 -3.5 -6.0 -6.0 -6.0 -6.0 -1.5 -1.5 -1.5 -1.5 -3.5 -3.5 -3.5 -3.5 90 90 90 90 外形图25： TO-204AE型 250 250 250 250 35 35 35 35 外形图24：F2（TO-3）型 100 100 100 100 56

IRF9530 IRF9531 IRF9532 IRF9533 IRF9640 IRF9641 IRF9642 IRF9643 -100 -60 -100 -60 -200 -150 -200 -150 ±20 ±20 ±20±20 ±20 ±20 ±20±20 -12 -12 -10 -10 -11 -11 -9 -9 -10 -10 -10 -10 -10 -10 -10 -10 -250 -250 -250 -250 -100 -60 -100 -60 -200 -150 -200 -150 -250 -250 -250 -250 -2～-4 -2～-4 -2～-4 -2～-4 -2～-4 -2～-4 -2～-4 -2～-4 -0.25 -0.25 -0.25 -0.25 -0.25 -0.25 -0.25 -0.25 0.3 0.3 0.4 0.4 -10 -10 -10 -10 -6.5 -6.5 -6.5 -6.5 0.5 0.5 0.7 0.7 -10 -10 -10 -10 -6.0 -6.0 -6.0 -6.0 2.0 2.0 2.0 2.0 4.0 4.0 4.0 4.0 -6.5 -6.5 -6.5 -6.5 -6.0 -6.0 -6.0 -6.0 200 200 200 200 250 250 250 250

3. N沟道结型场效应晶体管3DJ2、3DJ6/66、3DJ7/67/304、3DJ8/68系列 3DJ2系列参 PDM IDSM Tjm V（BR）DS V（BR）GS 型数 (mW) (mA) (℃) (V) (V) 号 3DJ2D 3DJ2E 3DJ2F 3DJ2G 3DJ2H 测试条件 IDSS (V) VP (V) IGSS Gfs Ciss CrSS (mA) （μS） (pF) (pF) FNL (dB) GPS FNH (dB) (dB) 100 15 175 ≥20 ＜0.35 0.3～1.2 ＜I-4I 1～3.5 ≤100 ＞2000 ＜3 3～6.5 6～lO ＜I-9I ≤l ≤5 ≥10 ≤5 VDS=10V VGS=VP+(-1) VGS=0 VDS=10V VDS=10V VDS=10V VDS=10V IDS=3mA IDS=1μA IGS≤1μA VGS=0 IDS=50μA VGS=10V f=500KHz f=1KHz f=1KHz，VDS=10V IDS=0.5mA RG=10MΩ VDS=10V IDS=3mA f=30MHz 外形外形图22：A3-01B 注：D档VP＜0.5V为合格，E档＜1V为合格；F档IDSS＜1.6mA时，gfs≥1600μS为合格。

3DJ6/66系列参极限参数型数 Pt 号 (mW) 3DJ6D 3DJ6E 3DJ6F 3DJ6G 3DJ6H 测试条件 IDSS (mA) 直流参数 VGS(off) IGSS (V) (nA) V(BR)GSS (V) gfs （μS） ≥300 ≥500 ≥800 ≥1000 交流参数 Ciss CrSS (pF) (pF) NF (dB) 100 0.05～0.35 0.3～1.2 1～3.5 3～6.5 6～10 VDS=10V VGS=0 ≤-9 ≤-100 ≥-25 ≤5 ≤3 ≤5 VDS=10V ID=10μA VDS=0 VGS=-10V VDS=0 IG=-lμA VDS=10V，VGS=0 f=lkHz VDS=10V，VGS=O f=500KHz VDS=10V，ID=3mA f=30MHz，RG=10MΩ 外形外形图22：A3-01B

3DJ7/67/304系列参极限参数型 Pt 数 (mW) 号 3DJ7F 3DJ7G 3DJ7H 3DJ7I 3DJ7J 3DJ7K 测试条件直流参数 IDSS (mA) 1～3.5 3～11 10～18 17～25 24～35 34～70 VDS=10V VGS=0 交流参数 V(BR)GSS (V) gfs （μS） ≥2000 VGS(off) (V) IGSS (nA) Ciss (pF) CrSS (pF) NF (dB) 100 ≤-9 ≤-100 ≥-25 ≥3000 ≤5 ≤3 ≤5 VDS=10V ID=10μA VDS=0 VGS=-10V VDS=0 VDS=10V，VGS=0 IG=-lμA f=lkHz VDS=10V，VGS=0 f=500kHz VDS=10V，ID=3mA f=30MHz，RG=10MΩ 外形外形图22：A3-01B 3DJ8/68系列参极限参数型 Pt IDSS 数 (mW) (mA) 号 3DJ8F 3DJ8G 3DJ8H 3DJ8I 3DJ8J 3DJ8K 测试条件 1～3.5 3～11 10～18 17～25 24～35 34～70 VDS=10V VGS=0 直流参数 VGS(off) (V) IGSS (nA) V(BR)GSS (V) gfs （μS） ≥3000 ≤-9 ≤-100 ≥-25 交流参数 Ciss (pF) CrSS (pF) NF (dB) 100 ≥6000 ≤8 ≤3 ≤5 VDS=10V ID=10μA VDS=0 VGS=-10V VDS=0 VDS=10V，VGS=0 IG=-lμA f=lkHz VDS=10V，VGS=0 f=500kHz VDS=10V，ID=3mA f=30MHz，RG=10MΩ 封装形式外形图22：A3-01B 三. 部分替代俄型号晶体管

CD201系列极限参数参型数 PCM ICM 号 (mW) (mA) 直流参数 ICBO IEBO VBES VCES BVCBO BVCEO hFE (μA) (μA) (V) (V) (V) (V) ≤≤≤CD201A 150 30 ≤1V 50～80 ≥20V ≥20V 0.5μA 3μA 0.3V ≤≤≤CD201B 150 30 ≤1V 50～80 ≥20V ≥20V 0.5μA 3μA 0.3V IC=10mA，VCE=10V IC= IC= 测试条件 VCB=20V VEB=6V IB=1mA IC=3mA 10μA 10μA 外形图22：B-1（A3-01B）型（CD201A三脚，CD201B外形同类产品型号四脚）交流参数 BVEBO (V) ≥9V ≥9V IE= 10μA fT (MHZ) ≥50 ≥50 CD368A 参型数号 CD368A 测试条件外形直流参数 ICEO IEBO VBES VCES BVCBO BVCEO BVEBO hFE (μA) (μA) (V) (V) (V) (V) (V) ≤≤≤140～300 50 ≤1V ≥60V ≥45V ≥4V 0.1μA 0.1μA 0.3V 180 VEB= IC=10mA VCE=10V IC= IC= IE= VCE=1V 1.5V IB=1mA IC=3mA 100μA 100μA 100μA 外形图22：B-1（A3-01B）型（四脚）同类产品型号极限参数 PCM ICM (mW) (mA) 交流参数 fT (MHZ) ≥300 CD630A 极限参数直流参数参型数 PCM ICM ICEO IEBO VBES VCES hFE 号 (mW) (mA) (μA) (μA) (V) (V) ≤≤≤≤120～CD630A 800 800 1μA 0.1μA 1.1V 0.3V 200 测试 VCE=45IC=100mA VCE=10V VEB=5V 条件 V IB=10mA IC=150mA 同类产品型外形外形图21：B-3（A3-02B）型号交流参数 BVCBO (V) ≥120V IC= 10μA BVCEO (V) ≥60V IC= 10μA BVEBO (V) ≥7V IE= 10μA fT (MHZ) ≥50 CS303E 参数名称及符号栅极反向电流Igss 饱和电流Idss 夹断电压Vp 栅源击穿电压BVgss 输入电容Ciss 反馈电容 Grss 参数值 ≤1nA ≤10μA 5mA～12mA 1.8V～3.2V ＞30V ≤6pF ≤2pF 测试条件 Vds=0V，Vgs=-10V Vds=0V，Vgs=-30V Vds=10V，Vgs=0V Vds=10V，Id=10μA Vds=0V，Igs=-10μA Vds=0V，Vgs=0V，f=1MHz Vds=0V，Vgs=0V，f=1MHz 59

外形外形图22：B-1（A3-01B）型第三部分：半导体分立器件组件

一. 说明

我厂有比较强的新产品开发能力，能承接开发各种二、三极管组件及模块产品，并能为用户设计生产特殊需要的产品或按照用户的要求进行产品筛选和试验，新开发的产品有的已经用于我国产军事装备中。如我厂开发的2Д906A型硅二极管矩阵产品用于国产某新型战斗机，SXF2.2型双向限幅器产品列入总装新品计划并用于国产某新型导弹驱逐舰的声纳设备中，3QL30C型三相整流桥产品用于国产某新型导弹的配套设备中等。

二. 产品型号

1. 单相200mA～2A玻璃钝化芯片整流桥QL、DF、1W、RB、2W系列产品型号 QL906A QL906B QL906C DF005G DF01G DF02G DF04G DF06G DF08G DF10G 1W005G 1W01G 1W02G 1W04G 1W06G 1W08G 1W10G RB151G RB152G RB153G RB154G RB155G RB156G RB157G 2W005G 2W01G 2W02G 2W04G 2W06G 平均整流电流 IF (AV)（A） 0.2 0.2 0.2 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.5 1.5 1.5 1.5 1.5 1.5 1.5 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0 正向特性 IFM (A) VF(V)@ IFM 200mA 0.1 1.1 0.1 1.1 0.1 1.1 1A 0.5 1.1 0.5 1.1 0.5 1.1 0.5 1.1 0.5 1.1 0.5 1.1 0.5 1.1 1A 0.5 1.1 0.5 1.1 0.5 1.1 0.5 1.1 0.5 1.1 0.5 1.1 0.5 1.1 1.5A 0.75 1.1 0.75 1.1 0.75 1.1 0.75 1.1 0.75 1.1 0.75 1.1 0.75 1.1 2A 1 1.1 1 1.1 1 1.1 1 1.1 1 1.1 61

反向特性 VR (V ) IR(μA)@ VR 50 100 150 50 100 200 400 600 800 1000 50 100 200 400 600 800 1000 50 100 200 400 600 800 1000 50 100 200 400 600 1.0 1.0 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 外形非标准扁平封装 6×5×3mm 外形图26： DF型外形图27： RB-15型外形图27： RB-15型外形图28： WOB型 2W08G 2W10G 2.0 2.0 1 1 1.1 1.1 800 1000 10 10

2. 单相1～15A玻璃钝化芯片整流桥GBP系列产品型号平均整流电流 IF (AV)（A）正向特性 IFM (A) VF(V)@ IFM 1A GBP005 GBP01 GBP02 GBP04 GBP06 GBP08 GBP10 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 1.1 1.1 1.1 1.1 1.1 1.1 1.1 2A GBP200 GBP201 GBP202 GBP204 GBP206 GBP208 GBP210 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.1 1.1 1.1 1.1 1.1 1.1 1.1 30A GBP15005 GBP1501 GBP1502 GBP1504 GBP1506 GBP1508 GBP1510 15.0 15.0 15.0 15.0 15.0 15.0 15.0 7.5 7.5 7.5 7.5 7.5 7.5 7.5 1.1 1.1 1.1 1.1 1.1 1.1 1.1 50 100 200 400 600 800 1000 10 10 10 10 10 10 10 外形图33： KBPC型 50 100 200 400 600 800 1000 10 10 10 10 10 10 10 外形图30： KBP型 50 100 200 400 600 800 1000 10 10 10 10 10 10 10 外形图29： RS-1型反向特性 VR(V ) IR(μA)@ VR 外形

3. 单相4～10A玻璃钝化芯片整流桥GBU、GBL系列产品型号平均整流电流 IF (AV)（A） 4.0 4.0 4.0 4.0 4.0 4.0 4.0 6.0 6.0 6.0 6.0 6.0 6.0 6.0 8.0 8.0 8.0 8.0 8.0 8.0 8.0 10.0 10.0 10.0 10.0 10.0 10.0 10.0 4.0 4.0 4.0 4.0 正向特性 IFM (A) VF(V)@ IFM 4A 2.0 1.1 2.0 1.1 2.0 1.1 2.0 1.1 2.0 1.1 2.0 1.1 2.0 1.1 6A 3.0 1.1 3.0 1.1 3.0 1.1 3.0 1.1 3.0 1.1 3.0 1.1 3.0 1.1 8A 4.0 1.1 4.0 1.1 4.0 1.1 4.0 1.1 4.0 1.1 4.0 1.1 4.0 1.1 10A 5.0 1.1 5.0 1.1 5.0 1.1 5.0 1.1 5.0 1.1 5.0 1.1 5.0 1.1 15A 2.0 1.1 2.0 1.1 2.0 1.1 2.0 1.1 63

反向特性 VR (V ) IR(μA)@ VR 50 100 200 400 600 800 1000 50 100 200 400 600 800 1000 50 100 200 400 600 800 1000 50 100 200 400 600 800 1000 50 100 200 400 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 外形 GBU400 GBU401 GBU402 GBU404 GBU406 GBU408 GBU410 GBU600 GBU601 GBU602 GBU604 GBU606 GBU608 GBU610 GBU800 GBU801 GBU802 GBU804 GBU806 GBU808 GBU810 GBU1000 GBU1001 GBU1002 GBU1004 GBU1006 GBU1008 GBU1010 GBL400 GBL401 GBL402 GBL404 外形图32： KBU型外形图32： KBU型外形图32： KBU型外形图32： KBU型外形图31： KBL型 GBL406 GBL408 GBL410 4.0 4.0 4.0 平均整流电流 IF (AV)（A） 15.0 15.0 15.0 15.0 15.0 15.0 15.0 25.0 25.0 25.0 25.0 25.0 25.0 25.0 25.0 25.0 25.0 25.0 25.0 25.0 25.0 35.0 35.0 35.0 35.0 35.0 35.0 35.0 35.0 35.0 35.0 35.0 35.0 2.0 2.0 2.0 1.1 1.1 1.1 600 800 1000 10 10 10 4. 单相15～35A 玻璃钝化芯片整流桥GBPC系列产品型号正向特性 IFM (A) VF(V)@ IFM 15A 7.5 1.1 7.5 1.1 7.5 1.1 7.5 1.1 7.5 1.1 7.5 1.1 7.5 1.1 25A 12.5 1.1 12.5 1.1 12.5 1.1 12.5 1.1 12.5 1.1 12.5 1.1 12.5 1.1 25A 12.5 1.1 12.5 1.1 12.5 1.1 12.5 1.1 12.5 1.1 12.5 1.1 12.5 1.1 35A 17.5 1.1 17.5 1.1 17.5 1.1 17.5 1.1 17.5 1.1 17.5 1.1 17.5 1.1 35A 17.5 1.1 17.5 1.1 17.5 1.1 17.5 1.1 17.5 1.1 64

反向特性 VR (V ) IR(μA)@ VR 50 100 200 400 600 800 1000 50 100 200 400 600 800 1000 50 100 200 400 600 800 1000 50 100 200 400 600 800 1000 50 100 200 400 600 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 外形 GBPC15005W GBPC1501W GBPC1502W GBPC1504W GBPC1506W GBPC1508W GBPC1510W GBPC25005 GBPC2501 GBPC2502 GBPC2504 GBPC2506 GBPC2508 GBPC2510 GBPC25005W GBPC2501W GBPC2502W GBPC2504W GBPC2506W GBPC2508W GBPC2510W GBPC35005 GBPC3501 GBPC3502 GBPC3504 GBPC3506 GBPC3508 GBPC3510 GBPC35005W GBPC3501W GBPC3502W GBPC3504W GBPC3506W 外形图34： KBPC-W型外形图33： KBPC型外形图34： KBPC-W型外形图33：KBPC型外形图34：KBPC-W型 GBPC3508W GBPC3510W 35.0 35.0 平均整流电流 17.5 17.5 正向特性 IFM(A) 5/3 20/3 1.1 1.1 800 1000 10 10 5. 定制式三相整流桥产品型号 3QL30C 3QL2001 IF(AV)（A） 5 20 VF(V)@IFM 1.1 1.3 VR(V) 100 100 反向特性 IR(μA)@ VR TA=125℃ TA=125℃ 2 70 10 -- 外形外形图39 外形图40

6. 2Д906A型硅二极管矩阵参型 PCM(mW) 数号 2д906A 测试条件 250 IO （mA） VR(V) IR（µA） VF（V）外形 200 TA≤50℃ 25 TA=125℃ ≥80 IR=5µA ≤2 ≤0.08 ≤1 ≤1.2 (25℃) (-55℃) (25℃) (55℃) VR=80V IF=50mA 外形图41

7. 双向限幅器SXF0.25～5.8系列参限幅范围VZ 最大限幅电型数（V）流 IZM （mA）号 SXF0.25 0.2～0.3 15 SXF0.45 0.4～0.5 15 SXF0.75 0.7～0.8 15 SXF1.0 0.9～1.1 15 SXF1.5 1.4～1.6 15 SXF2.0 1.9～2.1 15 SXF2.2 2.1～2.3 15 SXF3.3 3.2～3.4 15 SXF5.8 5.7～5.9 15 测试条件 IZ=5mA 外形外形图28：WOB型动态电阻 rZ （Ω） ≤12 ≤12 ≤12 ≤12 ≤12 ≤12 ≤12 ≤12 ≤12 IZ=10mA 漏电流 IR （µA） 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 V=1V 温度漂移系-3数CTV 10/℃ -6 -6 -6 -6 -6 -6 -6 -6 -6 温度范围 Tj，TSTG. -55℃～125℃ -55℃～125℃ -55℃～125℃ -55℃～125℃ -55℃～125℃ -55℃～125℃ -55℃～125℃ -55℃～125℃ -55℃～125℃

第四部分：电路及模块

一. 集成稳压器

1. 固定输出三端正稳压器CW7800系列参数名称最大输入电压最小输入电压输出电压(±10%) 最大输出电流电压调整率负载调整率静态电流输出噪声电压外型型号单位 CW78L×× CW78M×× CW78×× Vimax 30 30 30 V Vimin ≤VO+3V ≤VO+3V ≤VO+3V V 5、6、9、12、5、6、9、12、5、6、9、12、VO I=50%IOmax V 15、18、24 15、18、24 15、18、24 IOmax 100 500 1500 mA SV Vimin≤Vin≤Vimax 10～25 10～25 10～25 mV SI 5mA≤IO≤IOmax 10～25 10～25 10～25 mV IQ Vimin≤Vin≤Vimax 5～10 5～10 5～10 mA VN 10HZ≤f≤100KHZ 40 40 40 μV 外型图35、21：TO-92、B-3型（CW78L××）外型图38、23、42：F-1、TO-220、TO-252型（CW78M××）外型图23、24：TO-220、F-2（TO-3）型（CW78××）符号条件

2. 固定输出三端负稳压器CW7900系列参数名称最大输入电压最小输入电压输出电压(±10%) 最电负静失输外大输出电流压调整率载调整率态电流稳电压出噪声电压形型号 CW79L×× CW79M×× CW79×× Vimax -30 -30 -30 Vimin ≥VO-3V ≥VO-3V ≥VO-3V -5、-6、-9、-5、-6、-9、-5、-6、-9、VO I=50%IOmax -12、-15、-12、-15、-12、-15、-18、-24 -18、-24 -18、-24 IOmax 100 500 1500 SV Vimax≤Vin≤Vimin 10～25 10～25 10～25 SI 5mA≤IO≤IOmax 10～25 10～25 10～25 IQ Vimax≤Vin≤Vimin 5～10 5～10 5～10 IO≥20mA -2.5 -2.5 -2.5 VN 10HZ≤f≤100KHZ 40 40 40 外型图35、21：TO-92、B-3型（CW78L××）外型图38、23、42：F-1、TO-220、TO-252型（CW78M××）符号条件 66

单位 V V V mA mV mV mA V μV 外型图23、24：TO-220、F-2（TO-3）型（CW78××） 3. 可调输出三端正稳压器CW117系列参数名称最大输入电压最小输入电压输出电压流率率流比符号 Vimax Vimin VO IOmax SV SI IADJ Srip 条件（Vi-VO）≥4V 4V≤(Vi-VO)≤40V 5mA≤IO≤IOmax CW117L 40 4 1.2～37 连续可调 100 0.07 0.1～1.0 30～100 型号 CW117M 40 4 1.2～37 连续可调 500 0.07 0.1～1.0 30～100 80 1.2～1.3 0.7 CW117 40 4 1.2～37 连续可调 1500 0.07 0.1～1.0 30～100 80 1.2～1.3 0.7 单位 V V V mA %/V % μA db V %/VO 最大输出电电压调整负载调整调整端电纹波抑制VO=10V，f=100Hz 80 CADj≥10μf 基准电压 VREF 1.2～1.3 输出电压温度变化率 ST -55～+125℃ 0.7 外型图21：B-4型（CW117L）外形外型图23：F-1（CW137M）外型图24： F-2（TO-3）型（CW117）

4. 可调输出三端负稳压器CW137系列参数名称最大输入电压最小输入电压输出电压流率率流比符号 Vimax Vimin VO IOmax SV SI IADJ 条件型号 CW137L CW137M CW137 -40 -40 -40 -4 -4 -4 -1.2～-37V -1.2～-37V -1.2～-37V 连续可调连续可调连续可调 100 500 1500 0.07 0.07 0.07 0.1～1.0 0.1～1.0 0.1～1.0 30～100 30～100 30～100 单位 V V V mA %/V % μA db V %/VO 最大输出电电压调整负载调整调整端电纹波抑制基准电压输出电压温度变化率外形 |Vi-VO|≥4V 4V≤|Vi-VO|≤40V 5mA≤IO≤IOmax VO=10V，f=100Hz Srip 80 80 80 CADj≥10μf VREF -1.2～-1.3 -1.2～-1.3 -1.2～-1.3 ST -55～+125℃ 0.7 0.7 0.7 外型图35、21：TO-92、B-3型（CW78L××）外型图23：TO-220（CW78M××）外型图23、24：TO-220、F-2（TO-3）型（CW78××） 67

5. 定制式5V以下电压基准DCW系列

该系列产品可根据用户要求定制0.25～5V输出的标准正电压电压基准器件，并可做为小电流恒流管使用（IO≤25mA）。标准输出电压值及电特性见下表：参数名称最大输入电压输出电压最小输入电压最大输出电流电压调整率负载调整率符号 Vimax VO Vimin IOmax SV SI 条件 3≤Vin≤30V Vi≥VO+3.5 IOmax≤10mA Vimin≤Vin≤30V 型号 DCW××系列 0.25～5.0(±5%)V 30 0.25、0.45、0.75、1.0、1.5、2.0、3.0、3.5、4.0、5.0 ≤VO+3.5 25 10～25 10～25 0.2～10 单位 V V V mA mV mV mA 静态电流 IQ 外形外形图28：WOB型注：① 除另有规定测试条件均为Tj=25℃。 ② 可根据用户要求制做定制式5～100V电压基准。

第五部分：外形图

1：EA-3型单位：mm 2：DO-35型单位：INCHES（mm）名称 EA-2 EA-3 EA-4 Dmax 2.5 3 4 Hmax 8 10 10 数值 **Lmin L1 1 25 1.5 17.5 25 1.5 20 25 1.5 20 d 0.4～0.5 0.4～0.5 0.4～0.5 69

3：DO-41型单位：INCHES（mm） 4：SOT-23型单位：mm 5：SOD-123型单位：INCHES（mm） 6：MELF（DO-213）型单位：INCHES（mm） 70

7：Mini-MELF型单位：INCHES（mm） 8：DO-204AP型单位：INCHES（mm） 9：G4型单位：INCHES（mm） 10：G3型单位：INCHES（mm） 71

11：A-405型单位：INCHES（mm） 12：DO-15型单位：INCHES（mm） 13：DO-201AD型 14：P600型 72

单位：INCHES（mm）单位：INCHES（mm） 15：SMA（DO-214AC）型单位：INCHES（mm） 16：SMB（DO-214AA）型单位：INCHES（mm） 17：SMC（DO-214AB）型 73

18：TO-220AC型单位：INCHES（mm）单位：INCHES（mm） 19：TO-220AB型单位：INCHES（mm） 20：TO-3P型单位：INCHES（mm） 21：B-3（A3-02B）型 74

外形图22：B-1（A3-01B）型单位：mm 单位：mm 有四脚和三脚两种，第4脚和第2脚通过圆心对称，其他相同。 23：S-7（TO-220）型单位：mm 24：F-2（TO-3）型单位：mm 25：TO-204AE型 26：DF型 75

单位：mm 单位：INCHES（mm） 27：RB-15型单位：INCHES（mm） 28：WOB型单位：INCHES（mm） 29：RS-1型 30：KBP型 76

单位：INCHES（mm）单位：INCHES（mm） 31：KBL型单位：INCHES（mm） 32：KBU型单位：INCHES（mm） 33：KBPC型 34：KBPC-W型 77

单位：INCHES（mm）单位：INCHES（mm） 35：TO-92型单位：mm 36：TO-39型单位：mm 37：DO-7型 38：F-1型 78

单位：mm 单位：mm 39：型号：3QL30C 单位：mm 40：型号：3QL2001 单位：mm 41： 42：TO-252型 79

型号：2д906A 单位：mm 单位：INCHES（mm）最大值 2.6 5.5 0.5 12.0 6.5 0.4 3.5 尺寸符号 a b c d e g h 最小值 2.3 4.5 0.4 10.0 5.5 0.3 3.0 数值公称值

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