ITO表面处理对有机电致发光器件性能的影响

维普资讯 http://www.cqvip.com 第２８卷第８期　半导体学报　ＶＯ１．２８　ＮＯ．８　Ａｕｇ．，２００７　２００７年８月　ＣＨＩＮＥＳＥ　ＪＯＵＲＮＡＬ　ＯＦ　ＳＥＭＩＣｏＮＤＵＣＴｏＲＳ　ＩＴＯ表面处理对有机电致发光器件性能的影响＊　王　静　姜文龙　王广德　王立忠　汪　津　韩　强　丁桂英　刘式墉　（１吉林师范大学信息技术学院，四平　１３６０００）　（２吉林大学集成光电子国家重点联合实验室，长春１３００１２）　摘要：用Ａｌ。（）３抛光液处理ＩＴＯ表面制备了有机电致发光器件．将ＩＴＯ玻璃片分别放人Ａｌｚ（）３水选分级后的不　同粒度的抛光液中，进行不同时间的超声处理，发现随着Ａｌｚ（）３抛光液粒度不同、超声时间的不同、ＩＴＯ的表面质　量不同，器件的性能都有不同程度的变化．经过优化发现，当Ａｌｚ（）３抛光液水选分级后的粒度是０．６　ｍ，超声时间　为１０ｍｉｎ，采用导电层的厚度是５０±１０ｎｍ，方块电阻是４０ｆＵ口的ＩＴＯ时，器件的亮度在同一电压下提高了三倍　多，器件达到１００ｃｄ／ｍ。的亮度所需驱动电压也由９Ｖ降至６ｖ；器件的最大亮度在１５Ｖ时达到了２５８８０ｃｄ／ｍ。，最　大效率也由２．５ｃｄ／Ａ提高至３．８２ｃｄ／Ａ．通过原子力显微镜对ＩＴＯ表面形貌进行分析，可以看到，经过ＡＩ２０３抛光　液处理的ＩＴＯ玻璃片表面粗糙度降低了，粗糙度的降低有助于阳极和有机物的结合，有利于空穴的注人，从而使得　器件性能得到改善．　关键词：有机电致发光器件；ＩＴＯ；抛光　ＥＥＡＣＣ：４２６０　中图分类号：ＴＮ３　文献标识码：Ａ　文章编号：０２５３－４１７７（２００７）０８－１３１２－０４　善．通过原子力显微镜对ＩＴＯ表面形貌进行了分　１　引言　有机电致发光器件发展到今天，越来越受到人　们的重视，人们通过各种手段来改善器件的性能，使　其更加实用化．通过对ＩＴＯ表面进行处理来改善器　件的性能也是近年来人们所热衷的手段之一¨１］．这　方面有许多人做了很多工作，利用等离子＿２。］、紫外　光照射＿４　］、热处理和酸处理　］、氧化剂等手段对　ＩＴｏ玻璃表面进行处理＿７］，甚至在ＩＴｏ和空穴传输　层之间加上一层极薄的缓冲层＿８￣１　，都有助于器件　性能的改善．最近Ｊｕｎｇ等人　利用Ａｌ。ｏ。进行机　析，可以看到，经过优化处理的ＩＴＯ玻璃薄片表面　的粗糙度降低了，粗糙度的降低有助于阳极和有机　物的结合，有利于空穴的注入，从而使得器件性能得　到改善．　２　实验　实验中我们采用静置沉降的水选分级方法分别　得到Ａｌ。ｏ。的粒度分别是１，０，６和０．３　ｍ的抛光　液．将ＩＴＯ玻璃衬底，用丙酮、乙醇、去离子水反复　械抛光明显地改善了器件的性能．在此基础上，我们　提出了用超声代替机械抛光的处理方法，使其更利　于控制处理条件，获得了较好的处理结果．将ＩＴＯ　的玻璃片分别放入水选分级后的Ａｌ。０３抛光液中，　抛光液中Ａｌ。ｏ。的粒度分别接近１，０．６和０．３　ｍ，　并进行不同时问的超声处理，发现随着抛光液中　擦洗，并用丙酮、乙醇、去离子水分别超声ｌＯｍｉｎ，最　后在烘箱中烘干待用．将清洗过的ＩＴＯ玻璃片分别　浸入经过水选分级的不同粒度的Ａｌ。ｏ。抛光液中，　然后经过不同时间的超声处理，并将处理过的ＩＴＯ　玻璃薄片再用丙酮超声ｌＯｍｉｎ．器件的制备在多源　有机分子气相沉积系统中进行．在制作器件的过程　中真空室的压力保持在３×１０Ｉ４Ｐａ以下，发光区的　面积为５ｍｍ。，亮度一电流一电压特性、色坐标及电致　Ａｌ。ｏ。粒度不同、超声时间的不同，器件的性能都有　不同程度的变化．在此基础上优化实验条件，并与对　比器件在同一条件下制备有机电致发光器件，可以　观测到，经过Ａ１。Ｏ。处理的器件的性能得到了改　发光光谱由计算机控制Ｋｅｉｔｈｌｅｙｓｏｕｒｃｅ２４００，　ＰＲ６５０亮度一电流一电压特性、色坐标及电致发光光　谱测试系统进行测试．所有测量均在室温大气条件　下进行．　＊国家自然科学基金（批准号　６０２０７００３，６０３７６０２８），国家重点基础研究发展规划（批准号：２００３ＣＢ３１４７０３），吉林省科技发展计划（批准号：　２００５０５２３），吉林省教育厅科研计划（批准号：吉教科合字Ｅ２００３３第２５号，第５４号）和四平科技局计划（批准号；四科合字第　２００３００１７号）资助项目　十通信作者．Ｅｍａｉｌ：ｊｌｓｄｗｊ＠ｙａｈｏｏ．ｃｏｍ　２００７．０３．２３收到，２００７．０４－２０定稿　⑥２００７中国电子学会　维普资讯 http://www.cqvip.com 第８期　王　静等：　ＩＴＯ表面处理对有机电致发光器件性能的影响　图１不同粒度Ａｌｚ０３抛光液处理器件的，．－　和　－Ｖ曲线　Ｆｉｇ．１　Ｌ－Ｖ　ａｎｄ　７／＂－Ｖ　ｃｕｒｖｅｓ　ｏｆ　ｄｅｖｉｃｅｓ　ａｆｔｅｒ　ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ　ｇｒａｎｕｌａｒｉｔｙ　ＡＩｚ　０３　ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ　ｔｒｅａｔｅｄ　器件采用的是传统的简单的三层结构ＩＴｏ／　ＮＰＢ（５０ｎｍ）／Ａｌｑ３／（５０ｎｍ）ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａ１．其中　Ｎ，Ｎ’一ｂｉｓ一（１一ｎａｐｈｔｈ１）一Ｎ，Ｎ’一ｄｉｐｈｅｎｙｌ，１’一ｂｉｐｈｅ—　ｎｙ１．４，４’．ｄｉａｍｉｎｅ（ＮＰＢ）作为空穴传输层，ｔｒｉｓ．（８．　ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎｅ）ａｌｕｍｉｎｉｕｍ（Ａｌｑ３）作为电子传输　层和发光层，ＬｉＦ作为修饰Ａｌ电极的材料．　３结果与分析　图１是用Ａ１　Ｏ。的粒度分别是０．３，０．６和　１　ｍ的抛光液，对ＩＴＯ玻璃薄片进行１０ｍｉｎ的超声　处理的器件（Ｄｅｖｉｃｅ　Ａ，Ｄｅｖｉｃｅ　Ｂ，Ｄｅｖｉｃｅ　Ｃ）以及对　比器件（ｃｏｎｔｒｏｌ　ｄｅｖｉｃｅ）的Ｌ．　，　曲线．从图１　可以看出，在电压为１０Ｖ时Ｄｅｖｉｃｅ　Ａ，Ｄｅｖｉｃｅ　Ｂ，　Ｄｅｖｉｃｅ　Ｃ亮度分别是１５００，１６７６，１２２３ｃｄ／ｍ　，均超　过了ｌＯ００ｃｄ／ｍ　，没有处理的器件的亮度仅为　３１９．６ｃｄ／ｍ　，在相同电压下亮度提高了３倍多，Ｄｅ．　ｖｉｃｅ　Ｂ的最大亮度、最大效率相对比较好，分别为　１４６８０ｃｄ／ｍ　和３．６ｃｄ／Ａ．但在实验中发现，用不同　粒度的Ａ１　Ｏ。抛光液处理的ＩＴＯ玻璃样片，在制备　器件时表面有斑点，这些斑点会造成局部电压过高　而烧毁，影响了器件的性能．于是选择粒度是　０．６　ｍ　Ａ１　Ｏ３的抛光液，对ＩＴｏ玻璃薄片进行不同　时间的超声处理（５，１０，１５和２０ｍｉｎ），再用丙酮进　行１０ｍｉｎ的超声处理，所对应的器件分别为Ｄｅｖｉｃｅ　Ｄ，Ｄｅｖｉｃｅ　Ｅ，Ｄｅｖｉｃｅ　Ｆ，Ｄｅｖｉｃｅ　Ｇ，如图２所示，发　现超声时间不同时器件的性能也不同，器件的亮度　在超声时间低于１０ｍｉｎ时随着超声时间的增加而　增加，当超声时间超过１０ｍｉｎ时反而减少，当超声　时间为１０ｍｉｎ时，器件的亮度最大（图中的Ｄｅｖｉｃｅ　Ｅ），最大亮度达到２４８８０ｃｄ／ｍ　，最大效率达到了　３．７ｃｄ／Ａ．　在实验过程中，我们还发现对不同表面性质的　ＩＴＯ玻璃样片，在同样条件下制备有机电致发光器　件，器件的性能也发生了改变．我们分别选择导电层　图２不同超声时间处理器件的，．－　和　－Ｖ曲线　Ｆｉｇ．２　Ｌ－Ｖ　ａｎｄ　７／－Ｖ　ｃｕｒｖｅｓ　ｏｆ　ｄｅｖｉｃｅｓ　ａｆｔｅｒ　ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ　ｕｌｔｒａｓｏｎｉｃ　ｔｒｅａｔｅｄ　的厚度是５０±ｌＯｎｍ，面电阻是４ｏｆｆ／口（ｔｈｉｃｋ）和导　电层的厚度是２５±５ｎｍ、面电阻是１００￣／口（ｔｈｉｎ）　两种ＩＴｏ玻璃薄片用Ａｌ　ｏ。抛光液粒度分别是０．６　和１　ｍ的抛光液进行相同时间的超声处理，再进行　有机电致发光器件的制备．　从图３中可以看出，不论是用Ａ１　Ｏ。抛光液粒　度是０．６　ｍ还是１　ｍ厚的ＩＴＯ玻璃片的电致发光　图３　不同ＩＴＯ表面性质的，．．　曲线（ａ）和　曲线（ｂ）　其　中Ｈ～Ｍ分别代表不同ＩＴＯ表面性质和不同粒度的Ｄｅｖｉｃｅ　Ｈ（ｔｈｉｎ），Ｄｅｖｉｃｅ　Ｉ（ｔｈｉｃｋ），Ｄｅｖｉｃｅ　Ｊ（ｔｈｉｎ，０．６Ⅱｍ），Ｄｅｖｉｃｅ　Ｋ（ｔｈｉｃｋ，０．６“ｍ），Ｄｅｖｉｃｅ　Ｌ（ｔｈｉｎ，１ｐｍ），Ｄｅｖｉｃｅ　Ｍ（ｔｈｉｃｋ，　ｌ￣ｔｍ）　Ｆｉｇ．３　Ｌ－Ｖ　ａｎｄ　７／－Ｖ　ｃｕｒｖｅｓ　ｏｆ　ｄｅｖｉｃｅｓ　ｕｓｉｎｇ　ｔｈｅ　ｄｉｆ－　ｆｅｒｅｎｔ　ＩＴＯ　ｓｕｒｆａｃｅ　ｃｈａｒａｃｔｅｒ　ａｎｄ　ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ　ｇｒａｎｕｌａｒｉｔｙ　维普资讯 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半导体学报　第２８卷　图４优化处理前后器件的Ｌ－Ｖ和　一Ｖ曲线　Ｆｉｇ．４　Ｌ－Ｖ　ａｎｄ　ｒ／－Ｖ　ｃｕｒｖｅｓ　ｂｅｆｏｒｅ（Ｃｏｎｔｒｏｌ　ｄｅｖｉｃｅ）　ａｎｄ　ｂｅｈｉｎｄ（Ｄｅｖｉｃｅ　Ｎ）ｂｙ　ｏｐｔｉｍｉｚｅｄ　ｔｒｅａｔｅｄ　特性都优于ｔｈｉｎ玻璃片，即Ｄｅｖｉｃｅ　Ｋ，Ｄｅｖｉｃｅ　Ｍ的　性能要好于器件Ｄｅｖｉｃｅ　Ｊ，Ｄｅｖｉｃｅ　Ｌ，也可以看到经　过处理的器件在低电压下，亮度要比Ｃｏｎｔｒｏｌ　ｄｅ．　ｖｉｃｅ高出一倍以上，尤其用粒度是０．６ｋｔｍ的Ａｌ。０３　抛光液处理的器件，性能的优越性更明显．　基于此我们选择了粒度是０．６ｋｔｍ　Ａ１。Ｏｓ抛光　液，对导电层的厚度是５０±１０ｎｍ，面电阻是４０ｆ２／口　的ＩＴ０玻璃片进行１０ｍｉｎ超声处理，然后再用丙酮　进行１０ｍｉｎ超声，并与没有经过处理的样片在相同　条件下制备有机电致发光器件Ｄｅｖｉｃｅ　Ｎ，Ｃｏｎｔｒｏｌ　ｄｅｖｉｃｅ．图４分别为处理前后的Ｌ．　，　特性曲　线，可以看到经过处理的器件，达到１００ｃｄ／ｍ。的亮　度所需驱动电压也由９Ｖ降至６Ｖ，ｄｅｖｉｃｅ　Ｎ的最大　亮度达到了２５８８０ｃｄ／ｍ。，而Ｃｏｎｔｒｏｌ　ｄｅｖｉｃｅ的最大　亮度仅为１２３５０ｃｄ／ｍ。，器件的最大效率由２．５ｃｄ／Ａ　提高至３．８２ｃｄ／Ａ，器件的亮度在相同电压下大约提　高了３倍多．　我们用原子力显微镜对用Ａｌ。０。的抛光液处　理前后的样片进行了分析，图５和图６分别是没有　经过Ａｌｚ０ｓ抛光液处理的和经过粒度是０．６ｋｔｍ　图５处理前的原子力显微镜照片　Ｆｉｇ．５　ＡＦＭ　ｐｈｏｔｏ　ｂｅｆｏｒｅ　ｔｒｅａｔｅｄ　５　Ｏ　２．５　Ｏ　Ｏ　ＬＬｍ　图６处理后的原子力显微镜照片　Ｆｉｇ．６　ＡＦＭ　ｐｈｏｔｏ　ａｆｔｅｒ　ｔｒｅａｔｅｄ　Ａｌ。０。的抛光液处理的样片，从图上我们可清楚地　看到，处理前后，样片的表面特征发生了变化，经过　处理的ＩＴＯ表面光滑了．我们分别在优化处理前后　的ＩＴ０玻璃片上，在同一条件下生长有机膜ＮＰＢ，　并用原子力显微镜对表面形貌进行了分析，如图７　所示．从照片上可以看出，处理后表面均匀、平滑，说　明通过这种方法处理后，提高了有机膜的附着力，从　而使器件的性能得以提高．　弱豳—■■■－：２　０　　图７在ＩＴＯ上生长有机膜ＮＰＢ，经过Ａ１２０３处理前（ａ）后　（ｂ）的ＡＦＭ照片　Ｆｉｇ．７　ＡＦＭ　ｐｈｏｔｏ　ｏｆ　ｇｒｏｗｔｈ　ｏｒｇａｎｉｃ　ｆｉｌｍ　ｏｎ　ＩＴＯ　ｓｕｒｆａｃｅ　ｂｅｆｏｒｅ（ａ）ａｎｄ　ａｆｔｅｒ（ｂ）ｔｒｅａｔｅｄ　ｕｓｉｎｇ　Ａ１２　０３　维普资讯 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第８期　王静等：　ＩＴＯ表面处理对有机电致发光器件性能的影响　１３１５　　ａ１．Ａｎｇｌｅ　ｄｅｐｅｎｄｅｎｔ　Ｘ－ｒａｙ　［４］　Ｓｏｎｇ　Ｗ　Ｊ，Ｓｏ　Ｓ　Ｋ，Ｗａｎｇ　Ｄ　Ｙ，ｅｔ４　结论　总之，我们用一定粒度的ＡｌｚＯ。抛光液对ＩＴＯ　玻璃样片进行超声处理，当水选分级后ＡｌｚＯ。抛光　［５］　ｐｈｏ　ｔｏｅｍｉｓｓｉｏｎ　ｓｔｕｄｙ　ｏｎ　ＵＶ．ｏｚｏｎｅ　ｔｒｅａｔｍｅｎｔ　ｏｆ　ｉｎｄｉｕｍ　ｔｉｎ　ｏｘｉｄｅ．Ａｐｐｌ　Ｓｕｒｆ　Ｓｃｉ，２００１，１７７：１５８　Ｄｅｓｔｒｕｅｌ　Ｐ，Ｂｏｃｋ　Ｈ，Ｓｅｇｕｙ　Ｉ，ｅｔ　ａ１．Ｉｎｆｌｕｅｎｃｅ　ｏｆ　ｉｎｄｉｕｍ　ｔｉｎ　ｏｘｉｄｅ　ｔｒｅａｔｍｅｎｔ　ｕｓｉｎｇ　ＵＶ・ｏｚｏｎｅ　ａｎｄ　ａｒｇｏｎ　ｐｌａｓｍａ　ｏｎ　ｔｈｅ　ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃ　ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ　ｏｆ　ｄｅｖｉｃｅｓ　ｂａｓｅｄ　ｏｎ　ｏｒｇａｎｉｃ　ｄｉｓｃｏｔｉｃ　ｍａｔｅｒｉａｌｓ．Ｐｏｌｙｍｅｒ　Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ，２００６，５５：６０１　液的粒度、超声时间选择合适时，能够有效地改善有　机电致发光器件的性能．通过原子力显微镜分析，这　样的处理使得ＩＴＯ玻璃样片的表面变光滑，有助于　阳极和有机物的结合，有利于空穴的注入．此种方法　属于前处理过程，容易进行，可以在不改变器件结构　的前提下提高器件的效率，也就是说，可以使用简单　的结构来提高器件的性能，方法简单，重复性好．　参考文献　［１］　Ｌｉｕ　Ｊ　Ｍ，Ｌｕ　Ｐ　Ｙ・Ｗｅｎｇ　Ｗ　Ｋ．Ｓｔｕｄｉｅｓ　ｏｎ　ｍｏｄｉｆｉｃａｔｉｏｎｓ　ｏｆ　ＩＴＯ　ｓｕｒｆａｃｅｓ　ｉｎ　ＯＬＥＤ　ｄｅｖｉｃｅｓ　ｂｙ　Ｔａｇｕｃｈｉ　ｍｅｔｈｏｄｓ．Ｍａｔｅｒ　Ｓｃｉ　Ｅｎｇ　Ｂ，２００１，８５：２０９　　Ｍ，Ｃｈｅｎｇ　Ｗ　Ｃ，Ｈｏｎｇ　Ｆ　Ｃ．Ｅｎｈａｎｃｅｄ　ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ　ｏｆ　［２］　Ｃｈａｎ　Ｉｏｒｇａｎｉｃ　ｌｉｇｈｔ・ｅｍｉｔｔｉｎｇ　ｄｅｖｉｃｅｓ　ｂｙ　ａｔｍｏｓｐｈｅｒｉｃ　ｐｌａｓｍａ　ｔｒｅａｔ・　ｍｅｎｔ　ｏｆ　ｉｎｄｉｕｍ　ｔｉｎ　ｏｘｉｄｅ　ｓｕｒｆａｃｅｓ．Ａｐｐｌ　Ｐｈｙｓ　Ｌｅｔｔ，２００２，８０：　１３　［６］　Ｋｉｍ　Ｊ　Ｓ，Ｆｒｉｅｎｄ　Ｒ　Ｈ，Ｃａｃｉａｌｌｉ　Ｆ．Ｓｕｒｆａｃｅ　ｅｎｅｒｇｙ　ａｎｄ　ｐｏｌａｒｉｔｙ　ｏｆ　ｔｒｅａｔｅｄ　ｉｎｄｉｕｍ－ｔｉｎ・ｏｘｉｄｅ　ａｎｏｄｅｓ　ｆｏｒ　ｐｏｌｙｍｅｒ　ｌｉｇｈｔ－ｅｍｉｔ・　ｔｉｎｇ　ｄｉｏｄｅｓ　ｓｔｕｄｉｅｄ　ｂｙ　ｃｏｎｔａｃｔ—ａｎｇｌｅ　ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔｓ．Ｊ　Ａｐｐｌ　Ｐｈｙｓ，１９９９，８６：２７７４　［７］　Ｗａｎｇ　Ｊ，Ｌｕ　Ｌ，Ｊｉａｎｇ　Ｗ　Ｌ，ｅｔ　ａ１．Ｈｉｇｈ・ｅｆｆｉｃｉｅｎｔ　ｏｒｇａｎｉｃ　ｌｉｇｈｔ・　ｅｍｉｔｔｉｎｇ　ｄｉｏｄｅｓ　ｕｓｉｎｇ　ｉｎｄｉｕｍ　ｔｉｎ　ｏｘｉｄｅ　ｔｒｅａｔｅｄ　ｂｙ　ＫＭｎＯ４　ｓｏ・　ｌｕｔｉｏｎ　ａｓ　ａｎｏｄｅ．Ｃｈｉｎ　Ｐｈｙｓ　Ｌｅｔｔ，２００５，２２：７２７　［８］　Ｈｅ　Ｐ，Ｗａｎｇ　Ｓ　Ｄ，Ｗｏｎｇ　Ｗ　Ｋ，ｅｔ　ａ１．Ｖｉｂｒａｔｉｏｎａｌ　ａｎａｌｙｓｉｓ　ｏｆ　ｏｘｙｇｅｎ－ｐｌａｓｍａ　ｔｒｅａｔｅｄ　ｉｎｄｉｕｍ　ｔｉｎ　ｏｘｉｄｅ．Ｃｈｅｍ　Ｐｈｙｓ　Ｌｅｔｔ，　２００３，３７０：７９５　　ａ１．Ｉｍｐｏｒｔａｎｃｅ　ｏｆ　ｉｎｄｉｕｍ　［９］　Ｎｕｅｓｈ　Ｆ，Ｅｏｒｓｙｔｈｅ　Ｅ　Ｗ，Ｌｅ　Ｑ　Ｔ，ｅｔｔｉｎ　ｏｘｉｄｅ　ｓｕｒｆａｃｅ　ａｃｉｄｏ　ｂａｓｉｃｉｔｙ　ｆｏｒ　ｃｈａｎｇｅ　ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ　ｉｎｔｏ　ｏｒ・　ｇａｎｉｃ　ｍａｔｅｒｉａｌｓ　ｂａｓｅｄ　ｌｉｇｈｔ　ｅｍｉｔｔｉｎｇ　ｄｉｏｄｅｓ．Ｊ　Ａｐｐｌ　Ｐｈｙｓ，　２０００，８７：７９７３　ＥＩＯＪ　Ｄｅｎｇ　Ｚ　Ｂ，Ｄｉｎｇ　Ｘ　Ｍ，Ｌｅｅ　Ｓ　Ｔ，ｅｔ　ａ１．Ｅｎｈａｎｃｅｄ　ｂｒｉｇｈｔｎｅｓｓ　ａｎｄ　ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ　ｉｎ　ｏｒｇａｎｉｃ　ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ　ｄｅｖｉｃｅｓ　ｕｓｉｎｇ　ＳｉＯ２　ｂｕｆｆｅｒ　ｌａｙｅｒｓ．Ａｐｐｌ　Ｐｈｙｓ　Ｌｅｔｔ，１９９９，７４：２２２７　ａｓｍａ　ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ　ｏｎ　ｉｎｄｉｕｍ－ｔｉｎ・ｏｘ・　［３］　Ｌｕ　Ｈ　Ｔ，Ｙｏｋｏｙａｍａ　Ｍ．ＰｌＥ１１］　Ｊｕｎｇ　Ｓ，Ｐａｒｋ　Ｎ　Ｇ，Ｋｗａｋ　Ｍ　Ｙ，ｅｔ　ａ１．Ｓｕｒｆａｃｅ　ｔｒｅａｔｍｅｎｔ　ｅｆｆｅｃｔｓ　ｏｆ　ｉｎｄｉｕｍ・ｔｉｎ　ｏｘｉｄｅ　ｉｎ　ｏｒｇａｎｉｃ　ｌｉｇｈｔ－ｅｍｉｔｔｉｎｇ　ｄｉｏｄｅｓ．　Ｏｐｔｉｃａｌ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，２００３，２１：２３５　ｉｄｅ　ａｎｏｄｅ　ｓｕｒｆａｃｅ　ｆｏｒ　ｏｒｇａｎｉｃ　ｌｉｇｈｔ　ｅｍｉｔｔｉｎｇ　ｄｉｏｄｅｓ．Ｊ　Ｃｒｙｓｔ　Ｇｒｏｗｔｈ，２００４，２６０：１８６　Ｉｎｆｌｕｅｎｃｅ　ｏｆ　ＩＴＯ　Ｓｕｒｆａｃｅ　Ｔｒｅａｔｍｅｎｔ　ｏｎ　Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ　ｏｆ　Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｌｉｇｈｔ—Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｅｖｉｃｅｓ　Ｗａｎｇ　Ｊｉｎｇ　，。　，Ｊｉａｎｇ　Ｗｅｎｌｏｎｇ　，Ｗａｎｇ　Ｇｕａｎｇｄｅ　，Ｗａｎｇ　Ｌｉｚｈｏｎｇ　，Ｗａｎｇ　Ｊｉｎ　，　Ｈａｎ　Ｑｉａｎｇ　，Ｄｉｎｇ　Ｇｕｉｙｉｎｇ　，ａｎｄ　Ｌｉｕ　Ｓｈｉｙｏｎｇ。　ｌｉｎ　Ｎｏｒｍａｌ　Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｓｉｐｉｎｇ　１３６０００，Ｃｈｉｎａ）　（１　Ｄｅｐａｒｔｍｅｎｔ　ｏｆ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ　Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ　ａｎｄ　Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，　ＪｉＪｉｌｉｎ　Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｃｈａｎｇｃｈｕｎ　１　３００２３，Ｃｈｉｎａ）　（２　Ｎａｔｉｏｎａｌ　Ｌａｂｏｒａｔｏｒｙ　ｏｆ　Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ　Ｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ，　Ａｂｓｔｒａｃｔ：ＩＴ０　ａｎｏｄｅ　ｓｕｒｆａｃｅｓ　ａｒｅ　ｐｏｌｉｓｈｅｄ　ｗｉｔｈ　Ａｌ２　Ｏ３．Ｍａｃｈｉｎｅ　ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ　ｉｓ　ｒｅｐｌａｃｅｄ　ｗｉｔｈ　ａｎ　ｕｌｔｒａｓｏｎｉｃ　ｐｒｏｃｅｓｓ，ｗｈｉｃｈ　ｉｓ　ｅａｓｉ－　ｅｒ　ｔｏ　ｃｏｎｔｒｏｌ　ｔｏ　ｏｂｔａｉｎ　ａ　ｂｅｔｔｅｒ　ＩＴＯ　ａｎｏｄｅ　ｓｕｒｆａｃｅ．ＩＴＯ．ｃｏａｔｅｄ　ｇｌａｓｓ　ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ（ＩＴＯ　ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ　ｉｓ　５０±１０ｎｍ，ｓｈｅｅｔ　ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ　ｉｓ　４Ｏｎ／口）ａｒｅ　ｐｕｔ　ｉｎｔｏ　ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ　ｗａｔｅｒ—ｇｒａｄｅｄ　Ａｌ２　０３　ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ　ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ　ｗｉｔｈ　ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ　Ａｌ２　０３　ｇｒａｎｕｌａｒｉｔｉｅｓ．Ｔｈｅｎ　ｄｅｖｉｃｅｓ　ａｒｅ　ｆａｂｒｉｃａｔｅｄ　ｗｉｔｈ　ａ　ｔｒａｄｉｔｉｏｎａｌ　ｄｏｕｂｌｅ．１ａｙｅｒ　ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ．Ｔｈｅ　ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｏｒｇａｎｉｃ　ｌｉｇｈｔ．ｅｍｉｔｔｉｎｇ　ｄｉｏｄｅｓ（０ＬＥＤｓ）ｂａｓｅｄ　ｏｎ　ｔｈｅ　ｉｎｄｉｕｍ　ｔｉｎ　ｏｘｉｄｅ（ＩＴＯ）ａｎｏｄｅｓ　ｐｒｏｃｅｓｓｅｄ　ｕｌｔｒａｓｏｎｉｃａｌｌｙ　ｉｎ　ＡＩ２　Ｏ３　ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ　ｓｏｌｕｔｉｏｎ　ｉｓ　ｉｍｐｒｏｖｅｄ．Ｂｙ　ｏｐｔｉｍｉｚｉｎｇ　ｔｈｅ　Ａｌｚ　０３　ｇｒａｎｕｌａｒｉｔｙ　ｔｏ　０．６ｕｍ　ａｎｄ　ｔｈｅ　ｕｌｔｒａｓｏｎｉｃ　ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　ｔｉｍｅ　ｔｏ　１０ｍｉｎ，ｔｈｅ　ｄｒｉｖｅ　ｖｏｌｔａｇｅ　ｆａｌｌｓ　ｆｒｏｍ　９　ｔｏ　６Ｖ　ａｔ　１００ｃｄ／ｍ。ｃｏｍｐａｒｅｄ　ｗｉｔｈ　ｔｈｅ　ｃｏｎｔｒｏｌ　ｄｅｖｉｃｅ。ｗｈｉｃｈ　ｕｎｄｅｒｗｅｎｔ　ｎｏ　ｔｒｅａｔｍｅｎｔ．Ｔｈｅ　ｌｕｍｉｎａｎｃｅ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｄｅｖｉｃｅ　ｉｓ　ｏｖｅｒ　ｔｈｒｅｅ　ｔｉｍｅｓ　ｔｈａｔ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｃｏｎｔｒｏｌ　ｄｅｖｉｃｅ．ｒｅａｃｈｉｎｇ　２５８８０ｃｄ／ｍ。ａｔ　１５Ｖ．Ｔｈｅ　ｌｕｍｉｎｏｕｓ　ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ　ｉｓ　３．８２ｃｄ／Ａ，ｗｈｉｃｈ　ｉｓ　ｔｈｅ　ｂｅｓｔ　ｏｆ　ａｌｌ　ｔｈｅ　ｄｅｖｉｃｅｓ．Ａｓ　ａ　ｒｅｓｕｌｔ，　ｗｉｔｈ　ａｎ　Ａｌ２　Ｏ３　ｇｒａｎｕｌａｒｉｔｙ　ｏｆ　０．６“ｍ　ａｎｄ　ｕｌｔｒａｓｏｎｉｃ　ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　ｔｉｍｅ　ｏｆ　１０ｍｉｎ，ｔｈｅ　ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ　ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ　ｏｆ　ｔｈｅ　ＩＴＯ．ｔｒｅａｔｅｄ　ｄｅｖｉｃｅ　ｉｓ　ｉｍｐｒｏｖｅｄ．Ｔｈｅ　ｓｏｌｕｔｉｏｎ．ｔｒｅａｔｅｄ　ｓａｍｐｌｅ　ｓｈｏｗｓ　ａ　ｍｕｃｈ　ｓｍｏｏｔｈｅｒ　ｓｕｒｆａｃｅ　ｔｈａｎ　ｔｈｅ　ｎｏｎ—ｔｒｅａｔｅｄ　ｏｎｅ，ｗｈｉｃｈ　ｅｎｈａｎｃｅｓ　ｔｈｅ　ｈｏｌｅ　ｉｎｉｅｃｔｉｏｎ，ｌｅａｄｉｎｇ　ｔｏ　ｉｍｐｒｏｖｅｄ　ｄｅｖｉｃｅ　ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ．　Ｋｅｙ　ｗｏｒｄｓ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｌｉｇｈｔ・ｅｍｉｔｔｉｎｇ　ｄｅｖｉｃｅ；ｉｎｄｉｕｍ　ｔｉｎ　ｏｘｉｄｅ　ａｎｏｄｅ；ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ　ＥＥＡＣＣ：４２６０　Ａｒｔｉｃｌｅ　ＩＤ：０２５３．４１７７（２００７）０８．１３１２．０４　＊Ｐｒｏｊｅｃｔ　ｓｕｐｐｏｒｔｅｄ　ｂｙ　ｔｈｅ　Ｎａｔｉｏｎａｌ　Ｎａｔｕｒａｌ　Ｓｃｉｅｎｃｅ　Ｆｏｕｎｄａｔｉｏｎ　ｏｆ　Ｃｈｉｎａ（Ｎｏｓ．６０２０７００３，６０３７６０２８），ｔｈｅ　Ｓｔａｔｅ　Ｋｅｙ　Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ　Ｐｒｏｇｒａｍ　ｆｏｒ　Ｂａｓｉｃ　Ｒｅｓｅａｒｃｈ　ｏｆ　Ｃｈｉｎａ（Ｎｏ．２００３ＣＢ３１４７０３），ｔｈｅ　Ｓｃｉｅｎｃｅ　ａｎｄ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ　Ｐｒｏｇｒａｍ　ｏｆ　Ｊｉｌｉｎ　Ｐｒｏｖｉｎｃｅ（Ｎｏ．　２００５０５２３），ｔｈｅ　Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ　Ｒｅｓｅａｒｃｈ　Ｐｒｏｇｒａｍ　ｏｆ　ｔｈｅ　Ｄｅｐａｒｔｍｅｎｔ　ｏｆ　Ｅｄｕｃａｔｉｏｎ　ｏｆ　Ｊｉｌｉｎ　Ｐｒｏｖｉｎｃｅ（Ｎｏｓ．吉教科合字Ｅ２００３Ｊ第２５号，吉　教科合字Ｅ２００４３第５４号），ａｎｄ　ｔｈｅ　Ｐｒｏｇｒａｍ　ｏｆ　Ｄｅｐａｒｔｍｅｎｔ　ｏｆ　Ｓｃｉｅｎｃｅ　ａｎｄ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　ｏｆ　Ｓｉｐｉｎｇ（Ｎｏ．四科合字第２００３００１７号）　干Ｃ０ｒｒｅｓｐ０ｎｄｉｎｇ　ａｕｔｈｏｒ．Ｅｍａｉｌ：ｉｌｓｄｗｌ＠ｙａｈｏｏ．ｃｏｍ．ｃｎ　Ｒｅｃｅｉｖｅｄ　２３　Ｍａｒｃｈ　２００７，ｒｅｖｉｓｅｄ　ｍａｎｕｓｃｒｉｐｔ　ｒｅｃｅｉｖｅｄ　２０　Ａｐｒｉｌ　２００７　⑥２００７　Ｃｈｉｎｅｓｅ　Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ　ｏｆ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ