专利名称：半导体晶片的制造方法专利类型：发明专利发明人：荒井一尚
申请号：CN200410090132.4申请日：20041102公开号：CN1619779A公开日：20050525
摘要：一种半导体晶片的制造方法，包括：使该支持衬底和该半导体晶片成为整体的一体化工序；用研磨装置的研磨手段研磨半导体晶片背面使其薄型化的研磨加工工序；和用薄膜生成装置用的薄膜生成手段在半导体晶片背面生成薄膜的薄膜生成工序，在一体化工序中，在支持衬底背面，粘附可剥离的保护带实施上述研磨加工工序，在实施上述薄膜生成工序之前完成剥离除去该保护带的保护带剥离除去工序，即使是100μm以下极其之薄加工也不会使半导体晶片产生弯曲，在其半导体晶片背面能形成均匀不含有杂质的高精度薄膜，能使半导体晶片更加薄型化。
申请人：株式会社迪思科
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：杜日新
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