专利名称：多晶硅栅极、半导体器件及其形成方法专利类型：发明专利
发明人：张海洋,杜珊珊,马擎天申请号：CN200810113689.3申请日：20080529公开号：CN101593684A公开日：20091202
摘要：一种多晶硅栅极形成方法，包括：在基底上形成牺牲层；在所述牺牲层内形成沟槽，所述沟槽暴露所述基底；形成覆盖所述牺牲层、所述沟槽侧壁及底壁的介质层；形成覆盖所述介质层并填充所述沟槽的多晶硅层；执行平坦化操作，去除覆盖所述牺牲层的所述介质层；去除所述牺牲层。本发明还提供了一种多晶硅栅极。可使形成的多晶硅栅极的根部缺陷得到改善。本发明还提供了一种半导体器件形成方法和一种半导体器件，可在形成后具有较少的多晶硅栅极根部缺陷。
申请人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
地址：100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道18号
国籍：CN
代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司
代理人：李丽
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