专利名称：一种单喷嘴气化炉及气化方法专利类型：发明专利
发明人：龚岩,郭庆华,于广锁,梁钦锋,王辅臣,陈雪莉,刘海峰,
王亦飞,代正华,李伟锋,郭晓镭,许建良,王兴军,陆海峰,赵辉,刘霞,丁路,赵丽丽
申请号：CN202010443907.0申请日：20200522公开号：CN111454754A公开日：20200728
摘要：本发明公开了一种单喷嘴气化炉及气化方法。其包括炉体和位于炉体的顶部的喷嘴；炉体由外至内依次包括炉体外壳和炉膛，炉膛由上至下分为炉膛拱形段和炉膛直筒段；喷嘴的出口伸入炉膛内；气化炉还包括以气化炉中轴为轴心、绕设于炉膛直筒段的第一电磁线圈和第二电磁线圈；第一电磁线圈和第二电磁线圈用于产生两个同向磁场；第一电磁线圈与喷嘴的出口的垂直间距为0.25～0.5倍炉膛直筒段的直径；第二电磁线圈与喷嘴的出口的垂直间距为1.5～2.5倍炉膛直筒段的直径。该单喷嘴气化炉克服了耐火砖等实体材料无法在高温下约束气化火焰的缺陷，从而提高了高温火焰区域单位体积内的反应强度；提高了碳转化率。
申请人：华东理工大学
地址：200237 上海市徐汇区梅陇路130号
国籍：CN
代理机构：上海弼兴律师事务所
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