MOS场效应管分类
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发布时间：2024-09-29 00:18
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时间：2024-09-30 05:24
MOS场效应管因其导电性质的差异，主要分为增强型和耗尽型两种类型。增强型MOSFET在栅极电压VGS为零时，处于截止状态。当提供适当的VGS时，它会吸引多数载流子至栅极区域，从而形成导电沟道，实现电流的“增强”。相反，耗尽型MOSFET在VGS为零时即形成沟道，随着VGS的增加，沟道内的载流子被“耗尽”，使得管子转入截止状态。
以N沟道MOSFET为例，它在P型硅基片上制备两个高掺杂的源区N+和漏区N+，并引出源极S和漏极D。源极与基片相连，保持等电位。当漏极接电源正极，源极接负极且VGS为零时，无漏极电流ID。当VGS增加，栅极正电压会诱导少数载流子形成N型导电沟道。当VGS超过开启电压VTN（通常约+2V）时，N沟道开始导通，产生漏极电流ID。
国产N沟道MOSFET产品例如3DO1、3DO2、3DO4（均为单栅管）和4DO1（双栅管）被广泛应用。然而，MOSFET因其输入电阻高和极间电容小的特点，相对较“娇气”。它们容易受到外部电磁场或静电的影响，导致极间电容上的电压升高，对管子造成损害。因此，出厂时会采取绞合管脚或封装在金属箔内的防静电措施。在使用和测量时，必须格外小心，务必采取防静电感应措施，以保护设备。
扩展资料
MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET（Metal-Oxide-Semiconctor Field-Effect-Transistor，即金属氧化物合成半导体的场效应晶体管），属于绝缘栅型。
