Silvaco TCAD 虚拟制造-制造流程(5)
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发布时间：2024-09-27 18:33
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时间：2024-10-31 12:22
Silvaco TCAD虚拟制造中的制造流程涵盖了多种关键工艺，包括扩散工艺的实现。首先，LPCVD TEOS的致密化是关键步骤，通常在850°C下通过低温度退火完成，相较于热氧化，这降低了加工成本并缩短了升温降温时间。PBody的注入推进则在1000°C至1150°C的温度范围内进行，退火采用two.dim模型，氧化采用viscous模型，通常在退火中进行氧化处理，推进深度可根据需要调整。
炉管退火工艺中，一般假设常压和1%-3%的DCE，同时考虑氧化层制作。源漏注入退火根据结深需求，可能需要30分钟到110分钟，Power MOS和CMOS工艺有所不同。RTP硅化物工艺在快速热处理中用于退火或生长薄氧化层，如TiSix、WSix等，硅化物能有效降低电阻。在RTP工艺中，快速升温后在目标温度保持，然后降温，通常简化为1分钟的675°C退火。
BPSG平坦化主要通过回流完成，温度设为900°C，时间根据需求调整。回流效果可通过修改材料粘滞系数和回流参数实现，或自定义BPSG材料参数文件。示例中的BPSG回流条件包括diffuse time=60 minutes, temp=950 nitro press=1 reflow，配合USG沉积层，最终得到如图所示的平坦化效果。
