发布网友 发布时间:2024-09-27 19:18
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热心网友 时间:2024-09-27 19:23
在电力电子设备中,碳化硅MOSFET因其优势被广泛应用,如新能源汽车、工业等领域。为了优化器件性能,TO-247-4封装中引入辅助源极管脚显得至关重要。传统的TO-247-3封装的MOSFET存在驱动回路与功率回路共用源极的问题,这可能导致开关损耗增加。而TO-247-4封装通过增加辅助源极(KS或开尔文源)脚,将驱动回路和主功率回路分开,有助于降低杂散电感的影响,特别是在高频下,能有效减少开关损耗,如在电流探头校准和双脉冲测试中表现明显。
通过对比基本半导体的1200V 80mΩ碳化硅MOSFET封装B1M080120HC(TO-247-3)和B1M080120HK(TO-247-4),我们看到TO-247-4的开关损耗有明显下降。在开通过程中,辅助源极的引入避免了功率源极杂散电感对门极电压的影响,从而降低了Eon。在关断过程中,同样减少了Eoff。因此,对于追求低损耗和高速度的碳化硅MOSFET设计,TO-247-4封装是优选。
总结来说,TO-247-4封装通过辅助源极管脚的优势在于优化了开关器件的性能,特别是对于碳化硅MOSFET这种高频器件,能显著减少开关损耗并提升驱动设计的灵活性。在新方案设计时,选择TO-247-4封装的碳化硅MOSFET产品,能更好地提升系统效率和成本效益。