物理和化学气相沉积(PVD&CVD)工艺
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发布时间：2024-09-26 21:39
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时间：2024-11-03 17:24
薄膜沉积技术，包括物理气相沉积(PVD)和化学气相沉积(CVD)，是一种在真空条件下通过气相原子或分子在基体表面沉积形成薄膜的技术。PVD主要通过物理方法，如高温蒸发、溅射或离子轰击，适用于金属、非金属、化合物的平面沉积，涉及技术有真空蒸发、溅射、离子和分子束外延等。CVD则是通过化学反应在气相或气固界面生成固态沉积，广泛用于无机材料制备，如氧化物、硫化物等，能精确控制物理功能，分类有APCVD、LPCVD等，适用于复杂形状表面和内孔沉积。
PVD过程包含气化、迁移和沉积三个步骤，而CVD则涉及气体扩散、吸附和化学反应，能制备多组分、高纯度薄膜，尤其在半导体领域有优势。CVD的特点包括沉积物种类多样、对复杂表面的适应性强、能控制薄膜的化学成分和结构等，但反应温度较高，可能需要辅助技术降低温度。
这两种技术广泛应用于机械、电子和装饰等领域，如超硬膜、磁记录介质、光电转换材料以及装饰镀膜等。近二十年来，薄膜沉积技术发展迅速，成果显著，为多种行业带来了创新的解决方案。
如有更多关于PVD和CVD的问题，可以直接咨询，或查阅相关专业文章如“江苏省真空学会”和“智造调查局”的内容。
